GB/T 4059-2018硅多晶气氛区熔基磷检验方法

ICS77040

H17.

中华人民共和国国家标准

GB/T4059—2018

代替

GB/T4059—2007

硅多晶气氛区熔基磷检验方法

Testmethodforphosphoruscontentinpolycrystallinesiliconbyzone-melting

methodundercontrolledatmosphere

2018-12-28发布2019-11-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T4059—2018

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替硅多晶气氛区熔基磷检验方法与相比除编

GB/T4059—2007《》,GB/T4059—2007,

辑性修改外主要技术变化如下

,:

基磷含量的测定范围由-9-9修改为13-313-3

———“0.002×10~100×10”“0.01×10cm~500×10cm”

见第章年版的第章

(1,20071);

调整了规范性引用文件删除了增加了

———,GB/T1553、GB/T1554、GB/T1555、GB/T13389,

GB/T1550、GB/T4060、GB/T4842、GB/T8979、GB/T11446.1—2013、GB/T24574、

见第章年版的第章

GB/T24581、GB/T25915.1—2010(2,20072);

修改了样芯的定义删除了空心钻头见年版的

———,“”(3.3,20073.3);

修改了方法和方法的方法原理表述见年版的

———AB(4.1、4.2,20074.1、4.2);

干扰因素中酸洗和区熔操作的环境修改为不低于规定的级洁净环

———“GB/T25915.1—20106

境见年版的第章

”[5.3,20075c)];

干扰因素中增加了样品处理过程区熔速度硅芯等项对测试结果有影响的因素见

———、、3(5.4、

5.6、5.7);

删除了干扰因素中关于区熔后硅单晶棒测试环境的要求见年版的第章第章

———、[20075f)、5

g)];

修改了试剂和材料中去离子水氩气的要求见年版的

———、(6.3、6.4,20076.3、6.5);

试剂和材料增加了氮气的要求见

———(6.5);

修改了试剂和材料中籽晶的要求由型电阻率不低于的籽晶修改为籽晶应为

———,“n500Ω·cm”“

无位错的型高阻硅单晶且施主杂质含量原子数小于12-3碳含量原子

N<111>,()2.5×10cm,(

数小于15-3晶向偏离度小于见年版的

)5×10cm,5°”(6.6,20076.1);

对仪器设备中的取芯设备增加了要求见年版的第章

———“”[7.1,20077a)];

真空内热式区熔炉改为内热式区熔炉见年版的第章

———“”“”[7.5,20077d)];

仪器设备中增加了超声清洗设备氮气与氩气纯化装置导电类型测试仪两探针电阻率测试

———、、、

仪低温红外光谱仪或光致发光光谱仪见

、(7.3、7.6、7.7、7.8、7.9);

删除了定性滤纸真空吸尘器洁净室专用的手套等实验室常用材料见年版的第章

———、、[20077

第章第章

e)、7f)、7g)];

修改了取样要求见年版的

———(8.2、8.4,20078.2、8.4);

删除了选择电阻率大于碳含量小于-6无位错晶向偏离度小于的

———“500Ω·cm,0.2×10,,5°

型高阻硅单晶切割制备成的籽晶见年版的

n<111>”(200710.1.1);

将籽晶必须在干燥后内使用修改为籽晶应予以密封进行洁净保护见年

———“36h”“”(10.1,2007

版的

10.1.2);

增加了清洗后的样芯宜用高纯氮气吹干见

———“”(10.2.2);

删除了清洁取芯钻用不低于的去离子水清洁酸洗台见年版的

———“”“10MΩ·cm”(200710.3.1、

10.3.2);

在清洁真空抽吸后预热样芯修改为在清洁装料真空抽吸充氩气后预热样芯见

———“、,”“、、、,”(

年版的

10.3,200710.3.3);

修改了试验步骤中的晶棒生长内容见年版的

———(10.4,200710.4);

Ⅰ

GB/T4059—2018

增加了导电类型的测试按的规定进行见

———“GB/T1550”[10.5.2a)];

修改了试验步骤中的晶棒评价内容见年版的

———[10.5.2b),200710.5.2.4];

删除了晶向晶锭结晶完整性少数载流子寿命的测试见年版的

———、、(200710.5.2.1、10.5.2.2、

10.5.2.3);

删除了允许差增加了精密度见第章年版的第章

———,(12,200712)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位江苏中能硅业科技发展有限公司青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分

:、

公司亚洲硅业青海有限公司内蒙古神舟硅业有限责任公司新特能源股份有限公司宜昌南玻硅材

、()、、、

料有限公司洛阳中硅高科技有限公司新疆大全新能源股份有限公司鄂尔多斯多晶硅业有限公司内

、、、、

蒙古盾安光伏科技有限公司新疆协鑫新能源材料科技有限公司乐山市产品质量监督检验所山东大

、、、

海新能源发展有限公司

。

本标准起草人胡伟耿全荣胡自强鲁文锋柳德发薛心禄蔡延国尹东林宗凤云邱艳梅

:、、、、、、、、、、

刘国霞高明楚东旭刘翠王瑞姚利忠梁洪唐珊珊王佳

、、、、、、、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T4059—1983、GB/T4059—2007。

Ⅱ

GB/T4059—2018

硅多晶气氛区熔基磷检验方法

1范围

本标准规定了多晶硅中基磷含量的检验方法

。

本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基磷含量原子数的测定测定范围为13-3

(),0.01×10cm~

13-3

500×10cm。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1550

硅单晶电阻率测定方法

GB/T1551

硅多晶真空区熔基硼检验方法

GB/T4060

氩

GB/T4842

纯氮高纯氮和超纯氮

GB/T8979、

电子级水

GB/T11446.1—2013

半导体材料术语

GB/T14264