标准解读

《GB/T 4059-2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法》与《GB/T 4059-1983 硅多晶气氛区熔磷检验方法》相比,在多个方面进行了修订和完善。首先,新标准在名称上有所变化,“硅多晶气氛区熔磷检验方法”变更为“硅多晶气氛区熔基磷检验方法”,更准确地反映了检测对象为硅材料中基于区熔技术处理后磷元素的存在情况。其次,在适用范围部分,《GB/T 4059-2007》明确指出适用于通过气氛区熔法制备的硅单晶及多晶材料中磷含量的测定,而旧版则没有如此详细的规定。

关于方法原理,《GB/T 4059-2007》保留了使用化学发光法测定样品中微量磷的技术路线,但对具体操作步骤进行了细化,并增加了质量控制要求,比如空白实验、重复性限值等,以提高测试结果的准确性与可靠性。此外,新版还引入了更加先进的仪器设备和技术手段,如高效液相色谱仪或原子吸收光谱仪的应用建议,以及对实验室环境条件的具体要求,旨在进一步提升分析精度和效率。

对于样品制备过程,《GB/T 4059-2007》给出了更为详尽的操作指南,包括取样量、溶解方法、酸化处理等方面的具体参数设置,确保每一步骤都可追溯且易于执行。同时,针对不同形态(固体、液体)的待测物也提供了差异化的处理方案,增强了标准的适用性和灵活性。


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  • 被代替
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  • 2007-09-11 颁布
  • 2008-02-01 实施
©正版授权
GB/T 4059-2007硅多晶气氛区熔基磷检验方法_第1页
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文档简介

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中华人民共和国国家标准

犌犅/犜4059—2007

代替GB/T4059—1983

硅多晶气氛区熔基磷检验方法

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20070911发布20080201实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

硅多晶气氛区熔基磷检验方法

GB/T4059—2007

中国标准出版社出版发行

北京西城区复兴门外三里河北街16号

邮政编码:100045

http://www.spc.net.cn

http://www.gb168.cn

电话:(010)51299090、68522006

2008年2月第一版

书号:155066·130534

版权专有侵权必究

举报电话:(010)68522006

犌犅/犜4059—2007

前言

本标准是对GB/T4059—1983《硅多晶气氛区熔基磷检验方法》的修订。本标准修改采用了

ASTMF1723—1996《用悬浮区熔法晶体生长和光谱学方法评价多晶硅棒的标准》。

本标准与ASTMF17231996的一致性程度是修改采用,其差异如下:

———删去了ASTMF17231996第9章“危害”,因此,使用本标准时应建立相应的安全操作规范;

———删去了ASTMF17231996第5章“意义和用途”、第10章10.2.3条“垂直取芯”、第15章“关键词”。

本标准与原标准相比,主要变化如下:

———检测杂质浓度范围扩大为0.002ppba~100ppba;

———采用ASTMF172396规定的施主杂质测量范围替代原GB/T4059—1983的测量范围;

———依据ASTMF172396增加了用低温红外光谱和荧光光谱分析法测量样品中的磷杂质含量的

方法;

———增加了“规范性引用文件”、“术语”、“允许差”、“计算”;

———删去了原标准中的附录A;

———将原标准中的第5章“检验条件”修订为“干扰因素”;

———将原标准中的取样位置修订为距多晶硅棒表面不低于5mm,距多晶硅棒底部不低于50mm;

———将原标准中的试样尺寸范围修订为直径15mm~20mm、长度为180mm;

———将原标准中的“检验结果尺寸”修订为10mm~15mm。

本标准自实施之日起,同时代替GB/T4059—1983。

本标准由中国有色金属工业协会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位:峨眉半导体材料厂。

本标准主要起草人:罗莉萍、梁洪、覃锐兵、王炎、王向东。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为:

———GB/T4059—1983。

犌犅/犜4059—2007

硅多晶气氛区熔基磷检验方法

1范围

本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基磷的检验。

本标准检测杂质浓度的有效范围:0.002×10-9~100×10-9。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有

的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。

GB/T1551硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法

GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T13389掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度

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