开关电源常用电子器件认识

1、开关电源常用电子器件认识电阻的认识1、电阻的概念：电阻(Resistance,通常用“R”表示)，是一个物理量，在物理学中表示导体对电流阻 碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般 不同，电阻是导体本身的一种特性。电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通 量越大，反之亦然。而超导体则没有电阻。2、电阻的定义：电阻元件的电阻值大小一般与温度，材料，长度，还有横截面积有关，衡量电阻受温度 影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1C时电阻值发生变化的百分数。电阻 的主要物理特征是变电能为热能，也可说它是一个耗能元件，电流经过它就产生内能。电阻

2、在电路中通常起分压、分流的作用。对信号来说，交流与直流信号都可以通过电阻。3、电阻的种类电阻器按制造材料可分为：碳膜电阻、金属氧化膜电阻、绕线电阻、水泥电阻、薄膜电 阻。4、电阻的用途普通电阻：限流、分压、RC吸收电路、负载；敏感电阻：(光敏、压敏、湿敏、热敏电阻)控制、传递、转换、抑制电流、尖峰5、性能参数额定功率：指在特定条件下电阻器所承受的最大功率，当超出过此功率，电阻会过热而烧坏。常用SMT厚膜电阻如下表:尺寸代码040206030805120618122512额定功率1/16W1/10W1/8W1/4W1/2W1W耐受电压100V100V300V500V500V500V最大耐电流值1

3、A1A2A2A2A2A6、电阻的温度系数电抗元件的标称值会随着温度的变化而变化，温度每变化1度，会引起元件的标称值相 对变化变大或者变小。温度系数越大说明该元件的稳定性越差，反之则越好。电容的认识1、电容概念电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量，当非导电体的两个相对表面保持某一电位 差时，由于电荷移动的结果，能量便储存在该非导体之中。2、电容定义定义：我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需要的电荷量，叫做电容器的电容。 单位换算：1 拉法(F) =1000 毫法(mF) =1000000 微法(uF)1 微法(uF) =1000 纳法(nF) =1000000 皮法(pF)3、电容的种类

4、常用电容按介质分类：纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、钽电容、铝电解电容等；铝电解电容：主要特点是容量大，损耗大，漏电流大应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等。陶瓷电容：主要特点是体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高、但容量小、适用于 高频电路钽电容：主要特点是体积小、容量大、性能稳定、寿命长、绝缘电阻大、温度特性好; 应用在要求高的设备中，最大缺点是会延烧，无法满足安规。薄膜电容：体积小、容量大、稳定性好，适宜用于旁路电路云母电容：特点是介质损耗小、绝缘电阻大、温度系数小，适用于高频电路。二极管的认识1、二极管工作原理晶体二极管为一个由P型半导体和n型半

5、导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电 荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电 流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场 和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏 置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关 的反向饱和电流10。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达 到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流， 称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分

6、2、二极管主要特性参数最大整流电流IF是指二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流值，其值与PN结面积及外 部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅 管为141左右，错管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二 极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。例如，常用的IN4001-4007型错二极管的额 定正向工作电流为1A。、最高反向工作电压Udrm加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保 证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007 反向耐压

7、为1000V。反向电流Idrm反向电流是指二极管在常温（25C ）和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。 反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系， 大约温度每升高10C，反向电流增大一倍。例如2AP1型错二极管，在25C时反向电流若为 250uA，温度升高到35C，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75C时，它的反向电流 已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管， 25C时反向电流仅为5uA，温度升高到75C时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比错二 极管在高温下具有较好的稳定性。动态电阻R

8、d二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。最高工作频率FmFm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。3、正向导通性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻 挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区 电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压 增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压,几乎维持不变，这个电 压称为二极管的正向电压。

9、当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱， 电流迅速增长，二极管正向导通。以叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，错管约 为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.60.8V，错二极管的正向导通压降约为0.20.3V4、反向性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向 电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电 流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比错管小得多，小功率硅 管的反响饱和电流在nA数量级，小功率错管在以A数量级。温度升高时，半导体受热激发， 少数载流子数目增加，反向饱和电流

10、也随之增加。三极管的认识1、三极管工作原理、发射区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子（自由电子）不断 地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由 于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主 要是电子流。、基区中电子的扩散与复合电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用 下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也 有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例 决定了三极管的放大能力。、集电区收集电子由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩 散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的 少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其 数值很小，但对温度却异常敏感。2、三极管的工作状态放大区发射结正偏，集电结反偏，即NPN型三极管VcVb