基于β-氧化镓的深紫外纳米光探测器

基于低维β-Ga2O3

深紫外探测器汇报内容相关背景材料选择文献调研材料合成器件性能相关背景深紫外(DUV)：<280nm相关背景DUV火焰监测生物医药臭氧监测导弹制导相关背景相关背景5SSensi-tivitySignal-to-noiseratioSpectralselec-tivitySpeedStability汇报内容相关背景材料选择文献调研材料合成器件性能Eg(ev)=1240/λ(nm)材料选择材料Eg/eV材料分析C-BN6.3带宽过大，对深紫外波段的选择性有限，分别为193、225、210nm，响应谱有缺失Diamond5.5AlN6.1β-Ga2O34.9对应波长245.7nm合适AlxGa1-xN~xx>0.45时性能严重下降MgxZn1-xO~xx<0.37方可合成，Eg=4.3eV材料选择物理蒸镀弧光放电激光烧蚀CVD材料选择1DGa2O3的合成方法汇报内容相关背景材料选择文献调研材料合成器件性能文献调研搜索关键字（主题）：

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nano*galliumoxideSCI数据库Group

方法&产物前驱体气氛电极P.FengCVD&NWGaN2AuY.B.LiCVD&NWGa2O3、石墨Ar、O2Ga2O3L.LiCVD&NBGaHe、O2Cr/AuR.J.ZouCVD&NWGaNAr碳化钨文献调研P.Fengetal.Appl.Phys.Lett.88,153107(2006)信噪比过低文献调研NWLayerBridgedNWsQuartz电极与NW材料相同来自同一生长过程接触势垒很低Y.B.Lietal.Adv.Funct.Mater.2010,20,3972–3978单步CVD法：Ga2O3纳米线堆叠组成薄层电极，其后向相邻电极生长出桥接纳米线VS与ZnO相反，β-Ga2O3纳米线电子浓度极低使其受O2吸附-解吸作用所造成的影响很小文献调研IndryairInargonNumber123Temperature/℃1000925800文献调研DefectdensitiesGrowthtemperature文献调研Individualnanobelts：width~1.6μm，thickness~100nmL.Lietal.Nanoscale,2011,3,1120–1126Rλ/AW-1QE

tr

/sIP~Pθ~102~102<0.3θ~0.85文献调研Fermi-levelpinningrecombinationbarriernanostructuresizewidthtr/std/s3.3μm367.8800nm

<0.3<0.3文献调研温度暗电流响应度响应速度选择性R.J.Zouetal.Nanotechnology24(2013)495701该探测器的各方面性能均有较好的热稳定性可在恶劣环境下工作文献调研参考文献P.Fengetal.Appl.Phys.Lett.88,153107(2006)Y.B.Lietal.Adv.Funct.Mater.2010,20,3972–3978L.Lietal.Nanoscale,2011,3,1120–1126R.J.Zouetal