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文档简介

2.1 双极型双极型IC的寄生效应的寄生效应 2.1.1 集成集成npn的结构与寄生效应的结构与寄生效应pnp截止pnp截止 SBD与与pn结二极管的比较结二极管的比较M-S整流接触与欧姆接触的区别整流接触与欧姆接触的区别对半导体进行重掺杂，势垒宽度很薄，载流子可以通过对半导体进行重掺杂，势垒宽度很薄，载流子可以通过隧穿效应贯穿势垒形成隧道电流，当其超过热电子发射电流隧穿效应贯穿势垒形成隧道电流，当其超过热电子发射电流成为主导时，电流很大，接触电阻很小成为主导时，电流很大，接触电阻很小 欧姆接触。欧姆接触。 SBD的金属化系统的金属化系统2、STTL电路电路3、LSTTL电路电路LSTTL T2电流T5驱动电流 导通延迟。既加速了T4管的截止，又加速了T5的导通。4、AS/ALSTTL电路电路 2.3 ECL电路电路mARVVVIEEEBEBBE47792 . 58 . 03 . 122? VC2=VCC-IC2RC2=-0.98V 而 VC1=VCC-IC1RC1=0VmARVVVIEEEBEOHE4 . 47792 . 58 . 09 . 011VC1=VCC-IC1RC1=-0.97V而 VC2=VCC-IC2RC2=

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