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第三章失效机制3.6电过应力静电泄放（ESD）电迁徙天线效应闩锁效应闸流效应的控制防止和控制闸流效应需要从生产工艺和版图设计两方面着手。通常所采取的措施，其目标基本都是减小寄生晶体管的电流增益β和降低寄生晶体管的基射极分流电阻Rw、Rs。①减小β值：增加横向PNP管的基极宽度，减小其电流放大倍数βpnp。②采用伪收集极：如图所示，在P-阱和P+之间加一个接地的，由P-和P+组成的区域。它可以收集由横向PNP管发射极注入进来的空穴。这就阻止了纵向NPN管的基极注入，从而有效地减少PNP管的电流放大倍数βpnp。③采用保护环 保护环可以有效地降低横向电阻和横向电流密度。同时，由于加大了P-N-P管的基区宽度使βpnp下降。④随着亚微米技术的应用，集成度越来越多，对控制闸流效应提出了更高的要求，目前广泛采用的是挖隔离沟的办法解决闸流效应问题。即用氧化绝缘层的壕沟（trench）将阱与衬底隔开。使PNPN通路完全消失，这自然增加

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