标准解读

《GB/T 4059-1983 硅多晶气氛区熔磷检验方法》是一项国家标准，主要针对硅多晶材料中磷含量的检测提供了具体的操作指南。该标准详细规定了使用气氛区熔法测定硅多晶材料中磷杂质的方法步骤和技术要求。

根据此标准，首先需要准备一定量的待测样品，并确保其表面清洁无污染。接着，在特定条件下将样品置于石英管内进行加热处理，通过控制加热区域形成局部熔融状态，使得其中含有的磷元素能够以气体形式释放出来。这一过程需在严格控制的惰性气体（如氩气）环境中进行，以避免外界因素对实验结果造成干扰。

随后，收集从熔融区域逸出的含有磷成分的气体，并采用适当的方法对其进行定量分析。常用的分析手段包括但不限于光谱分析、质谱分析等，这些技术能够准确地测量出磷的具体含量。值得注意的是，在整个过程中还需注意温度控制、气体流量调节等因素，以保证测试结果的准确性与可靠性。


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  • 1983-12-20 颁布
  • 1984-12-01 实施
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文档简介

UDC669.782：548.2:543.06中华人民共和国国家标准GB4059-83硅多晶气氮区熔磷检验方法Polycrystallinesilicon--Examinationmethod--Zone-meltingonphosphonsundercontrolledatmosphere1983-12-20发布1984-12-01实施1家标准局批准

中华人民共和国国家标准UDC669.782:5482:543.06硅多晶气氮区熔磷检验方法GB4059-83Polycrystallinesilicon--Examinationmethod-Zone-meltingonphosphonisundercontrolledatmosphere本标准适用于三氯氢硅及四氯化硅氢还原在细硅芯上沉积硅多品所生长出来的硅多晶棒：检测杂质液度有效范围0.02～20ppbaaN型电阻率范围10～200022·cm。1方法原理1.1原理利用街区榕时硅中碘硼的有效分蟹系数的差别及磷硼从硅中蒸发速车的差别。1.2方法气尔区熔法2试样制备2.1取样部位除仁桥形硅多晶棒硅芯搭接处或者直的硅多品棒离石墨卡头10mm一段外均可取样（如图1）。2.2试样尺寸直径10~40mm。长度70～200mm。2.3试样处理2.3.1在化学纯丙酮中洗样去油。2.3.2用用化学纯乙萨清洗20～30s后用电阻率大于10MQ的去离子水冲洗。2.3.3在优级纯HF:HNOa=1:（3～5）体积的混合酸液中腐蚀2min2.3.4在第二份优级纯HF:HNO，-1(3～5）的混合酸液中腐蚀2min。2.3.5用电阻率大于10M22的去离子水冲洗试样至中性。2.3.6试样经超南波或用去离子水多次煮沸，洗涤，烘干，包装待用。仪器设备内热式区熔炉。4籽晶制备4.1籽晶规格电作率大于3002·cm的N型（111》硅单晶。切成5m×5m×50mm。4.2籽晶处理同2.3试样处

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