标准解读
《GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法》是一项国家标准,旨在规范利用二次离子质谱技术(SIMS)对硅材料中砷元素进行深度分布测量的方法。该标准适用于半导体行业中对于掺杂剂浓度及其在硅基体内的分布情况进行精确表征的需求场景。
根据此标准,首先需要准备样品,通常采用的是单晶硅片,并通过适当的方式引入砷作为掺杂物。接着,在使用SIMS技术之前,需确保仪器状态良好且校准准确。实验过程中,通过溅射去除表面层并同时收集产生的二次离子信号来获取数据。其中,关键参数包括但不限于:初级离子束的能量、角度以及电流密度等,这些都会影响到最终结果的准确性与可靠性。
数据处理阶段,依据所获得的质量分辨率下的特定同位素比值信息,结合已知的标准曲线或参考物质来进行定量分析。此外,还应考虑基体效应等因素可能带来的干扰,并采取相应措施加以修正。
整个过程强调了实验条件的一致性控制及数据分析方法的选择,以保证不同实验室之间结果具有良好的可比性和重复性。通过遵循本标准提供的指导原则和技术要求,可以有效地提高硅中砷含量测定的精度和可信度,为相关领域的科学研究与工业生产提供有力支持。
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....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2016-02-24 颁布
- 2017-01-01 实施
文档简介
ICS7104040
G04..
中华人民共和国国家标准
GB/T32495—2016/ISO124062010
:
表面化学分析二次离子质谱
硅中砷的深度剖析方法
Surfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—
Methodfordepthprofilingofarsenicinsilicon
(ISO12406:2010,IDT)
2016-02-24发布2017-01-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T32495—2016/ISO124062010
:
目次
前言
…………………………Ⅰ
引言
…………………………Ⅱ
范围
1………………………1
规范性引用文件
2…………………………1
术语和定义
3………………1
符号和缩略语
4……………1
原理
5………………………2
参考物质
6…………………2
用于校准相对灵敏度因子的参考物质
6.1……………2
用于校准深度的参考物质
6.2…………2
仪器
7………………………2
二次离子质谱仪
7.1……………………2
触针式轮廓仪
7.2………………………2
光学干涉仪
7.3…………………………2
样品
8………………………2
步骤
9………………………2
二次离子质谱仪的调整
9.1……………2
优化二次离子质谱仪的设定
9.2………………………3
进样
9.3…………………3
被测离子
9.4……………3
样品检测
9.5……………4
校准
9.6…………………4
结果表述
10…………………5
测试报告
11…………………5
附录资料性附录硅中砷深度剖析巡回测试报告
A()…………………6
附录资料性附录深度剖析步骤
B()NISTSRM2134…………………9
参考文献
……………………10
GB/T32495—2016/ISO124062010
:
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准使用翻译法等同采用表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析
ISO12406:2010《
方法
》。
与本标准中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下
:
表面化学分析词汇
———GB/T22461—2008(ISO18115:2001,IDT)
本标准由全国微束标准化技术委员会提出并归口
(SAC/TC38)。
本标准负责起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所
:。
本标准主要起草人马农农陈潇何友琴王东雪
:、、、。
Ⅰ
GB/T32495—2016/ISO124062010
:
引言
本标准为使用二次离子质谱对硅中砷的定量深度剖析
(secondary-ionmassspectrometry,SIMS)
而制定
。
对于定量深度剖析浓度和深度定标都是必不可少的国家标准中规定了硅中硼浓
,。GB/T20176
度的测定方法国际标准[1]中规定了硅中硼深度剖析方法国家标准中规定
。ISO17560。GB/T25186
了离子注入参考物质的相对灵敏度因子的测定方法国家标准中建立了表面化学
(RSF)。GB/T22461
分析领域常规术语和谱学术语的词汇表本标准中硅中砷定量深度剖析方法将会引用这些国家标准
。。
本标准适用于采用二次离子质谱法对单晶硅多晶硅非晶硅中砷元素进行深度剖析及用触针式
、、,
表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法
。
Ⅱ
GB/T32495—2016/ISO124062010
:
表面化学分析二次离子质谱
硅中砷的深度剖析方法
1范围
本标准详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法以及用
,
触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法本标准适用于砷原子浓度范围从163
。1×10atoms/cm~
213的单晶硅多晶硅非晶硅样品坑深在及以上
2.5×10atoms/cm、、,50nm。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
表面化学分析二次离子质谱用均匀掺杂物测定硅中硼的原子浓度
GB/T20176—2006
(ISO14237:2010,IDT)
表面化学分析二次离子质谱由离子注入参考物质确定相对灵敏度因子
GB/T25186—2010
(ISO18114:2003,IDT)
表面化学分析词汇第部分通用术语和谱学用术语
ISO18115-11:(Surfacechemicalanaly-
sis—Vocabulary—Part1:Generaltermsandtermsusedinspectroscopy)
3术语和定义
界定的术语和定义适用于本文件
ISO18115-1。
4符号和缩略语
Ci深度剖析第i个周期时砷原子浓度用单位体积原子个数3表示
,,(atoms/cm)
d深度剖析中求相对灵敏度因子用的深度用厘米表示
,(cm)
di在测试第i个周期时的深度用厘米表示
,(cm)
d坑深用厘米表示
t,(cm)
Ii测试第i个周期时砷离子强度用每秒计数
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