标准解读

《GB/T 35309-2017 用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程》是一项国家标准,主要规定了使用区熔法与光谱分析技术对颗粒状多晶硅进行质量评价的方法。该标准适用于光伏产业、半导体材料加工等领域中对于原材料品质控制的需求。

根据此标准,首先明确了样品制备的要求。需要从待测批次中随机抽取具有代表性的样本,并确保这些样本能够真实反映整个批次的质量状况。此外,还详细描述了如何通过适当的物理方法将所取得的大块样品破碎成适合进一步测试的小颗粒。

接下来,标准介绍了区熔提纯的过程。这是一种基于不同元素在固液界面溶解度差异而实现杂质分离的技术。通过对特定区域加热至熔化状态然后缓慢冷却,可以使大部分杂质集中于某一部分或被去除,从而达到提高材料纯度的目的。在此过程中,需严格按照设定条件操作以保证结果准确性。

之后,利用光谱分析技术测定提纯后样品中的各种元素含量。这一步骤通常涉及原子吸收光谱法(AAS)、电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)或其他类似手段,旨在精确测量出目标元素的具体浓度值。同时,也提供了数据处理及报告编制的相关指导原则。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2017-12-29 颁布
  • 2018-07-01 实施
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GB/T 35309-2017用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程_第1页
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文档简介

ICS77040

H17.

中华人民共和国国家标准

GB/T35309—2017

用区熔法和光谱分析法评价

颗粒状多晶硅的规程

Practiceforevaluationofgranularpolysiliconby

melter-zonerandspectroscopies

2017-12-29发布2018-07-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T35309—2017

前言

本标准按照给出的规则起草的

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位江苏中能硅业科技发展有限公司新特能源股份有限公司天津市环欧半导体材

:、、

料技术有限公司青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司洛阳中硅高科技有限公司

、、。

本标准主要起草人王桃霞刘晓霞耿全荣鲁文锋柳德发胡伟邱艳梅银波由佰玲秦榕

:、、、、、、、、、、

严大洲

GB/T35309—2017

用区熔法和光谱分析法评价

颗粒状多晶硅的规程

1范围

本标准规定了用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的代位碳原子浓度施主杂质浓度和受主

杂质浓度的方法

本标准适用于尺寸为的颗粒状多晶硅其他尺寸的颗粒状多晶硅可参照本标

600μm~3000μm,

准执行

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

化学试剂氢氟酸

GB/T620

化学试剂盐酸

GB/T622

化学试剂硝酸

GB/T626

硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T1558

硅多晶气氛区熔基磷检验方法

GB/T4059

GB/T4842

固体化工产品采样通则

GB/T6679

电子级水

GB/T11446.1

半导体材料术语

GB/T14264

低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中族杂质含量的测试方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

洁净室及相关受控环境第部分空气洁净度等级

GB/T25915.11:

用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

GB/T29057

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

将颗粒硅装入高纯石英管内在石英管的下方通入高纯氩气颗粒硅在氩气作用下处于流态化调

,,,

节线圈位置和功率使颗粒硅逐渐地粘附在熔化的硅棒或籽晶上制备成多晶硅棒采用

,(),。GB/T4059,

氩气氛围中在单晶籽晶的作用下利用区域熔解将多晶硅棒熔炼生长成为单晶棒采用

,,。GB/T1558

和中规定的方法测定代位碳和施主杂质浓度受主杂质浓度

GB/T24581

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