半导体中杂质能级

半导体物理徐海涛2005-2006半导体中的电子能量状态浅能级杂质GroupIIIandV提供载流子深能级杂质复合中心施主受主电子空穴Ec杂质能带：半导体物理半导体中的电子能量状态缺陷能级半导体中杂质和缺陷能级DefectTypeExamplesPointorZero-DimensionalDefectsVacancyDefectsInterstitialDefectsExtrinsicDefectsLineorOne-DimensionalDefectsStraightDislocations(edgeorscrew)DislocationLoopsAreaorTwo-DimensionalDefectsStackingFaultsTwinsGrainBoundariesVolumeorThree-DimensionalDefectsPrecipitatesVoids半导体物理半导体中的电子能量状态半导体中杂质和缺陷能级PointDefects半导体物理半导体中的电子能量状态半导体中杂质和缺陷能级点缺陷Frenkel缺陷：晶格中的一部分原子会获得足够的能量，挤入晶格原子间的间隙，形成间隙原子，原来的位置成为空位。Schottky缺陷：只在晶格中形成空位而无间隙原子。

晶体中空位比间隙原子多得多。(因为产生Schottky缺陷所需的能量较低）半导体物理半导体中的电子能量状态空位：不饱和键，倾向于接受电子受主间隙原子：4个多余的价电子施主对于III-V族,

如GaAs，除了热振动引起点缺陷外，还会由于Ga，As成分偏离正常的化学计量比（1:1），形成Ga，As空位。半导体中杂质和缺陷能级

对GroupIV的半导体而言

对II-VI族化合物(MX)而言M空位或X间隙原子———受主X空位或M间隙原子———施主半导体物理半导体中的电子能量状态线缺陷:位错(dislocation)位错：刃位错(edgedislocation)和螺位错(screwdislocation)位错对半导体材料的影响可具有施主或受主作用使晶格发生畸变，改变禁带宽度。半导体中杂质和缺陷能级半导体物理半导体中的电子能量状态位错产生的一排多余原子是不饱和键，有一个不成对的电子若失去电子受主俘获电子施主半导体中杂质和缺陷能级深能级半导体物理半导体中的电子能量状态半导体中杂质和缺陷能级PhotoofaStackingFaultScrewdislocation半导体物理半导体中的电子能量状态缺陷能级半导体中杂质和缺陷能级DefectTypeExamplesPointorZero-DimensionalDefectsVacancyDefectsInterstitialDefectsFrenkelDefectsExtrinsicDefectsLineorOne-DimensionalDefectsStraightDislocations(edgeorscrew)DislocationLoopsAreaorTwo-DimensionalDefectsStackingFaultsTwinsGrainBoundariesVolumeorThree-DimensionalDefectsPrecipitatesVoids半导体物理半导体中的电子能量状态Quiz

1.请指出以下这两张图的错误，并说出原因。半导体中杂质和缺陷能级半导体物理半导体中的电子能量状态2。请画出Au在Si中的化学键示意图，并指出Au+Au0Au-Au2-Au3-时的情况。3。请翻阅资料，指出Si中常见缺陷的在禁带中的能级第二章半导体中的电子能量状态半导体的晶格结构和结合性质-->§1.1半导体中的电子状态和能带-->§1.2半导体中电子的运动和有效质量-->§1.3-1.4

回旋共振-->§1.5半导体的能带结构-->§1.6-1.8半