电力电子课件第1章电力电子器件驱动

1.5

电力电子器件器件的驱动1.5.1电力电子器件驱动电路概述1.5.2典型全控型器件的驱动电路11.5电力电子器件器件的驱动1.5.1电力电子1.5.1电力电子器件驱动电路概述使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗。对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现。驱动电路——主电路与控制电路之间的接口21.5.1电力电子器件驱动电路概述驱动电路——主电路与控按控制目标的要求施加开通或关断的信号。对半控型器件只需提供开通控制信号。对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。晶闸管的驱动电路是专为其设计的，通常称为触发电路驱动电路的基本任务：3按控制目标的要求施加开通或关断的信号。晶闸管的驱动驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。

光隔离一般采用光耦合器

磁隔离的元件通常是脉冲变压器光耦合器的类型及接法a)普通型b)高速型c)高传输比型4驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采按照驱动信号的性质分，可分为电流驱动型和电压驱动型。驱动电路具体形式可为分立元件的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路。双列直插式集成电路即将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路。为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。分类5按照驱动信号的性质分，可分为电流驱动型和电压驱动型。分1.5.2

典型全控型器件的驱动电路GTO的开通控制与普通晶闸管相似。GTO关断控制需施加负门极电流。图1-28推荐的GTO门极电压电流波形OttOuGiG1)电流驱动型器件的驱动电路正的门极电流5V的负偏压GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型。(1)GTO61.5.2典型全控型器件的驱动电路图1-28推荐的G直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿。目前应用较广，但其功耗大，效率较低。图1-29典型的直接耦合式GTO驱动电路7直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到提供合适的正反向基极电流以保证GTR可靠导通与关断。实现主电路与控制电路的隔离。自动保护功能。电路尽可能简单、工作稳定可靠、抗干扰能力强。

图1-30理想的GTR基极驱动电流波形(2)GTR一般基极电路应具有如下功能：8提供合适的正反向基极电流以保证GTR可靠导通与关断。图1-开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗。关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压。9开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和GTRGTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分。图1-31GTR的一种驱动电路贝克箝位电路作用：可使GTR导通时处于临界饱和状态10GTRGTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部驱动GTR的集成驱动电路中，THOMSON公司的UAA4002和三菱公司的M57215BL较为常见。UAA4002管脚反向基极电流输出端负电源端（-5V）输出脉冲封锁端输入选择端驱动信号输入端接到GTR的集电极正电源端（10~15V）正向基极电流输出端对GTR基极正向驱动能力为0.5A，反向驱动能力为-3A11驱动GTR的集成驱动电路中，THOMSON公司的UAAUAA4002集成驱动的实际应用12UAA4002集成驱动的实际应用12电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件。为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小。使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15~20V。关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5~-15V）有利于减小关断时间和关断损耗。在栅极串入一只低值电阻可以减小寄生振荡。2)电压驱动型器件的驱动电路13电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件。2)电压驱动型(1)电力MOSFET的一种驱动电路：电气隔离和晶体管放大电路两部分图1-34电力MOSFET的一种驱动电路专为驱动电力MOSFET而设计的混合集成电路有三菱公司的M57918L，其输入信号电流幅值为16mA，输出最大脉冲电流为+2A和-3A，输出驱动电压+15V和-10V。

14(1)电力MOSFET的一种驱动电路：图1-34电力M(2)IGBT的驱动图1-35M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图常用的有三菱公司的M579系列（如M57962L和M57959L）和富士公司的EXB系列（如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851）。

多采用专用的混合集成驱动器。15(2)IGBT的驱动图1-35M57962L型IGBT1.6电力电子器件的保护1.6.1过电压的产生及过电压保护1.6.2过电流保护1.6.3缓冲电路161.6电力电子器件的保护1.6.1过电压的产生及过1.6.1过电压的产生及过电压保护外因过电压：主要来自雷击和系统操作过程等外因操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起雷击过电压：由雷击引起内因过电压：主要来自电力电子装置内部器件的开关过程换相过电压：晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后，反向电流急剧减小，会由线路电感在器件两端感应出过电压。关断过电压：全控型器件关断时，正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。电力电子装置可能的过电压——外因过电压和内因过电压171.6.1过电压的产生及过电压保护外因过电压：主要来自雷1.6.1过电压的产生及过电压保护过电压保护措施图1-37过电压抑制措施及配置位置F避雷器D变压器静电屏蔽层C静电感应过电压抑制电容RC1阀侧浪涌过电压抑制用RC电路RC2阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路RV压敏电阻过电压抑制器RC3阀器件换相过电压抑制用RC电路RC4直流侧RC抑制电路RCD阀器件关断过电压抑制用RCD电路电力电子装置可视具体情况只采用其中的几种。其中RC3和RCD为抑制内因过电压的措施，属于缓冲电路范畴。181.6.1过电压的产生及过电压保护过电压保护措施图1-31.6.2过电流保护过电流——过载和短路两种情况保护措施负载触发电路开关电路过电流继电器交流断路器动作电流整定值短路器电流检测电子保护电路快速熔断器变流器直流快速断路器电流互感器变压器同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性。电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护，过电流继电器整定在过载时动作。图1-37过电流保护措施及配置位置191.6.2过电流保护过电流——过载和短路两种情况负载1.6.2过电流保护全保护：过载、短路均由快熔进行保护，适用于小功率装置或器件裕度较大的场合。短路保护：快熔只在短路电流较大的区域起保护作用。对重要的且易发生短路的晶闸管设备，或全控型器件，需采用电子电路进行过电流保护。常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节，响应最快。快熔对器件的保护方式：全保护和短路保护两种201.6.2过电流保护全保护：过载、短路均由快熔进行保桥臂快熔交流侧快熔直流侧快熔21桥臂快熔交流侧快熔直流侧快熔21例：不用过电压、过电流保护，选用较高电压等级与较大电流等级的晶闸管行不行？为什么？不可以。原因：电路短路时，短路电流一般很大，并且大电流的晶闸管价格昂贵，所以电路中一定要设置过电流保护环节。晶闸管电路在工作时，由于操作过电压、换相过电压以及电网来的浪涌电压，其尖峰值可达到电源电压幅值的好几倍，另外高电压的晶闸管价格昂贵，所以不能用较高电压等级的管子，必须设置过电压保护环节。22例：不用过电压、过电流保护，选用较高电压等级与较大电流等级的1.6.3

缓冲电路关断缓冲电路（du/dt抑制电路）——吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。开通缓冲电路（di/dt抑制电路）——抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。复合缓冲电路——关断缓冲电路和开通缓冲电路的结合。按能量的去向分类法：耗能式缓冲电路和馈能式缓冲电路（无损吸收电路）。通常将缓冲电路专指关断缓冲电路，将开通缓冲电路叫做di/dt抑制电路。缓冲电路(SnubberCircuit)：又称吸收电路，抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。231.6.3缓冲电路缓冲电路(SnubberCirc1.6.3

缓冲电路缓冲电路作用分析无缓冲电路：有缓冲电路：图1-41di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形a)电路b)波形ADCB无缓冲电路有缓冲电路uCEiCO

图1-42关断时的负载线241.6.3缓冲电路缓冲电路作用分析图1-41di/1.6.3

缓冲电路充放电型RCD缓冲电路，适用于中等容量的场合。图1-41di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形a)电路其中RC缓冲电路主要用于小容量器件，而放电阻止型RCD缓冲电路用于中或大容量器件。图1-43另外两种常用的缓冲电路RC吸收电路放电阻止型RCD吸收电路负载251.6.3缓冲电路充放电型RCD缓冲电路，适用于中等吸收二极管VDS必须选用快恢复二极管，其额定电流应不小于主电路器件额定电流的1/10在实际应用中，晶闸管一般采用RC吸收缓冲电路即可负载26吸收二极管VDS必须选用快恢复二极管，其额定电流应不小于主电例：指出图中①~⑥各保护元件的名称及作用①②③④⑤⑥①交流侧RC过电压保护（接成三角形）。作用：用于吸收持续时间短，能量小的尖峰过电压。②桥臂快速熔断器。作用：主要在过流时保护器件27例：指出图中①~⑥各保护元件的名称及作用①②③④⑤⑥①交流侧①②③④⑤⑥③器件的缓冲电路。作用：用于吸收器件的瞬间过电压、抑制du/dt④桥臂电抗。作用：限制桥臂出现过大的di/dt⑤直流侧过电压保护（通常采用压敏电阻）28①②③④⑤⑥③器件的缓冲电路。28①②③④⑤⑥⑥直流过电流继电器作用：当直流电流超过设定值时，继电器动作，使电流减小或切断电源。29①②③④⑤⑥⑥直流过电流继电器291.7电力电子器件的串联和并联使用1.7.1晶闸管的串联1.7.2晶闸管的并联1.7.3电力MOSFET和IGBT并联运行的特点301.7电力电子器件的串联和并联使用1.7.1晶闸管的串联1.7.1晶闸管的串联问题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差异，使器件电压分配不均匀。静态不均压：串联的器件流过的漏电流相同，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等。动态不均压：由于器件动态参数和特性的差异造成的不均压。目的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联。311.7.1晶闸管的串联问题：理想串联希望器件分压相等1.7.1晶闸管的串联静态均压措施：选用参数和特性尽量一致的器件。采用电阻均压，Rp的阻值应比任何一个器件阻断时的正、反向电阻小得多。b)a)RCRCVT1VT2RPRPIOUUT1IRUT2VT1VT2图1-44晶闸管的串联a)伏安特性差异b)串联均压措施动态均压措施：选择动态参数和特性尽量一致的器件。用RC并联支路作动态均压。采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时间的差异。321.7.1晶闸管的串联静态均压措施：b)a)RCRC1.7.2

晶闸管的并联问题：会分别因静态和动态特性参数的差异而电流分配不均匀。

均流措施：挑选特性参数尽量一致的器件。采用均流电抗器。用门极强脉冲触发也有助于动态均流。当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法联接。目的：多个器件并联来承担较大的电流331.7.2晶闸管的并联问题：会分别因静态和动态特性参1.7.3电力MOSFET和IGBT并联运行的特点Ron具有正温度系数，具有电流自动均衡的能力，容易并联。注意选用Ron、UT、gm和Ciss尽量相近的器件并联。电路走线和布局应尽量对称。可在源极电路中串入小电感,起到均流电抗器的作用。IGBT并联运行的特点在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态压降具有负温度系数。在以上的区段则具有正温度系数。并联使用时也具有电流的自动均衡能力，易于并联。电力MOSFET并联运行的特点通态电阻输入电容341.7.3电力MOSFET和IGBT并联运行的特点Ron具有

（1）吸收晶闸管瞬间过电压（2）限制电流上升率（3）动态均压作用。例：在晶闸管两端并联R、C吸收回路的主要作用有哪些？35例：在晶闸管两端并联R、C吸收回路的主要作本章小结1、电力电子器件类型归纳（1）按器件能够被控制的程度：不可控型、半控型、全控型器件（2）按驱动电路信号的性质：电流型和电压型（3）按内部载流子的数量：单极型、双极型、复合型器件36本章小结1、电力电子器件类型归纳36本章小结2、电力二极管的工作原理、基本特性及参数3、晶闸管的工作原理、基本特性及参数4、典型的全控型器件5、电力电子器件的驱动6、电力电子器件的保护7、电力电子器件的串联和并联37本章小结2、电力二极管的工作原理、基本特性及参数37本章小结

IGBT为主体，第四代产品，制造水平2.5kV/1.8kA，兆瓦以下首选。仍在不断发展，与IGCT等新器件激烈竞争，试图在兆瓦以上取代GTO。GTO：兆瓦以上首选，制造水平6kV/6kA。光控晶闸管：功率更大场合，8kV/3.5kA，装置最高达300MVA，容量最大。电力MOSFET：长足进步，中小功率领域特别是低压，地位牢固。功率模块和功率集成电路是现在电力电子发展的一个共同趋势。当前的格局:38本章小结当前的格局:381、在晶闸管两端并联R、C吸收回路的主要作用有哪些？2、指出图中①~⑥各保护元件的名称及作用3、判断题（1）当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先并后串的方法联接。

（）（2）两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低不能胜用电路电压要求而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。

（

）第4次作业①②③④⑤⑥391、在晶闸管两端并联R、C吸收回路的主要作用有哪些？第41.5

电力电子器件器件的驱动1.5.1电力电子器件驱动电路概述1.5.2典型全控型器件的驱动电路401.5电力电子器件器件的驱动1.5.1电力电子1.5.1电力电子器件驱动电路概述使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗。对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现。驱动电路——主电路与控制电路之间的接口411.5.1电力电子器件驱动电路概述驱动电路——主电路与控按控制目标的要求施加开通或关断的信号。对半控型器件只需提供开通控制信号。对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。晶闸管的驱动电路是专为其设计的，通常称为触发电路驱动电路的基本任务：42按控制目标的要求施加开通或关断的信号。晶闸管的驱动驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。

光隔离一般采用光耦合器

磁隔离的元件通常是脉冲变压器光耦合器的类型及接法a)普通型b)高速型c)高传输比型43驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采按照驱动信号的性质分，可分为电流驱动型和电压驱动型。驱动电路具体形式可为分立元件的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路。双列直插式集成电路即将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路。为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。分类44按照驱动信号的性质分，可分为电流驱动型和电压驱动型。分1.5.2

典型全控型器件的驱动电路GTO的开通控制与普通晶闸管相似。GTO关断控制需施加负门极电流。图1-28推荐的GTO门极电压电流波形OttOuGiG1)电流驱动型器件的驱动电路正的门极电流5V的负偏压GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型。(1)GTO451.5.2典型全控型器件的驱动电路图1-28推荐的G直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿。目前应用较广，但其功耗大，效率较低。图1-29典型的直接耦合式GTO驱动电路46直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到提供合适的正反向基极电流以保证GTR可靠导通与关断。实现主电路与控制电路的隔离。自动保护功能。电路尽可能简单、工作稳定可靠、抗干扰能力强。

图1-30理想的GTR基极驱动电流波形(2)GTR一般基极电路应具有如下功能：47提供合适的正反向基极电流以保证GTR可靠导通与关断。图1-开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗。关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压。48开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和GTRGTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分。图1-31GTR的一种驱动电路贝克箝位电路作用：可使GTR导通时处于临界饱和状态49GTRGTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部驱动GTR的集成驱动电路中，THOMSON公司的UAA4002和三菱公司的M57215BL较为常见。UAA4002管脚反向基极电流输出端负电源端（-5V）输出脉冲封锁端输入选择端驱动信号输入端接到GTR的集电极正电源端（10~15V）正向基极电流输出端对GTR基极正向驱动能力为0.5A，反向驱动能力为-3A50驱动GTR的集成驱动电路中，THOMSON公司的UAAUAA4002集成驱动的实际应用51UAA4002集成驱动的实际应用12电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件。为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小。使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15~20V。关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5~-15V）有利于减小关断时间和关断损耗。在栅极串入一只低值电阻可以减小寄生振荡。2)电压驱动型器件的驱动电路52电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件。2)电压驱动型(1)电力MOSFET的一种驱动电路：电气隔离和晶体管放大电路两部分图1-34电力MOSFET的一种驱动电路专为驱动电力MOSFET而设计的混合集成电路有三菱公司的M57918L，其输入信号电流幅值为16mA，输出最大脉冲电流为+2A和-3A，输出驱动电压+15V和-10V。

53(1)电力MOSFET的一种驱动电路：图1-34电力M(2)IGBT的驱动图1-35M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图常用的有三菱公司的M579系列（如M57962L和M57959L）和富士公司的EXB系列（如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851）。

多采用专用的混合集成驱动器。54(2)IGBT的驱动图1-35M57962L型IGBT1.6电力电子器件的保护1.6.1过电压的产生及过电压保护1.6.2过电流保护1.6.3缓冲电路551.6电力电子器件的保护1.6.1过电压的产生及过1.6.1过电压的产生及过电压保护外因过电压：主要来自雷击和系统操作过程等外因操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起雷击过电压：由雷击引起内因过电压：主要来自电力电子装置内部器件的开关过程换相过电压：晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后，反向电流急剧减小，会由线路电感在器件两端感应出过电压。关断过电压：全控型器件关断时，正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。电力电子装置可能的过电压——外因过电压和内因过电压561.6.1过电压的产生及过电压保护外因过电压：主要来自雷1.6.1过电压的产生及过电压保护过电压保护措施图1-37过电压抑制措施及配置位置F避雷器D变压器静电屏蔽层C静电感应过电压抑制电容RC1阀侧浪涌过电压抑制用RC电路RC2阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路RV压敏电阻过电压抑制器RC3阀器件换相过电压抑制用RC电路RC4直流侧RC抑制电路RCD阀器件关断过电压抑制用RCD电路电力电子装置可视具体情况只采用其中的几种。其中RC3和RCD为抑制内因过电压的措施，属于缓冲电路范畴。571.6.1过电压的产生及过电压保护过电压保护措施图1-31.6.2过电流保护过电流——过载和短路两种情况保护措施负载触发电路开关电路过电流继电器交流断路器动作电流整定值短路器电流检测电子保护电路快速熔断器变流器直流快速断路器电流互感器变压器同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性。电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护，过电流继电器整定在过载时动作。图1-37过电流保护措施及配置位置581.6.2过电流保护过电流——过载和短路两种情况负载1.6.2过电流保护全保护：过载、短路均由快熔进行保护，适用于小功率装置或器件裕度较大的场合。短路保护：快熔只在短路电流较大的区域起保护作用。对重要的且易发生短路的晶闸管设备，或全控型器件，需采用电子电路进行过电流保护。常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节，响应最快。快熔对器件的保护方式：全保护和短路保护两种591.6.2过电流保护全保护：过载、短路均由快熔进行保桥臂快熔交流侧快熔直流侧快熔60桥臂快熔交流侧快熔直流侧快熔21例：不用过电压、过电流保护，选用较高电压等级与较大电流等级的晶闸管行不行？为什么？不可以。原因：电路短路时，短路电流一般很大，并且大电流的晶闸管价格昂贵，所以电路中一定要设置过电流保护环节。晶闸管电路在工作时，由于操作过电压、换相过电压以及电网来的浪涌电压，其尖峰值可达到电源电压幅值的好几倍，另外高电压的晶闸管价格昂贵，所以不能用较高电压等级的管子，必须设置过电压保护环节。61例：不用过电压、过电流保护，选用较高电压等级与较大电流等级的1.6.3

缓冲电路关断缓冲电路（du/dt抑制电路）——吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。开通缓冲电路（di/dt抑制电路）——抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。复合缓冲电路——关断缓冲电路和开通缓冲电路的结合。按能量的去向分类法：耗能式缓冲电路和馈能式缓冲电路（无损吸收电路）。通常将缓冲电路专指关断缓冲电路，将开通缓冲电路叫做di/dt抑制电路。缓冲电路(SnubberCircuit)：又称吸收电路，抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。621.6.3缓冲电路缓冲电路(SnubberCirc1.6.3

缓冲电路缓冲电路作用分析无缓冲电路：有缓冲电路：图1-41di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形a)电路b)波形ADCB无缓冲电路有缓冲电路uCEiCO

图1-42关断时的负载线631.6.3缓冲电路缓冲电路作用分析图1-41di/1.6.3

缓冲电路充放电型RCD缓冲电路，适用于中等容量的场合。图1-41di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形a)电路其中RC缓冲电路主要用于小容量器件，而放电阻止型RCD缓冲电路用于中或大容量器件。图1-43另外两种常用的缓冲电路RC吸收电路放电阻止型RCD吸收电路负载641.6.3缓冲电路充放电型RCD缓冲电路，适用于中等吸收二极管VDS必须选用快恢复二极管，其额定电流应不小于主电路器件额定电流的1/10在实际应用中，晶闸管一般采用RC吸收缓冲电路即可负载65吸收二极管VDS必须选用快恢复二极管，其额定电流应不小于主电例：指出图中①~⑥各保护元件的名称及作用①②③④⑤⑥①交流侧RC过电压保护（接成三角形）。作用：用于吸收持续时间短，能量小的尖峰过电压。②桥臂快速熔断器。作用：主要在过流时保护器件66例：指出图中①~⑥各保护元件的名称及作用①②③④⑤⑥①交流侧①②③④⑤⑥③器件的缓冲电路。作用：用于吸收器件的瞬间过电压、抑制du/dt④桥臂电抗。作用：限制桥臂出现过大的di/dt⑤直流侧过电压保护（通常采用压敏电阻）67①②③④⑤⑥③器件的缓冲电路。28①②③④⑤⑥⑥直流过电流继电器作用：当直流电流超过设定值时，继电器动作，使电流减小或切断电源。68①②③④⑤⑥⑥直流过电流继电器291.7电力电子器件的串联和并联使用1.7.1晶闸管的串联1.7.2晶闸管的并联1.7.3电力MOSFET和IGBT并联运行的特点691.7电力电子器件的串联和并联使用1.7.1晶闸管的串联1.7.1晶闸管的串联问题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差异，使器件电压分配不均匀。静态不均压：串联的器件流过的漏电流相同，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等。动态不均压：由于器件动态参数和特性的差异造成的不均压。目的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联。701.7.1晶闸管的串联问题：理想串联希望器件分压相等1.7.1晶闸管的串联静态均压措施：选用参数和特性尽量一致的器件。采用电阻均压，Rp的阻值应比任何一个器件阻断时的正、反向电阻小得多。b)a)RCRCVT1VT2RPRPIOUUT1IRUT2VT1VT2图1-44晶闸管的串联a)伏安特性差异b)串联均压措施动态均压措施：选择动态参数和特性尽量一致的器件。用RC并联支路作动态均压。采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时