GB/T 4937.19-2018半导体器件机械和气候试验方法第19部分：芯片剪切强度

ICS3108001

L40..

中华人民共和国国家标准

GB/T493719—2018/IEC60749-192010

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第19部分芯片剪切强度

:

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part19Dieshearstrenth

:g

(IEC60749-19:2010,IDT)

2018-09-17发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T493719—2018/IEC60749-192010

.:

前言

半导体器件机械和气候试验方法由以下部分组成

GB/T4937《》:

第部分总则

———1:;

第部分低气压

———2:;

第部分外部目检

———3:;

第部分强加速稳态湿热试验

———4:(HAST);

第部分稳态温湿度偏置寿命试验

———5:;

第部分高温贮存

———6:;

第部分内部水汽含量测试和其他残余气体分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分标志耐久性

———9:;

第部分机械冲击

———10:;

第部分快速温度变化双液槽法

———11:;

第部分扫频振动

———12:;

第部分盐雾

———13:;

第部分引出端强度引线牢固性

———14:();

第部分通孔安装器件的耐焊接热

———15:;

第部分粒子碰撞噪声检测

———16:(PIND);

第部分中子辐照

———17:;

第部分电离辐射总剂量

———18:();

第部分芯片剪切强度

———19:;

第部分塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响

———20:;

第部分对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作包装标志和运输

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分键合强度

———22:;

第部分高温工作寿命

———23:;

第部分加速耐湿无偏置强加速应力试验

———24:(HSAT);

第部分温度循环

———25:;

第部分静电放电敏感度试验人体模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分静电放电敏感度试验机械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分静电放电敏感度试验带电器件模型器件级

———28:(ESD)(CDM);

第部分闩锁试验

———29:;

第部分非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性内部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐湿无偏置高压蒸煮

———33:;

第部分功率循环

———34:;

第部分塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅰ

GB/T493719—2018/IEC60749-192010

.:

第部分采用加速度计的板级跌落试验方法

———37:;

第部分半导体存储器件的软错误试验方法

———38:;

第部分半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量

———39:;

第部分采用张力仪的板级跌落试验方法

———40:;

第部分非易失性存储器件的可靠性试验方法

———41:;

第部分温度和湿度贮存

———42:;

第部分集成电路可靠性鉴定方案指南

———43:(IC);

第部分半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法

———44:。

本部分为的第部分

GB/T493719。

本部分按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻译法等同采用半导体器件机械和气候试验方法第部分

IEC60749-19:2010《19:

芯片剪切强度

》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本部分起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所深圳市标准技术研究院

:、。

本部分主要起草人裴选彭浩高瑞鑫高金环马坤

:、、、、。

Ⅱ

GB/T493719—2018/IEC60749-192010

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第19部分芯片剪切强度

:

1范围

的本部分用来确定将半导体芯片安装在管座或其他基板上所使用的材料和工艺步骤

GB/T4937

的完整性基于本试验方法的目的本部分中半导体芯片包括无源元件

(,)。

本部分适用于空腔封装也可作为过程监测不适用于面积大于2的芯片以及倒装芯片和

,。10mm,

易弯曲基板

。

注1通过测量对芯片或元件所加力的大小观察在该力作用下产生的失效类型如果出现失效以及残留的芯片附

:,()

着材料和基板管座金属化层外形来判断器件是否接收

/。

注2对于空腔封装芯片剪切强度试验是为了确定空腔内的芯片附着强度对于非空腔封装如塑封芯片粘接是

:,。,,

为了防止芯片在树脂铸模完全成型之前发生位移

。

除以下情形外不需要提供芯片剪切强度说明和铸模之后芯片粘结最小面积

,:

芯片与焊盘之间存在电连接

a);

芯片热量需通过粘结处散发

b)。

2试验设备的说明

本试验设备为一台能施加应力的仪器即一台线性运动加力仪或带有杠杆臂的圆形测力计此外

,。,

该设备还应具有以下能力

:

接触工具能把力均匀地施加到芯片的一条棱边与管座或基板的芯片安装平面垂直见图

a),(3)。

接触工具上可采用柔软的材料