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太阳能电池制作流程20090318熊飞太阳电池的制造过程硅片检验Waferincominginspection蚀刻和表面制绒Wetetchandsurfacetexture磷扩散POCL3emitterdiffusion去除磷硅玻璃PSGremoval抗反射层镀膜SiNxARCdepositiononfront前面电极印刷和干燥FrontAgscreenprintanddry背面电极印刷和干燥RearAgscreenprintanddry背面电场印刷和干燥RearAlscreenprintanddry前后面金属接触共烧结Front&Rearcontactco-firing激光边缘结隔离Laserisolation光电检测和分类Photoelectrictestandsort入库和出货Storageandshippment太阳电池制造过程-硅片检验硅片来料检验外观Appearance半导体导电极性Siconductiontype电阻率Resistivity中心厚度Centralthickness平均厚度Averagethickness表面平坦度/总厚度偏差TTV(totalthicknessvariation)翘曲度Bow少数载流子寿命Minoritycarrierlifetime边长/直径Lengthwaferedges/Diameter太阳电池制造过程-蚀刻制绒单晶硅碱蚀刻多晶硅酸蚀刻10um10um太阳电池制造过程-扩散扩散制程目的:形成PN结.扩散机台:TempressTubeFurnace(TS81254)原理:分为两个过程预沉积4POCl3+3O22P2O5+6Cl2(800-900℃)磷驱入2P2O5+5Si4P+5SiO2(850-950℃)扩散深度0.3-0.5um扩散方块电阻50-80ohm/sq.太阳电池制造过程-去除磷硅玻璃制程目的:去除含磷的二氧化硅层.蚀刻机台:RENAInOx原理:6HF+SiO2H2SiO6+2H2O(25℃)流程为:HF去除氧化层DIW洗净热风吹干.蚀刻速率选择比:ER(SiO2)/ER(Si)~100太阳电池制造过程-PECVDPECVD制程目的:沉积抗反射膜(ARC)沉积机台:OTBDEPx1500原理:NH3+SiH4(400-500℃)SiNx+H2流程为:硅片装入加热沉积SiNx冷却破片清扫硅片卸出沉积厚度:~80nm.太阳电池制造过程-印刷烧结FrontsidebusbarFrontsidefingerRearsidebusbar太阳电池制造过程-测试分类光电测试原理:利用模拟太阳光照射测量电池的输出电学参数.光电测试条件:温度25℃,光谱分布AM1.5,光强1000W/m2.光电测试主要参数短路电流Isc开路电压Voc最大功率Pm

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