三极管的特性

1、信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章模拟电子技术的实践模拟电子技术的实践教学互动平台网：教学互动平台网：50:5481/三极管的型号、结构三极管的型号、结构三极管的特性三极管的特性信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章六三极管的特性、识别六三极管的特性、识别1、三极管的结构与型号三极管的结构与型号NNP发射极发射极 E基极基极 B集电极集电极 C发射结发射结集电结集电结 基区基区 发射区发射区 集电区集电区emitterbasecollectorNPN 型型PPNEBCPNP 型型ECBECB第第5课课信号放大电路的分析与制作35学时学时第第

2、2章章集成电路中典型集成电路中典型NPNNPN型型BJTBJT的截面图的截面图信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章目测判别三极管极性目测判别三极管极性EBCE C BEBCBECE B C信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章分类分类：按材料分：按材料分： 硅管、锗管硅管、锗管按功率分：按功率分： 小功率管小功率管 1 W中功率管中功率管 0.5 1 W信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章 无论是无论是NPN型或是型或是PNP型的三极管型的三极管,它们均包它们均包含三个区含三个区: 发射区、基区和集电区发射区、基区和集电区, 并相应地引出并相应地引出三个电极：发射极

3、（三个电极：发射极（e)、基极、基极(b)和集电极和集电极(c)。同。同时时,在三个区的两两交界处在三个区的两两交界处, 形成两个形成两个PN结结, 分别分别称为发射结和集电结。常用的半导体材料有硅和称为发射结和集电结。常用的半导体材料有硅和锗锗, 因此共有四种三极管类型。它们对应的型号分因此共有四种三极管类型。它们对应的型号分别为：别为：3A(锗锗PNP)、3B(锗锗NPN)、3C(硅硅PNP)、3D(硅硅NPN)四种系列。四种系列。 信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章2、电流放大原理、电流放大原理（1） 三极管放大的条件三极管放大的条件内部内部条件条件发射区掺杂浓度高发射区掺杂

4、浓度高基区薄且掺杂浓度低基区薄且掺杂浓度低集电结面积大集电结面积大外部外部条件条件发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏（2） 满足放大条件的三种电路满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共发射极共发射极共集电极共集电极共基极共基极信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章实现电路实现电路:信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章（3） 三极管内部载流子的传输过程三极管内部载流子的传输过程1) ) 发射区向基区注入多子发射区向基区注入多子电电子子，形成发射极电流形成发射极电流 IE。I CN多数向多数向 BC 结方向扩散形成结方向扩散形成 ICN。IE少数

5、与空穴复合，形成少数与空穴复合，形成 IBN 。I BN基区空基区空穴来源穴来源基极电源提供基极电源提供( (IB) )集电区少子漂移集电区少子漂移( (ICBO) )I CBOIBIBN IB + ICBO即：即：IB = IBN ICBO 2) )电子到达基区后电子到达基区后( (基区空穴运动因浓度低而忽略基区空穴运动因浓度低而忽略) )信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章 3) ) 集电区收集扩散过集电区收集扩散过 来的载流子形成集来的载流子形成集 电极电流电极电流 ICI C = ICN + ICBO IBICI CBOI CNI BNIE信号放大电路的分析与制作35学时学时

6、第第2章章（4）三极管的电流分配关系）三极管的电流分配关系当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：IB = I BN ICBO IC = ICN + ICBOBNCNII CEOBCBOBC)1(IIIII 穿透电流穿透电流CBOBCBOCIIII 信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章IE = IC + IBCEOBCIII BCEIII BC II BE )1(II CEOBE )1(III 信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章3、三极管的识

7、别和检测、三极管的识别和检测（1） 三极管极性的判别三极管极性的判别（2） 三极管性能的检测三极管性能的检测用指针式万用表判别极性用指针式万用表判别极性用万用表的用万用表的 h hFEFE挡检测挡检测 值值用晶体管图示仪或直流参数测试表检测用晶体管图示仪或直流参数测试表检测 ( (略略) )目测判别极性目测判别极性用指针式万用表检测用指针式万用表检测穿透电流的检测穿透电流的检测反向击穿电压的检测反向击穿电压的检测放大能力的检测放大能力的检测信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章 用用指针式指针式万用表判断三极管极性万用表判断三极管极性红表笔

8、红表笔是是( (表内电源表内电源) )负负极极黑表笔黑表笔是是( (表内电源表内电源) )正正极极基极基极B的判断：的判断： 当当黑黑（红）（红）表笔接触某一极，表笔接触某一极，红红（黑）（黑）表笔分别接触表笔分别接触另两个极时，万用表指示为另两个极时，万用表指示为低阻低阻，则该极为基极，该管为，则该极为基极，该管为NPN（PNP）。在在 R 100或或 R 1k 挡测量挡测量测量时手不要接触引脚测量时手不要接触引脚C、E极极的判断：的判断： 基极确定后，比较基极确定后，比较B与另外两个极间的正向电阻，较大与另外两个极间的正向电阻，较大者为发射极者为发射极E，较小者为集电极，较小者为集电极C。

9、信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章用万用表的用万用表的 hFE挡检测挡检测 值值 若有若有ADJ挡，先置于挡，先置于ADJ 挡进行调零。挡进行调零。 拨到拨到 hFE挡。挡。 将被测晶体管的将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的三个引脚分别插入相应的插孔中（插孔中（TO- -3封装的大功率管，可将其封装的大功率管，可将其3个电极接出个电极接出3根引线，再插入插孔）。根引线，再插入插孔）。 从表头或显示屏读出该管的电流放大系数从表头或显示屏读出该管的电流放大系数 。信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章三极管放大能力的检测三极管放大能力的检测 1k硅管：硅管：100

10、k 锗管：锗管：20 k 0 1k硅管：硅管：100 k 锗管：锗管：20 k 0PNPNPN指针偏转角度越大，则放大能力越强指针偏转角度越大，则放大能力越强信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章用万用表检测穿透电流用万用表检测穿透电流 ICEO通过测量通过测量C、E间的电阻来估计间的电阻来估计穿透电流穿透电流 ICEO的大小。的大小。一般情况下，一般情况下，中、小功率锗管中、小功率锗管C、E间的电阻间的电阻 10 k ；大功率锗管大功率锗管C、E间的电阻间的电阻 1.5 k ；硅管硅管C、E间的电阻间的电阻 100 k （在（在 R 10 k 挡挡测量）。测量）。 1k 0 1k 0

11、信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章检测反向击穿电压检测反向击穿电压 U(BR)CEO反向击穿电压低于反向击穿电压低于50V的晶体管的晶体管,可按图示电路检测。可按图示电路检测。39 k 5.1 k LED1050 VAB2SA1015 增大电源电压，当发光二极管增大电源电压，当发光二极管LED亮时，亮时，A、B之间的电压即为晶体管的反向击穿电压。之间的电压即为晶体管的反向击穿电压。39 k 5.1 k LED1050 VAB2SA1015信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章1.4.2晶体三极管的输入、输出特性曲线的测试晶体三极管的输入、输出特性曲线的测试一、任务的描述一、

12、任务的描述1、项目任务编号：1.4.22、项目任务名称：晶体三极管的输入、输出特性曲线的测试3、项目任务的内容：按图1.4.3所示的电路联接，通过改变RP1和RP2电位器的阻值，画出晶体管的特性曲线，从而学会研究晶体三极管放大特性的一种方法，为今后分析放大电路打下基础。4、项目任务的目的：通过对晶体管的特性曲线的简单测试，学会放大电路的研究方法，深入理解晶体管的电流放大特性。同时学会正确选用合适的电子测量仪器进行参数测试。5、需要的相关知识：晶体三极管的输入、输出特性曲线，电路的连接，电子仪器的使用等。1.4 晶体三极管识别与检测方法晶体三极管识别与检测方法介绍介绍介绍介绍信号放大电路的分析与

13、制作35学时学时第第2章章AmAVVIBICUCCUBBRcRbuBEUCERb100k，Rc3k 图1.4.3 逐点法测绘特性曲线的测量电路信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章二、计划准备二、计划准备虽然万用表可以粗略地测出管子的虽然万用表可以粗略地测出管子的值的大小，但结果误值的大小，但结果误差很大，而且管子的其它特性很难确定。为了测定晶体管的差很大，而且管子的其它特性很难确定。为了测定晶体管的输入、输出特性，一般可以通过两种方法得出，一是通过晶输入、输出特性，一般可以通过两种方法得出，一是通过晶体管图示仪，还有一种方法就是设计一个测量电路，如图体管图示仪，还有一种方法就是设计一

14、个测量电路，如图2.4.3所示的特性曲线测试电路，它可以分别测出共射电路的所示的特性曲线测试电路，它可以分别测出共射电路的输入、输出特性曲线。输入、输出特性曲线。根据所给定的学习任务，阅读相关知识点的内容，理解根据所给定的学习任务，阅读相关知识点的内容，理解关于晶体管的特性曲线的基本概念及测量方法，然后考虑测关于晶体管的特性曲线的基本概念及测量方法，然后考虑测量电路如何根据所给的电路原理图进行接线，如何调节电源量电路如何根据所给的电路原理图进行接线，如何调节电源电压值，考虑具体实施的步骤和方法。电压值，考虑具体实施的步骤和方法。信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章三、具体实施三、具体

15、实施具体测试的方法是，取具体测试的方法是，取NPN型晶体管一个，先通过测试型晶体管一个，先通过测试判定各管脚的极性（即确定判定各管脚的极性（即确定b、c、e极）。然后联接电路如图极）。然后联接电路如图1.4.3所示，所示，调节调节RP1，使，使VCE0V调节调节RP2，分别使，分别使IB = 0A、5A、10A、20A、测量对应的测量对应的VBE值，填入表值，填入表1.4.2输入输入特性曲线的测试。特性曲线的测试。 调节调节RP1，使，使VCE5V。重复上述步骤可得。重复上述步骤可得输入特性曲线。输入特性曲线。条条 件件IB（A）0102030 40 5060VCE0VVBE（V）VCE5VV

16、BE（V）表表1.4.2输入特性曲线的测试输入特性曲线的测试把表把表1.4.2中测得数据，在图中测得数据，在图1.4.4坐标中，画出相应的点，坐标中，画出相应的点，然后把它光滑地连接起来，就得到晶体管的输入特性曲线。然后把它光滑地连接起来，就得到晶体管的输入特性曲线。信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章如果要测试晶体管的输出特性曲线，可以调节如果要测试晶体管的输出特性曲线，可以调节RP2, 使使IB = 0A。调节。调节RP1，分别使，分别使VCE0V、0.3V、0.5V、1V、5V、10V、测量对应的测量对应的IC数值数值, 填入表填入表2.4.3输出特性曲线的测输出特性曲线的测试

17、。调节试。调节RP2，使，使IB20A、40A、60A、重复上述步重复上述步骤可得输出特性曲线。骤可得输出特性曲线。条条 件件VCE(V)00.30.5123IB =0AIC(mA)IB =20AIC(mA)IB =40AIC(mA)IB =60AIC(mA)把表把表1.4.3中测得数据，在图中测得数据，在图1.4.5的坐标中，每一行的数据的坐标中，每一行的数据可以画出一条输出特性曲线，有几行数据可以画出几条输出特可以画出一条输出特性曲线，有几行数据可以画出几条输出特性曲线。这样就可获得晶体管的输出特性曲线族。性曲线。这样就可获得晶体管的输出特性曲线族。表表1.4.3输出特性曲线的测试输出特性

18、曲线的测试信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章IB/AUBE/VIC/mAUCE/V图图1.4.4输入特性曲线的绘制输入特性曲线的绘制图图1.4.5输出特性曲线的绘制输出特性曲线的绘制可以得到如下结论：可以得到如下结论：（1）输入特性曲线与晶体二极管的特性曲线相似，有一个大约有）输入特性曲线与晶体二极管的特性曲线相似，有一个大约有0.5V的的门坎电压，当电流超过一定数值后，电压与电流间基本成线性的关系。门坎电压，当电流超过一定数值后，电压与电流间基本成线性的关系。（2）从输出特性曲线可以知道，当输入电流）从输出特性曲线可以知道，当输入电流IB保持不变时，保持不变时，UCE从从0开始开

19、始增大时，集电极电流增大时，集电极电流IC增加很快，但随后增加很快，但随后UCE的继续增加时，集电极电流的继续增加时，集电极电流IC几几乎不变。乎不变。（3）在一定的条件下，当）在一定的条件下，当UCE一定时，基极电流一定时，基极电流IB的增大，会引起集电的增大，会引起集电极电流极电流IC的成比例增加，其比值的大小即为晶体管的交流电流放大倍数的成比例增加，其比值的大小即为晶体管的交流电流放大倍数ICIB（ICIB为直流电流放大倍数，一般不作区别）。可见晶体管为直流电流放大倍数，一般不作区别）。可见晶体管具有基极小电流控制集电极较大变化的能力。具有基极小电流控制集电极较大变化的能力。信号放大电路

20、的分析与制作35学时学时第第2章章四、问题研究四、问题研究1、从测试画出的晶体管输出特性曲线中，可以把晶体管、从测试画出的晶体管输出特性曲线中，可以把晶体管的工作状态分成怎样三个区？他们有何特点？条件如何？的工作状态分成怎样三个区？他们有何特点？条件如何？可以可以得出哪些结论？得出哪些结论？2、如果两个晶体管的放大倍数大小不一样，在输出特性、如果两个晶体管的放大倍数大小不一样，在输出特性曲线中是如何体现？曲线中是如何体现？3、晶体管的特性曲线还可以用什么仪器进行测试？、晶体管的特性曲线还可以用什么仪器进行测试？4、试说明晶体三极管处于放大、饱和和截止工作状态的、试说明晶体三极管处于放大、饱和和

21、截止工作状态的特点。特点。5、测得某三极管各极电流如图、测得某三极管各极电流如图P2.3所示，试判断所示，试判断、中哪个是基极、发射极和集电极，并说明该管是中哪个是基极、发射极和集电极，并说明该管是NPN型还型还是是PNP型，它的型，它的？五、研究报告的撰写五、研究报告的撰写根据以上的仪器使用、参数的测试根据以上的仪器使用、参数的测试及处理、问题的研究，对实践结果及问及处理、问题的研究，对实践结果及问题进行归纳总结，写出研究报告。题进行归纳总结，写出研究报告。信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章本项目小结本项目小结一、三极管的特性参数的测试一、三极管的特性参数的测试二、三极管的特性参

22、数的研究二、三极管的特性参数的研究课外作业：课外作业：写实践报告写实践报告三、三极管的等效电路三、三极管的等效电路信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章七、晶体三极管的特性曲线七、晶体三极管的特性曲线1、输入特性、输入特性输入输入回路回路输出输出回路回路常数常数 CE)(BEBuufi0CE u与二极管特性相似与二极管特性相似第第6课课信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章BEuBiO0CE uV 1CE u0CE uV 1CE u特性基本特性基本重合重合( (电流分配关系确定电流分配关系确定) )特性右移特性右移( (因集电结开始吸引电子因集电结开始吸引电子) )导通电压导通

23、电压 UBE( (on) )硅管：硅管： (0.6 0.8) V锗管：锗管： (0.2 0.3) V取取 0.7 V取取 0.2 V信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章2、输出特性、输出特性常数常数 B)(CECiufiiC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 43211. 截止区：截止区： IB 0 IC = ICEO 0条件：条件：两个结反偏两个结反偏截止区截止区ICEO信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 43212.

24、 放大区：放大区：CEOBCIII 放大区放大区截止区截止区条件：条件： 发射结正偏发射结正偏 集电结反偏集电结反偏特点：特点： 水平、等间隔水平、等间隔ICEO信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 43213. 饱和区：饱和区：uCE u BEuCB = uCE u BE 0条件：条件：两个结正偏两个结正偏特点：特点：IC IB临界饱和时：临界饱和时： uCE = uBE深度饱和时：深度饱和时：0.3 V ( (硅管硅管) )UCE( (SAT) )= =0.1 V ( (锗管锗管) )

25、放大区放大区截止区截止区饱饱和和区区ICEO信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章饱和区：饱和区：iC明显受明显受vCE控制的区域，控制的区域，该区域内，一般该区域内，一般vCE0.7V (硅管硅管)， iC不受不受iB控制。此时，控制。此时，发射结正偏，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小集电结正偏或反偏电压很小。iC=f(vCE) iB=const输出特性曲线小结输出特性曲线小结输出特性曲线的三个区域输出特性曲线的三个区域: :截止区：截止区：iC接近零的区域，相当接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，的曲线的下方。此时， vBE小于死区小于死区电压电压。此时，发射结和集电

26、结均反向。此时，发射结和集电结均反向偏置偏置放大区：放大区：iC平行于平行于vCE轴的区域，曲轴的区域，曲线基本平行等距，说明线基本平行等距，说明iC主要受主要受iB控控制此时，制此时，发射结正偏，集电结反偏发射结正偏，集电结反偏。信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章3、温度对特性曲线的影响、温度对特性曲线的影响（1） 温度升高，输入特性曲线温度升高，输入特性曲线向左移。向左移。温度每升高温度每升高 1 C，UBE (2 2.5) mV。温度每升高温度每升高 10 C，ICBO 约增大约增大 1 倍。倍。BEuBiOT2 T1信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章（2）温度升

27、高，输出特性曲线）温度升高，输出特性曲线向上移。向上移。iCuCE T1iB = 0T2 iB = 0iB = 0温度每升高温度每升高 1 C， (0.5 1)%。输出特性曲线间距增大。输出特性曲线间距增大。O信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章八、晶体三极管的主要参数八、晶体三极管的主要参数1、电流放大系数、电流放大系数1. 共发射极电流放大系数共发射极电流放大系数iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 4321 直流电流放大系数直流电流放大系数BCCBOBCBOCBNCNIIIIIIII 交流电流放大系数交流电流放大系数

28、BiiC一般为几十一般为几十 几百几百Q82A1030A1045. 263 80108 . 0A1010A10)65. 145. 2(63 信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 共基极电流放大系数共基极电流放大系数 11BCCECIIIII 1 一般在一般在 0.98 以上。以上。 Q988. 018080 2、极间反向饱和电流、极间反向饱和电流CB 极极间反向饱和电流间反向饱和电流 ICBO，CE 极极间反向饱和电流间反向饱和电流 ICEO。信号放大电路的分析与制作35学时

29、学时第第2章章3、极限参数、极限参数A. ICM 集电极最大允许电流，超过时集电极最大允许电流，超过时 值明显降低。值明显降低。B. PCM 集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗PC = iC uCE。iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安安全全 工工 作作 区区信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章C. U( (BR) )CEO 基极开路时基极开路时 C、E 极极间反向击穿电压。间反向击穿电压。U( (BR) )EBO 集电极极开路时集电极极开路时 E、B 极极间反向击穿电压。间反向击穿电压。U( (BR) )CBO U( (BR) )CEO U( (BR) )E

30、BO已知已知:ICM = 20 mA, PCM = 100 mW，U(BR)CEO = 20 V，当当 UCE = 10 V 时，时，IC mA当当 UCE = 1 V，则，则 IC mA当当 IC = 2 mA，则，则 UCE V 102020信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章 (1) 共发射极直流电流放大系数共发射极直流电流放大系数 =（ICICEO）/IBIC / IB vCE=const1. 电流放大系数电流放大系数 与与iC的关系曲线的关系曲线 (2) 共发射极交流电流放大系数共发射极交流电流放大系数 = IC/ IB vCE=const小结小结信号放大电路的分析与制作3

31、5学时学时第第2章章 (3) 共基极直流电流放大系数共基极直流电流放大系数 =（ICICBO）/IEIC/IE (4) 共基极交流电流放大系数共基极交流电流放大系数 = IC/ IE vCB=const 当当ICBO和和ICEO很小时，很小时， 、 ，可以不，可以不加区分。加区分。信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章hreucehfeubehie1/hoe物物理理模模型型： 参参数数等等效效模模型型 T 参参数数等等效效模模型型 网网络络参参数数模模型型：H 参参数数等等效效模模型型：低低频频小小信信号号 Y 参参数数等等效效模模型型：高高频频小小信信号号 S 参参数数等等效效模模型

32、型：微微波波电电路路 i bic+ube-+uce-+ube-i bic+uce- 补充：补充：H参数等效电路参数等效电路对于共射电路对于共射电路 信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章 ube=hieib+hreuce ib=hfeib+hoeVce 共共射射 h h 参参数数的的物物理理意意义义：QubeibcbiebcebbeICEBEicebererhivivuuuuhBb常数0)2(ubeibIBuBEuCE ube=hieib+hreuce ib=hfeib+hoeuce 输入端交流开路时，输入电压输入端交流开路时，输入电压ube随输出电压随输出电压uce的变化之比，的变化

33、之比，反映了输出回路对输入回路影响，称反映了输出回路对输入回路影响，称内部电压反馈参数内部电压反馈参数，由输，由输入特性曲线可见，输出电压对输入特性曲线有调制作用。入特性曲线可见，输出电压对输入特性曲线有调制作用。 信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章(4)常常数数 BbICEc0icecoeuIuih 输输入入端端交交流流开开路路时时，输输出出导导纳纳 , ,即即 hoe=1/rce 静静态态工工作作点点上上输输出出特特性性曲曲线线切切线线的的斜斜率率 (3)常常数数 CEceuBC0vbcfeiiiih 输输出出端端交交流流短短路路时时（uCE=常常数数）时时，正正向向 电电流流

34、放放大大倍倍数数, ,反反映映了了输输出出特特性性曲曲线线的的间间距距。 UCEuCEicib1ib2=ib1+iBiCicuCEuCEiCIB信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章hiehiehfeibhfeib1/hoeuceubeubeuceubeucehfeibhie1/hoehreuce ube=hieib+hreuce ib=hfeib+hoeuce 返回返回手工焊接技术手工焊接技术信号放大电路的分析与制作35学时学时第第2章章半导体三极管是电子电路的核心元器件，半导体三极管是电子电路的核心元器件， 应用应用十分广泛。十分广泛。 尽管三极管可以组成运算放大电路、尽管三极管可以组成运算放大电路、 功功率放大电路、率放大电路、 振荡电路、振荡电路、 反相器、反相器、 数字逻辑电路数字逻辑电路等，等， 但可归纳为放大应用和开关应用两大类。但可归纳为放大应用和开关应用两大类。 1、放大应用、放大应用在模拟电子电路中，在模拟电子电路中， 三极管主要工作于放大状三极管主要工作于放大状态，态， 可以把输入基极电流可以把输入基极电流IB 放大放大倍以倍以IC 的形式的形式输出。输出。 因此三极管的放大应用，因此三极管的放大应用， 就是利用三极管的就是利用三极管的电流控制作用把微弱的电信号增强到所要求的数值。电流控制作用把微弱的电信