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文档简介
金属前介质()金属间介质层()W塞()钝化层Passivation)受,如B掺入Si中要接受电子Acid:酸激ADIAfterdevelopinspection显后检视AEIAfteretchinginspection蚀后查atomicforcemicroscopy原子力显微atomiclayerdeposition原层淀积:位标记Alignment排一直线,对平:金Aluminum:铝Ammonia氨水fluoride:NHOHsilicon:α,非晶硅(不是多晶硅)放大器AMU原质量数Analog模拟的magnet磁分析器:A(E-m)埃Anisotropic:向异性(如POLY)Antimony(Sb)锑arcchamber起室:防射层Argon(Ar)氩trioxide(AsO)三氧化二砷Arsenic(As)一种干法刻蚀方式:去胶机ASI光去除后检查ASIC特定用途集成电路ration:形貌比(中的深度、宽度比)ATE自检测设备:后段CONTACT后、测前)背面蚀刻晶背面Baseline:标准流程电子束电流Benchmark:基准BGAgridarray高脚封装:双极:扩散用(石英)舟
Cassette装片的晶舟CDcritical关性尺寸,临界尺寸Chamber反室图表Childlot子chiller制冷机Chip(die)晶粒Chip:碎片或芯片。夹子化学机械研磨Coater光阻覆盖(机台)Coating涂,光阻覆盖design(CAD算机辅助设计。Hole接窗Wafer控Correlation:关性。Cp工艺能力,详见。Critical重要层CVD化气相淀积生周期efect:缺陷密度。单位面积内的缺陷数。Defect缺陷淀积Depthof(DOF深。预理Developer显液;显影(机台):Ⅰ)显影设备;Ⅱ显影液显DGdual双门DIfilter离子交换器DIwater去离子水扩散disk靶盘faraday束流测量器Doping掺杂剂降designrulecheck设计规则检查DryClean干date交期ummy挡片/R蚀速率EE设备工程师extendedsource高命离子源外壳气体Non-critical非要:氧:缘line隔离气体Non-critical非要:氧:缘line隔离线junction结junctionspikingn铝刺块阻landingpad层次OOS超规格界线majoritycarriern版Mask光masks,seriesofn实验的material原料matrix矩阵n平值quartz石舟。median中间值记忆体合并BPSG含硼磷的硅玻璃Break中断机内中途停止键cassette晶盒End蚀终点e-shower中性化电子子发生器etch蚀Exhaust排气(将管路中的空气排除)曝光extrantion高吸极FAB工:常指半导体生产的制造工厂。FIBfocusedionbeam聚焦离子束Field场氧化层filament灯丝film:膜,圆片上一层或多层迭加的质。flat平检测器flat:平边capacitanse平带电容:带电压Flatness平度flowcoefficicent:动系数flowvelocity流速计flow:流量计flux:单位时间内流过给定面积的颗粒数焦gap禁带代probe:四点探针台FSG含氟的硅玻璃:功能区Furnace炉管gateoxide:栅氧temperature:玻璃态转换度gateoxide门化层完整性gowning净化服:灰区gyro两方向偏转bake后烘坚烘,softbake软烘)HCIhot热流子注入:densityplasma高密度等离子体heat热交换机High-Voltage高host:主机Hotbake烘
n金属ICPinductiveplasmaMetalVia金接触窗感应等离子体MFG制部ID辨认,鉴定Mid-Current中电流IGBT绝缘门双极晶体管Module部门images去掉图形区域的版:纳米注入(ns):秒植氮硅impurity掺:氮化物刻蚀:质n:气,一种双原子inductive:应等离子体inert:惰性气体NPn-dopedplus(N+)N型掺n-typeadj:n型wellN阱definition定氧化层ohmssquaren欧姆每平方方划槽OMoptic光学显微镜OOC超控制界线lightlydopeddrain轻掺杂漏:晶向一组晶列所指linerdrive直往复运动的向lithographyn制Over过刻valve靶腔装片阀溢Localdefocus局失焦因机:交区台或晶片造成之脏污Overlay测前层与本层之间曝光LOCOS的确度of局部氧化OXSiO二氧化硅Loop巡路poly多硅Lot批PA;钝化层LP(低淀积多晶硅LPPOLYParentlot母主机Particle含尘量微尘粒子equipmentPH黄光或微影设备产能phosphorus(P)n:,一有毒保的金属元素光刻版用于光刻的多数载流子photomask,:反刻photomask,positive:正刻一成套光刻版PVD物气相淀积p-dopedwell阱quadrupole磁焦透镜rate测漏率Queue等时间内介层ILD内属电()静释放膨Fall静释放膨FallTime下时间False假时钟氟乙丙烯显示Overshoot过Variant派License网浮动Panelfiducial板基准导电双扩散型晶体管Gaussian高斯分布hot:热载流子:亲水性:水性:pn结Pod装晶舟与晶片的盒子聚物PORProcessofpost后速器电PMDdielectric电容p-dopedP型重掺杂Photoresisit光阻光阻water纯。半导体生产所用之水。PVD物气相淀积p-dopedwell阱quadrupole磁焦透镜quartz石舟。ueuetime等待时间:此步骤到下一个步骤共停留的时间范围(超出范会出问题)显影前烘焙(PEB)降低或除驻波效/C运作卡SOG是种相当简易的平坦化技术。因为介层材料是以溶剂的形态覆盖在片表面,因此SOG对低起伏外观沟填能力非常好,可以避免纯粹以CVD法作介质层时所面临的孔洞问:工艺是通过LPTEPSBACK,在PLOY侧形成两个侧壁突出的工艺用于源漏区注入的自对准减少由于源漏横向扩散成的沟道效应。LPTEOS主用于及电容氧化层TEOS=Si(OC2H5)
BIST,Built-in内的自测试us总布线arbide碳circuit电路图Circuit电基准专共形开线设计簇布局CM合约制造商COFChipFPC将IC固于柔性线路板上COGGlass将芯偏固定于玻璃上CommonImpedance共阻抗component-分视频Compositevideo-复合视频Concurrent并设计ConstantSource恒源Cooper智能覆铜Crosstalk串阴射线管DC直幅度延Delays延时for可试性设计标焦深DepthOf,分IDOF、前者只有中心,后者包括四角for面向成本的设计forReliability面可靠性的设计DFT,DesignforTest面测试的设计DPIInch点英寸Management动设定管理DVIDigitalVisual(VGA)字接口动态布线DynamicCheck动电性能分析ElectromagneticDisturbance电磁干扰Electromagnetic电噪声EMC,ElctromagneticCompatibilt电兼容Interference电干扰Emulation硬仿真多平面电磁场仿真
Ground地弹反射GUI,GraphicalUser图形户面Harmonica射频微波电路仿真三高频结构电磁场仿真六甲基硅):胶前处理,加片底光胶的粘附性ICCircuit集电路Fiducial电路基准Impedance阻在测试初始电压InputTime输入跃升时间Inverter-逆变器Jumper跳LCDLiquidCrystal液晶显示LiquidCrystal液晶块LEDLight发光二管DesignSuit线性设计软件包LocalFiducial个基准manufacturing制业MCMs,Multi-ChipModules多芯片件MDE,MaxwellDesign合MFG制部NonlinearSuit非性设计件包:NMOS调阈值电压ODB++OpenBase公开数据库原备造商目连接与嵌入名称:正硅乙脂,又称四乙氧基硅(OC2H5→
On-lineDRC在设计规则检查:化层-氮层-氧化层介top顶金属层质用作电容介质下冲Optimetrics优和参数扫描Uniform均匀分布在上FFT,FastTransform快傅里叶变换VDMOS(VerticalDoubleSemiconductor)直频VideoGraphicAnay视图形陈列VIA-VendorAlliance程框架联盟SiO2+2H2O它的设备结和LPSi3N4基本类似。蚀不足硅璃vacuum真空。蒸发器W钨watt(W)瓦。能量单位。周曝光well阱。wet湿法化学腐。wrench扳专业术语A/D[]AnalogDigital,模/字ACMagnitude交流幅度AC交流相位Accuracy精"ActivityModel活模型"AdditiveProcess加工艺附力干扰源AnalogSource模源AOI,AutomatedOptical自动光学检ASIC特殊应用集成电路不的装配版本输Attributes属性AXI,AutomatedInspection自X光查-背光PDP等子显示屏Period周期PeriodicSource周脉冲源LinePAL制式(逐行相制式)PhysicalDesignReuse物设计可重复Integrity电完整性Source分线性源装舟和晶片的盒子输预览PSG硼玻璃脉宽度Pulsed脉电压uiescentLine静线ArrayPlacement极坐标方式元件布局反Refractive射Reticle光Reuse实设计重用RiseTime上时间振,信号的振铃环振荡Rules规则驱动设计uncard运作卡axEngine设系统中嵌入Scratch刮伤DesignEnvironmentSDT,Schematic电路原理设工具:源漏栅,如曝,就是经过一次性曝光得到源漏栅Setting设SettlingTime建立时间ShapeBase以形为基础的无网格布线Shove元器件的推挤布局SI,SignalIntegrity信号完整性Simulation软件仿真草法布线偏Rate斜溶SPC,StaticticalControl统计过程控制Spin旋转Split/Mixed多电源/线的自动分隔Sputter溅射SSO同交换湿刻蚀法的一种系统仿真柔线路板TFTThin薄晶体管domain时TimestepSetting步时间设置time:圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。amage:损伤。对于单晶体来说,有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。:尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺管指在栅压为零的情况下有电流流过晶体管layer:耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。:尽宽度。中提到的耗尽层这个区域的宽。:积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。designexperiments:为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的,所设计的初始工程批验计划。develop:显影(通过化学处理除去曝光区域的光刻胶,形成所需图形的过程)(BH):乙硼烷,一种无色、易挥发、有毒的可燃气体,常用来作为半导体生产中的硼源(CHCL):二氯甲,一种无色,不可燃,不可爆的液体。dichlorosilane(DSC)二氯甲硅烷,一种可燃,有腐蚀性,无色,在潮湿环境下易水解的物质,常用于硅外延或多晶硅的成长,以用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。die:硅片中一个很小的单位,包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。dielectric:Ⅰ)介质,一种绝缘材料;Ⅱ用于陶瓷或塑料封装的表面材料,可以提供电绝缘功能。:扩散层,即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中,在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。disilane:乙硅烷,一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体,燃烧时能产生高火焰,暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时,硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。:推阱,指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。dryetch干刻,指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。effectivelayer:效层厚,指在外延片制造中,载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。EM,电子迁移,指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。:外延层。半导体技术中,在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导材料,这一单晶半导体层即为外延层。downtime:设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。electrostaticdamage静离子损伤etch:腐蚀,运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。:曝光,使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。:特征尺寸,指单个图形的最小物理尺寸。field-effecttransistor(效管。包含源、漏、栅、衬四端,由源经栅到漏的多子流驱动而工作,多子流由栅下的横向电场制。incidenceinterferometer:切线入射干涉仪heteroepitaxy单晶长在不同材料的衬底上的外延方法high-currentimplanter:电流大于注入方式,用于批量生产hign-efficiencyair(HEPA):高效率空气颗粒过滤器,去%大于um的粒经水烘烤的晶片,将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物,称HMDSoxidationn:化,高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应processengineer;、艺工程师、等离子体增强pilotn:行批,用以验证该工艺是否符合规格的片子n:等离子体,用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体chemicalvapor(PECVD):等子体化学气相淀积,低温条件下的等离子淀积工艺oxide:淀,淀积的种工艺beadn麻点,在X下观察到的吸附在低压表面的水珠polarizationn:偏振,描述电磁波下电场矢量方向的术语n多晶硅/金属硅化物,解决高阻的复合栅结构polycrystallinesilicon(poly):多晶硅,高浓度掺杂()硅,能导电。n探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备,用以连接圆片和检测设备。n过控制。半导体制造过程中,对设备或产品规范的控制能力。proximityX-ray近X射线:一种光刻技术,用X射照射置于光刻胶上方的掩膜,从而使对应的光刻胶暴光。quantumdevice量设备。一种电子设备结构,其特性源于电子的波动性。rapidthermalprocessing(RTP)n快热处理(RTP)。recipen菜。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。scanningmicroscope(SEM)电子显微镜(SEM)。SEM:electronmicroscope扫描式电子显微镜半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。(orsquare)n薄电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。onwafer外是蓝宝石衬底硅的原片integration(SSI)小模综合,在单一模块上由到个图案的布局。source原代码,机器代码编译者使用的,输入到程序设计语言里或编码器的代码。spectral光线,光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。spin旋带,在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。sputter溅射刻蚀,从离子轰击产生的表面除去薄膜。堆层错,原子普通堆积规律的背离产生的次空间错误。bath蒸浴,一个大气压下,流动蒸汽或其他温度热源的暴光。responsetime瞬特性时间,大多数流控制器实验中,普通变化段气流刚到特定地带的那个时刻之间的时间。应测试,包括特定的电压、温度、湿度条件。surface表轮廓,指与原片表面垂直的平面的轮廓(没有特指的情况下symptom征,人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。weld断焊,通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊(用于连接盖子温度周期变化,测量出的重复出现相类似的高低温循环。TEOS–四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯,常温下液态。作LPCVD/PECVD生的料。又指用TEOS生长得到的SiO层。易测性,对于一个已给电路来说,哪些测试是适用它的。热积,在超过度的高温下,硅片引入化学掺杂物的过程。thinfilm超薄膜,堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。toluene(CHCH)甲苯。有毒、无色易燃的液体,它不溶于水但溶于酒精和大气。totalfixedcharge下是硅表面不可动电荷密度的总和:氧化层固定电荷密、化层俘获的电荷的密度(、界面负获得电荷密(。trench沟道,深腐蚀区域,用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。tungstenhexafluoride(WF)氟钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF用于淀积硅化物,也可用于钨传导的薄膜当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。via通。使隔着电介质的上下两层金属实现电连接。flat从片的一面直接切下去,用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向,也可用于在处理和雕合过程中的排列晶。processchamber(WPC)对片进行工艺的腔体。window在离晶片中,允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。ColdCathodeFluorescentLight/Tude冷极荧光灯COBBoard通绑定将IC偏固定于印刷线路板上Verification元件确认与跟踪,
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