2019光伏电池材料

一、单项选择题(共10道试题，共20分。)题目1还未回答满分2.00未标记标记题目题干一般热处理时的原子扩散主要与()有关A.位错B.晶界C.空位D.以上都不是题目2还未回答满分2.00未标记标记题目题干关于二氧化硅以下说法错误的是()ASO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快B.能与HF反应C.制造冶金硅的主要原料之一D.石英是地壳中分布很少的矿物题目3还未回答满分2.00未标记标记题目题干硅晶体的解理面有()｛111｝晶面和｛100｝晶面｛112｝晶面和｛110｝晶面｛111｝晶面和｛110｝晶面｛110｝晶面和｛100｝品面题目4还未回答满分2.00未标记标记题目题干多晶硅属于()A.金刚石结构B.简单立方结构C.面心立方结构D.体心立方结构题目5还未回答射、弹性、硬度等题目40还未回答满分3.00未标记标记题目题干将各类晶体缺陷与实例一一对应。(1)点缺陷一一空白(2)线缺陷空白(3)面缺陷一一空白吸附时不发生任何化学变化，是()。A.化学吸附B.以上皆不是C.物理吸附D.不可逆过程题目2还未回答满分2.00未标记标记题H题干晶体生长过程中产生的缺陷称为()。A.二次缺陷B.点缺陷C.原生长缺陷D.诱生缺陷题目3还未回答满分2.00未标记标记题目题干区熔法制备单晶硅时，需要()OA.不需要用烟B.需要一个石英用烟和一个石墨用烟C.需要一个石英坤烟用于溶化D.需要一个石墨土甘期题目4还未回答满分2.00未标记标记题目题干生产直拉单晶硅生产时，单晶炉内需要通入()作为保护气体炉体内通常是OoA.常压的空气B.低压的氤气C.氧气低压的空气D.低压的氮气氢气题目5还未回答满分2.00未标记标记题目题干O是生产太阳能级硅材料的主要技术。A.冶金法B.四氯化硅金属还原法C.改良西门子法D.二氧化硅高纯试剂还原法题目6还未回答满分2.00未标记标记题目题干关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是()A.取决于硼的含量B.几乎无法效果去除C.取决于温度效果显著D.效果一般完全去除题目7还未回答满分2.00未标记标记题目题干太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是()oA.空位B.杂质原子C.位错D.二次缺陷题目8还未回答满分2.00未标记标记题目题干微电子工业和单晶硅太阳电池的生产的特点在于OOA.两者可以采用同样的高纯多晶硅作为原料B.前者主要采用FZ硅，而后者主要采用CZ硅C.后者采用直拉法或区熔法单晶硅，而前者不是D.从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要题目9还未回答满分2.00未标记标记题目题干金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是()O{100}面{110}面{101}面面题目10还未回答满分2.00未标记标记题目题干关于分子筛说法错误的是OoA.分子筛晶体内有许多孔径均匀的孔道和排列整齐的孔穴，提供了大量的比表面B.也叫合成沸石C.具有极性D.对非极性分子具有较强的亲和力关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是()OA.被两条曲线分为三个区域B.升温到气相线上，正好产生第一个气泡，故气相线又称为泡点曲线C.降温到液相线，产生第一个液滴，故液相线称为露点曲线D.降温到液相线上，正好产生第一个气泡，故液相线又称为泡点曲线题目12还未回答满分3.00未标记标记题目题干CZ法产生位错的环节和方式有()oA.籽晶中的位错延伸、增殖B.晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力C.单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力D.籽晶表面损伤、机械磨损裂痕题目13还未回答满分3.00未标记标记题目题干大热场的石墨片烟往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于()OA.降低成本B.方便安装C.防止石墨用土区被膨胀的石英用烟撑破D.吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力，从而减少漏硅的危险题目14还未回答满分3.00未标记标记题目题干关于晶转说法正确的是（）。A.在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动B.晶体和用堪的旋转方向相同，以改善热场的对称性C.过高的晶转会使固液界的形状太凹D.吊索和晶体出现共振时效果最好题目15还未回答满分3.00未标记标记题目题干磷在硅中很容易去除，在于（）。A.磷在硅中的分配系数小于1B.磷的密度小C.磷的熔点低D.磷在硅熔液中很快得到蒸发题目16还未回答满分3.00未标记标记题目题干无培土区区域提纯（）oA.熔硅不会流动是由于其很大的表面张力B,也可用于晶体生长C.避免了坨烟的污染D.硅也能采用水平区域提纯法题目17还未回答满分3.00未标记标记题目题干工业硅生产过程中，要注意的是（）。A.及时捣炉，帮助沉料B.及时调整配料比，保持适宜的SiO2与碳的分子比C.保持料层有良好的透气性，及时排除反应生成的气体D.通过选择合理的炉子结构参数和电气参数，保证反应区有足够高的温度题目18还未回答满分3.00未标记标记题目题干化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括OOA.区域提纯B.中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅C.中间化合物的合成D.中间化合物的分离提纯题目19还未回答满分3.00未标记标记题目题干位错影响说法正确的是OoA.刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子B.位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心C.刃型位错也可能作为一排受主D.位错能够改变载流子浓度题目20还未回答满分3.00未标记标记题目题干直拉单晶炉的主室包括()oA.石墨加热器B.石墨用烟C.热绝缘筒和地盘D.石英珀竭三、判断题(共10道试题，共20分。)题目21还未回答满分2.00未标记标记题目题干闭路循环系统是指生产中的各种物料得到充分的利用，排出的废料极少。选择一项：对错题目22还未回答满分2.00未标记标记题目题干改良西门子法是一个闭路循环系统，多晶硅生产中的各种无聊得到充分的利用，排出的废料极少。选择一项：对错题目23还未回答满分2.00未标记标记题目题干只通过湿法冶金技术来提纯硅材料，是很难将工业硅提纯到满足制作太阳能电池所需的要求。选择一项：对错题目24还未回答满分2.00未标记标记题目题干单位长度位错线的能量正比于柏格斯矢量长度。选择一项：对错题目25还未回答满分2.00未标记标记题目题干由于能量的原因，晶体中空位和自间隙原子在一定温度下的平衡浓度是一定的。选择一项：对错题目26还未回答满分2.00未标记标记题目题干冶金法制备高纯多晶硅与改良西门子法相比，前者的成本更低，但是电耗更多。选择一项：对错题目27还未回答满分2.00未标记标记题目题干精像是实现多级部分汽化和多级部分冷凝的实用技术。选择一项：对错题目28还未回答满分2.00未标记标记题目题干改良西门子法的原料主要是硅石。选择一项：对错题目29还未回答满分2.00未标记标记题目题干FZ硅占领了85%以上的硅单晶市场。选择一项：对错题目30还未回答满分2.00未标记标记题目题干化学提纯时，中间化合物提纯到所需要的纯度后，在后续的还原工艺要求不需要很高。选择一项：对错上一页将Cz法中的工艺与描述一一对应。(1)缩颈生长一一空白(2)放肩生长一一空白(3)等径生长一一空白A.减少位错B.硅片取材的部位C.肩部夹角接近180。，这样可以提高多晶硅的利用率题目32还未回答满分3.00未标记标记题目题干将硅中的微小的缺陷与描述一一对应。(1)红外散射缺陷(LSTDs)空白(2)流水花样缺陷(FPDs)空白(3)晶体原生颗粒缺陷(COPs)空白A.随着拉速的增加而增加B.过饱和空位凝聚而成的空位团C.拉速越慢，LSTDs密度越低题目33还未回答满分3.00未标记标记题目题干将氧的存在方式及其描述一一对应。(1)热施主空白(2)新施主一空白(3)氧沉淀空白A.热处理温度处于550〜850CB.处理温度处于300〜500℃C.适当的温度下进行热处理时会脱溶题目34还未回答满分3.00未标记标记题目题干将工业硅生产过程中的注意事项与作用一一对应。(1)保持适宜的Si02与碳的分子比空白(2)保证反应区有足够高的温度一一空白(3)及时捣炉，帮助沉料一一空白A.避免炉内过热造成硅的挥发或再氧化生成SiOB.分解生成的SiC使反应向有利于生成硅的方向进行C.防止过多的SiC生成题目35还未回答满分3.00未标记标记题目题干将工业硅的应用与用量一一对应。(1)生产合金空白（2）有机硅一一空白空白（3）半导体器件和太阳能电池A.5%B.40%C.55%题目36还未回答空白满分3.00未标记标记题B题干将元素及其在硅熔体中的分凝系数一一对应。0—空白C——空白B——空白A.1.25B.0.07C.0.8题目37还未回答满分3.00未标记标记题目题干将工艺与提纯方法一一对应。（1）硅烷法——空白（2）改良西门子法一一空白（3）冶金空白A.精储B.吸附C.物理提纯题目38还未回答满分3.00未标记标记题目题干将吸附的设备与工艺一一对应。（1）流体和固体吸附剂置于同一容器内一一空白（2）固定吸附床一一空白（3）移动吸附器一一空白A.半连续操B.连续操作C.间歇操作

题目39还未回答满分3.00未标记标记题B题干将FZ单晶硅中的杂质与描述一一对应。0—空白C——空白N空白A.危害大B.浓度低，影响小C.增强机械性能题目40还未回答满分3.00未标记标记题目题干将化学反应与作用一一对应。SiHCI3+H2-Si+3HCI空白Si+3HCI-SiHCI3+H2空白3SiO2+2SiC=Si+4SiOt+2COt空白一、单项选择题(共10一、单项选择题(共10道试题,一、单项选择题(共10道试题,一、单项选择题(共10道试题,共20分。)题目一、单项选择题(共10道试题,共20分。)未标记标记题目题干用于测试硅片中少数载流子类型的测试是()。A.四探针法B.显微镜观察法C.整流法D.X射线法题目2还未回答满分2.00未标记标记题目题干目前最常用的硅片的尺寸为Oo100mmX100mm125mmX125mm210mmX210mm156mmX156mm满分2.00未标记标记题目题干正温度梯度与负温度梯度相比，（）oA.负温度梯度有利于完整晶体的生长B,正温度梯度容易产生枝晶生长C.正温度梯度是指液相温度随离液-固界面的距离增大而降低D.正温度梯度时结晶潜热只能通过固相而散出，相界面的推移速度受固相传热速度所控制题目6还未回答满分2.00未标记标记题目题干西门子法作为硅的提纯工艺，所用的原料主要是（）95%-99%的冶金级硅99.999999999%（11个9）的为电子级硅P型硅半导体99.9999%（6个9）的为太阳能级硅题目7还未回答满分2.00未标记标记题目题干关于四氯化硅以下说法错误的是（）A.可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用B.不溶于苯、氯仿、石油醴等多数有机溶剂C.无色而有刺鼻气味的液体D.熔点-70C,沸点57.6℃题目8还未回答满分2.00未标记标记题目题干以下（）不是自然界中的硅同位素。28Si30Si32Si29Si题目9还未回答满分2.00未标记标记题目题干关于位错密度说法错误的是（）o题目3还未回答满分2.00未标记标记题B题干硅的熔点约为()O2200℃800℃1420℃1200℃题目4还未回答满分2.00未标记标记题B题干铸造多晶硅现在通称为()OA.以上都不对mc-Sifz-Sicz-Si题目5还未回答满分2.00未标记标记题目题干一般制造一个重量为250〜300kg的铸造多晶硅锭需要()时间。25-35h15-25h35-45h55-65h题目6还未回答满分2.00未标记标记题目题干生产1kg铸造多晶硅所需的能耗是()kWhoA.以上都不对8-153000%18-40题目7还未回答满分2.00未标记标记题目题干单晶硅片的电阻率一般控制在()O2~4•cm左右1~3•cm左右0.5〜2•cm左右0.1~0.3•cm左右题目8还未回答满分2.00未标记标记题目题干铸造多晶硅制备目前最常用的方法是OoA.电磁铸锭法B.布里奇曼法C.热交换法D.浇铸法题目9还未回答满分2.00未标记标记题目题干铸造多晶硅的晶粒的大小一般为()O100口m左右10mm左右10cm左右1mm左右题目10还未回答满分2.00未标记标记题目题干最常用于测试半导体材料电阻率的方法是()oA.扩展电阻法B.范德堡法C.两探针法D.四探针法具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为()O<210)晶向{110}晶面族{111}晶面族〈111〉晶向口00}<110>晶向晶面族{211)<211)晶面族晶向题目12还未回答满分3.00未标记标记题B题干无用土另区域提纯()OA.硅也能采用水平区域提纯法B.熔硅不会流动是由于其很大的表面张力C.避免了用烟的污染D.也可用于晶体生长题目13还未回答满分3.00未标记标记题B题干以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于()OA.物理.吸附的进行吸附是可逆的B.升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的C.化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发D.脱咐的进行物理吸附是不可逆的题目14还未回答满分3.00未标记标记题目题干关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是()。A.被两条曲线分为三个区域B.降温到液相线，产生第一个液滴，故液相线称为露点曲线C.升温到气相线上，正好产生第一个气泡，故气相线又称为泡点曲线D.降温到液相线上，正好产生第一个气泡，故液相线又称为泡点曲线题目15还未回答满分3.00未标记标记题目题干关于晶转说法正确的是()。A.在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动B.晶体和生烟的旋转方向相同，以改善热场的对称性C.吊索和晶体出现共振时效果最好D.过高的晶转会使固液界的形状太凹题目16还未回答满分3.00未标记标记题目题干大热场的石墨片烟往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于OOA.方便安装B.降低成本C.防止石墨土甘烟被膨胀的石英生烟撑破D.吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力，从而减少漏硅的危险题目17还未回答满分3.00未标记标记题目题干关于硅粉与氯化氢合成三氯氢硅的生产工艺说法正确的是()oA.要加热到所需温度才能进行B.吸热反应C.温度升高后反而将影响产品收率D.放热反应题目18还未回答满分3.00未标记标记题目题干工业吸附对于吸附剂的要求包括()oA.具有一定的机械强度，抗磨损B.选择性高C.具有较大的内表面，吸附容量大D.有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀题目19还未回答满分3.00未标记标记题目题干化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括()。A.区域提纯B.中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅C.中间化合物的分离提纯D.中间化合物的合成题目20还未回答满分3.00未标记标记题目题干关于SiO说法正确的是()oA.温度高于1500℃,由Si02和SiC反应得到B.能在1500℃与C发生反应C.SiO很容易发生化学反应D.能与氧气发生反应影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素是晶粒尺寸、固液界面、热应力、来自用烟的污染等。选择一项：对错题目22还未回答满分2.00未标记标记题目题干硅片切割得越薄，切割损耗也越多。选择一项：对错题目23还未回答满分2.00未标记标记题目题干目前的技术，大规模生产制造P型掺硼铸造多晶硅、掺钱的p型铸造多晶硅都是没有问题的。选择一项：对错题目24还未回答满分2.00未标记标记题目题干多晶硅锭中晶粒越细小，晶界越少。选择一项：对错题目25还未回答满分2.00未标记标记题目题干太阳能行业用的硅片是不需要经过抛光的。选择一项：对错题目26还未回答满分2.00未标记标记题目题干通常晶体的生长速率越快，生产效率越高，但其温度梯度也越大，最终导致热应力越大，而高的热应力会导致高密度的位错，严重影响材料的质量。选择一项：对错题目27还未回答满分2.00未标记标记题目题干在铸造多晶硅锭中，氧在高度方向的分布是上部高下部低。选择一项：对错题目28还未回答满分2.00未标记标记题目题干浇铸法是很有应用前景的铸造多晶硅生产的新技术。选择一项：对错题目29还未回答满分2.00未标记标记题目题干多晶硅的晶向多样，因此位错腐蚀坑一般显示为圆形或椭圆形。选择一项：对错题目30还未回答满分2.00未标记标记题目题干一般采用的是掺磷的n型多晶硅，而不是掺钱的p型多晶硅。选择一项：对错上一页将制备方法与描述一一对应。(1)布里曼法—空白(2)热交换法空白(3)浇铸法一一空白A.均埸需升降B.固液界面比较平稳C.熔化和结晶在两个不同的用竭中进行题目32还未回答满分3.00未标记标记题目题干将各种硅生产工艺与特点一一对应。mc-Si空白cz-Si空白fz-Si空白A.生产成本最高B.对硅料的要求一般C.转换效率一般最低题目33还未回答满分3.00未标记标记题目题干将硅中的各种元素与影响一一对应。B空白0——空白H——空白A.危害较大B.有钝化效果C.特意加入，形成掺杂题目34还未回答满分3.00未标记标记题目题干将抛光工艺与描述一一对应。(1)机械抛光法空白(2)化学抛光法一一空白(3)化学一机械抛光法一一空白A.现代半导体工业中普遍应用B.采用细磨料颗料C.硝酸与氢氟酸混合腐蚀液题目35还未回答满分3.00未标记标记题目题干将化学反应与作用一一对应。3Si+4HNO3=3SiO2I+2H2O+4NOt空白SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O空白Si+H2O+2NaOH=Na2SiO3+2H2f空白A.去除硅表面的致密保护膜B.碱腐蚀C.酸腐蚀题目36还未回答满分3.00未标记标记题目题干将清洗时试剂与作用一一对应。(1)无机酸空白(2)有机溶剂一一空白(3)过氧化氢空白A.去除镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质B.对一些难溶物质转化为易溶物质C.相似相溶题目37还未回答满分3.00未标记标记题目题干将硅片参数与作用一一对应。BOW空白TTV——空白TIR空白A.弯曲度B.平整度的一种量度C.总厚度偏差题目38还未回答满分3.00未标记标记题目题干将测试方法与作用一一对应。(1)整流法一一空白(2)四探针法空白(3)光电导衰退法空白A.少子寿命B.电阻率C.导电型号题目39还未回答满分3.00未标记标记题目题干将吸杂工艺与描述一一对应。(1)磷吸杂一一空白(2)铝吸杂一一空白(3)磷■铝共吸杂一一空白A.去除磷硅玻璃，将其中的金属杂质一并去除B.利用溅射、蒸发等技术制备一薄层，热处理合金化C.除杂效果最佳题目40还未回答满分3.00未标记标记题目题干将各工艺与能耗一一对应。(1)区熔单晶硅空白(2)直拉单晶硅一一空白(3)铸造多晶硅一一空白一、单项选择题(共10道试题，共20分。)题目1还未回答满分2.00未标记标记题目题干非晶硅的PIN结构的P部分是采用()形成的。SiH4加B2H6SiH4力口BH3PH3力口BH3SiH4力口PH3题目2还未回答满分2.00未标记标记题目题干二氧化钛的几种晶体结构中最适合用于太阳电池的是()oA.板钛矿B.金红石C.锐钛矿D,都差不多题目3还未回答满分2.00未标记标记题目题干非晶硅最常用的生产方法是()oA.溅射气相沉积B.辉光放电分解气相沉积C.热丝化学气相沉积D.光化学气相沉积题目4还未回答满分2.00未标记标记题目题干非晶硅的制备需要的冷却速度至少()O104℃/s102℃/s105℃/s103℃/s题目5还未回答满分2.00未标记标记题目题干非晶硅的禁带宽度为()O2.12eV1.12eV1.5eV,并且在一定程度上可调1.6eV题目6还未回答满分2.00未标记标记题目题干关于染料敏化太阳电池中的纳米品要求错误的是OOA.尽可能多的吸附染料B.晶粒越大越好C.最大限度的与电解质紧密接触D.高的比表面积和大量的孔隙题目7还未回答满分2.00未标记标记题目题干PECVD主要利用的是()区域。A.法拉第暗区B.阴极辉光A.是单位体积晶体中所包含的位错线总长度B.通常情况下制得位错密度较小的材料C.也可理解为穿越单位截面积的位错线的数目D.位错密度大或小，相应材料的力学性能均较佳题目10还未回答满分2.00未标记标记题目题干漂晶现象的原因在于OoA.过冷度太大B.籽晶太小C.杂质太多D.液面上这些位置不能保持正驱动力关于三氯氢硅说法正确的是()oA.可由硅粉与氯化氢合成而得B.无色透明液体C.熔点；28℃,沸点3L5CD.可在高温高压下用氢还原四氯化硅生成三氯氢硅题目12还未回答满分3.00未标记标记题目题干关于单晶硅的晶体结构说法正确的是OoA.共价键的方向性使得每个硅原子都和周围4个最近邻的原子组成一个正四面体B.硅原子所有价电子都被束缚在共价键上，没有自由电子，所以不是导体C.共价键的饱和性使得硅最多只能形成4个共价键D.硅原子轨道杂化以后，在sp3轨道上有4个未成对的价电子题目13还未回答满分3.00未标记标记题目题干关于点缺陷说法错误的是OoA.点缺陷使得固体内原子扩散更容易进行B.空位越多，晶体的密度越低C.点缺陷使得滑移更容易进行D.金属中的点缺陷增加了电阻题目14还未回答满分3.00未标记标记题目题干硅在自然界主要以()形式存在。C.阳极辉光D.正离子柱区题目8还未回答满分2.00未标记标记题目题干非晶硅的沉积温度为()o500-700℃900—1300℃1000—1400℃100-300℃题目9还未回答满分2.00未标记标记题目题干PECVD所使用的主要原料是()oSiH4SiO2SiHCI3Si题目10还未回答满分2.00未标记标记题目题干以下太阳电池成本(单位：美元/W)最低的是()OA.铜锢钱硒B.微晶硅薄膜C.非晶硅薄膜D.多晶硅有机半导体薄膜成膜技术包括OOA.旋转涂层法B.真空热蒸发沉积C.丝网印刷技术D.有机气相沉积法题目12还未回答满分3.00未标记标记题目题干化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有OoA.等离子增强化学气相沉积B.热丝化学气相沉积制备多晶硅C.非晶硅晶化制备多晶硅薄膜D.低压化学气相沉积制备多晶硅题目13还未回答满分3.00未标记标记题目题干非晶硅太阳电池相对与晶体硅太阳电池的优点在于()oA.易于形成大规模生产能力以及大面积化生产B.易实现柔性电池C.材料和制造工艺成本低D.具有S-W效应题目14还未回答满分3.00未标记标记题目题干染料敏化太阳电池优点有()。A.可制得柔性器件B.较低的成本C.很好的装饰功能D.简单的制备工艺题目15还未回答满分3.00未标记标记题目题干非晶硅晶化制备多晶硅薄膜的途径有()oA.激光热处理晶化B.金属诱导固相晶化C.固相晶化D.快速热处理晶化题目16还未回答满分3.00未标记标记题目题干非晶硅太阳电池成本低原因在于()oA.可柔性化B.制备是在低温下进行C.廉价的衬底材料D.非晶硅薄膜仅有数百纳米厚度题目17还未回答满分3.00未标记标记题目题干可用于多孔纳米晶薄膜的材料有（）。ZnOSnO2AI2O3D.TiO2题目18还未回答满分3.00未标记标记题目题干关于光致衰减效应说法正确的是（）。A.在长期辐照下，其光电导和暗电导同时下降，导致光电转换效率降低B.铸造多晶硅没有光致衰减C.在150〜200c热处理又可以恢复原来的状态D.简称S-W效应题目19还未回答满分3.00未标记标记题目题干有机太阳电池基本的结构模型有（）。A.单层混合膜异质结结构B.双层异质结结构C.单层同异质结结构PIN结构题目20还未回答满分3.00未标记标记题目题干非晶硅太阳电池的多品种和多用途在于（）OA.只要改变原材料的气相成分或者气体流量，便可使非晶硅薄膜改性B.色彩鲜艳C.根据器件功率、输出电压和输出电流的要求，可以自由设计制造D.厚度低上一页在150~200℃热处理，可以使得因为S-W效应而效率降低的非晶硅太阳电池恢复原来的状态。选择一项：对错题目22还未回答满分2.00未标记标记题B题干非晶硅材料与晶体材料不同之处在于它的原子结构排列不是长程有序。选择一项：对错题目23还未回答满分2.00未标记标记题目题干随着非晶硅中氢含量的增加，其能隙宽度从L5eV可以增加到1.8eVo选择一项：对错题目24还未回答满分2.00未标记标记题目题干晶体硅太阳电池和非晶硅太阳电池都可以做成柔性太阳电池。选择一项：对错题目25还未回答满分2.00未标记标记题目题干非晶硅太阳电池生产出来以后，转换效率不会随时间发生改变。选择一项：对错题目26还未回答满分2.00未标记标记题目题干非晶硅的结构决定了它的物理性质也是具有各向同性的。选择一项：对错题目27还未回答满分2.00未标记标记题目题干单晶硅与多晶硅的物理特性是各向异性，而非晶硅的物理特性是各向异性选择一项：对错题目28还未回答满分2.00未标记标记题B题干酷菁类化合物是典型的D型有机半导体。选择一项：对错题目29还未回答满分2.00未标记标记题目题干PECVD技术即可用于非晶硅薄膜太阳电池的制备，也可用于多晶硅薄膜太阳电池的制备。选择一项：对错题目30还未回答满分2.00未标记标记题目题干非晶硅是间接带隙结构。选择一项：对错将太阳电池与其禁带宽度一一对应。（1）非晶硅空白（2）铜锢钱硒——空白（3）硫化镉一一空白A.1.5eVB.1.04eVC.1.45eV题目32还未回答满分3.00未标记标记题目题干将PECVD是充入气体与形成的半导体类型一一对应。SiH4空白SiH4力口PH3空白SiH4力口B2H6空白A.本征B.n型C.p型题目33还未回答满分3.00未标记标记题目题干将以下太阳电池与其特点一一对应。(1)非晶硅空白(2)多孔纳米晶空白(3)铜锢钱硒——空白A.吸收系数的最值B.PECVDC.锐钛矿题目34还未回答满分3.00未标记标记题目题干将有机半导体薄膜制备方法与描述一一对应。(1)旋转涂层法一一空白(2)有机气相沉积法一一空白(3)丝网印刷技术空白A.是有机太阳电池具有低成本和高生产率的主要原因B.可得到有机材料和金属电极材料良好接触的界面，减少界面处的截流子流过的损耗，提高了转换效率C.所采用的主要设备为匀胶机题目35还未回答满分3.00未标记标记题目题干将有机小分子化合物与描述一一对应。(1)献菁类化合物空白(2)花衍生物一一空白(3)并五苯一一空白A.耐热性非常好，在400c以下比较稳定B.最大的不足之处在于比较脆C.既具有很高的化学稳定性和耐有机溶剂性，又具有很强的刚性题目36还未回答满分3.00未标记标记题B题干将太阳电池与转换效率一一对应。（1）单晶硅太阳电池—空白（2）非晶硅薄膜太阳电池一一空白（3）有机太阳电池空白A.5.15B.25C.9.5题目37还未回答满分3.00未标记标记题目题干将化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜方法与描述一一对应。（1）等离子增强化学气相沉积一一空白（2）低压化学气相沉积一一空白（3）热丝化学气相沉积一一空白A.薄膜生长速率高，薄膜结构均匀，一致性高，载流子迁移率高B.内部含有高密度的微挛晶缺陷，且晶粒尺寸小，载流子迁移率不够大C.采用卤硅化合物（如SiF4）或者是硅烷和卤硅化合物的混合气体题目38还未回答满分3.00未标记标记题目更多试题及答案+扣二九七九一三九六八四$题干非晶硅晶化制备多晶硅薄膜方法与描述一一对应（1）固相晶化空白（2）激光晶化一一空白（3）快速热处理晶化——空白A.晶粒尺寸严重影响了多晶硅的性能B.设备复杂、生产成本高，难以实现大规模工业应用C.会引进金属杂质，这些金属对半导体硅的电学性能也将产生致命影响题目39还未回答满分3.00未标记标记题目题干将以下太阳电池与其特点一一对应。（1）有机半导体薄膜一一空白（2）染料敏化太阳电池——空白（3）多晶硅薄膜一一空白A.的层状三明治叠层结构B.无光致衰减，低成本、制备简单和可以大面积制备C.良好装饰效果题目40还未回答满分3.00未标记标记题目题干将以下太阳电池与其特点一一对应。(1)晶体硅空白(2)非晶硅薄膜一一空白(3)硅化镉空白A.很明显的光致衰减B.与蓄电池共有同种金属元素C.块体上一页A.石英砂B.硅单质C.白炭黑D.硅酸盐题目15还未回答满分3.00未标记标记题目题干下列属于晶体的宏观特性的有（）A.解理性B.各向异性C.长程有序D.固定熔点题目16还未回答满分3.00未标记标记题目题干不能用于区分晶体与非晶体的是（）A.密度的大小B.是否具有确定的熔点C.原子排练是否有序D.熔点的高低题目17还未回答满分3.00未标记标记题目题干金刚石结构的晶胞中原子数为（），配位数为OoA.4、4B.8、4C.12、4D.8、8题目18还未回答满分3.00未标记标记题目题干关于临界晶核说法错误的是OoA.晶胚的尺寸大于临界晶核，晶胚就成为稳定的晶核而后继续长大B.均匀形核与非均匀形核的临界晶核大小不同C.临界半径与过冷度AT无关D.当晶胚的尺寸小于临界晶核，晶胚不稳定，难以长大，最终熔化而消失题目19还未回答满分3.00未标记标记题目题干关于白炭黑说法准确的是()oA.具有化学惰性不会与硫化而引入的过氧化物反应B.非常细小颗粒和极大的表面积C.硅氧烷橡胶里的主要增强填料D.白碳黑是在特殊设计的炉子里在1370K下用四氯化硅在氧气流经过气相氧化制得的题目20还未回答满分3.00未标记标记题目题干采用适当的原料配比，都能得到解决或部分解决是OoA.晶体冷却时越过溶线引起脱溶沉淀B.在固液两相区内生长晶体或是配料偏离同成分点时温度波动导致固相成分波动引起生长条纹C.晶体成分偏离理想配比引起点缺陷D.由于组分过冷引起晶体的网络结构等三、判断题(共10道试题，共20分。)题目21还未回答满分2.00未标记标记题目题干滑移的方向是与位错线平行的为刃型位错。选择一项：对错题目22还未回答满分2.00未标记标记题目题干在常温下硅对多数酸是稳定的。选择一项：对错题目23还未回答满分2.00未标记标记题目题干硅烷就是甲硅烷。选择一项：对错题目24还未回答满分2.00未标记标记题目题干在半导体的P-N结中，浓度梯度形成的扩散作用与内建电场的电场力的作用达到平衡。选择一项