控制电路图维修电路图

1、我是中国人。晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和

2、开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管是电路中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collecto

3、r）；场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地、集电极接地。最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。 三极管的导通 三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的直流偏    晶体三极管置，随这个电流变化，三极管工作状态由截止-线性区-饱和状态变化而变， 如果三极管Ib（直流偏置点）一定时，三极管工作在线性区，此时Ic电流的变化只

4、随着Ib的交流信号变化，Ib继续升高，三极管进入饱和状态，此时三极管的Ic不再变化，三极管将工作在开关状态。 三极管为开关管使用时工作在饱和状态1，用放大状态1表示不是很科学。 请对照三极管手册的Ib；Ic曲线加以参考我的回答来理解三极管的工作状态，三极管be结和ce结导通三极管才能正常工作。 如果三极管没有加直流偏置时，放大电路时输入的交流正弦信号正半周时，基极对发射极而言是正的，由于发射结加的是反向电压，此时没有基极电流和集电极电流，此时集电极电流变化与基极反相，在输入电压的负半周，发射极电位对于基极电位为正的，此时由于发射极加的是正向电压，才有基极和集电极电流通过，此时集电极电流变化与基

5、极同相，在三极管没有加直流偏置时三极管be结和ce结导通，三极管放大电路将只有半个波输出将产生严重的失真。晶体管分类按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。 按工作频率分类 晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。 按封装结构分类 晶体管按封装结构可分为金属封装（简称

6、金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。 按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。 电力晶体管 电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction TransistorBJT），所以有时也称为Power BJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但

7、驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。 光晶体管光晶体管（phototransistor）由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部电放大机构，产生光电流增益。光晶体管三端工作，故容易实现电控或电同步。光晶体管所用材料通常是砷化镓（CaAs），主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件。双极型光晶体管通常增益很高，但速度不太快，对于GaAs-GaAlAs，放大系数可大于1000，响应时间大于纳秒，常用于光探测器，也可用于光放大。场效应光晶体管响应速度快（约为50皮秒），但缺点是光敏面积小

8、，增益小（放大系数可大于10），常用作极高速光探测器。与此相关还有许多其他平面型光电器件，其特点均是速度快（响应时间几十皮秒）、适于集成。这类器件可望在光电集成中得到应用。 双极晶体管双极晶体管（bipolar transistor）指在音频电路中使用得非常普遍的一种晶体管。双极则源于电流系在两种半导体材料中流过的关系。双极晶体管根据工作电压的极性而可分为NPN型或PNP型。 双极结型晶体管双极结型晶体管（Bipolar Junction TransistorBJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极

9、和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；BJT有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置（加正向电压）、集电结要反偏置；BJT种类很多，按照频率分，有高频管，低频管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成的放大电路形式有：共发射极、共基极和共集电极放大电路。 场效应晶体管    场效应晶体管场效应晶体管（field effect

10、transistor）利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属?氧化物?半导体u效应管/MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管（MESFET    场效应

11、晶体管）是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOSu规模集成电路/MES超高速集成电路的基础器件。 静电感应晶体管静u感/晶体管SIT(Static Induction Transistor)诞生于1970年，实际上是一种结型场效应晶体管。将用于信息处理的小功率SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构，即可制成大功率的SIT器件。SIT是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合，目前已在雷达通信设备、u声波/率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等某些专业领域获得了较多的应用。 但是SIT在栅极不加任何

12、信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，这被称为正常导通型器件，使用不太方便。此外，SIT通态电阻较大，使得通态损耗也大，因而SIT还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。 单电子晶体管用一个或者少量电子就能记录信号的晶体管。随着半导体刻蚀技术和工艺的发展，大规模集成电路的集成度越来越高。以动态u机存储器/RAM)为例，它的集成度差不多以每两年增加四倍的速度发展，预计单电子晶体管将是最终的目标。目前一般的存储器每个存储元包含了20万个电子，而单电子晶体管每个存储元只包含了一个或少量电子，因此它将大大降低功耗，提高集成电路的集成度。1989年斯各特(J.H. F.Scott-Thomas)等人在实验

13、上发现了库仑阻塞现象。在调制掺杂异质结界面形成的二维电子气上面，制作一个面积很小的金属电极，使得在二维电子气中形成一个量子点，它只能容纳少量的电子，也就是它的电容很小，小于一个？F (1015法拉)。当外加电压时，如果电压变化引起量子点中电荷变化量不到一个电子的电荷，则将没有电流通过。直到电压增大到能引起一个电子电荷的变化时，才有电流通过。因此电流-电压关系不是通常的直线关系，而是台阶形的。这个实验在历史上第一次实现了用人工控制一个电子的运动，为制造单电子晶体管提供了实验依据。为了提高单电子晶体管的工作温度，必须使量子点的尺寸小于10纳米，目前世界各实验室都在想各种办法解决这个问题。有些实验室

14、宣称已制出室温下工作的单电子晶体管，观察到由电子输运形成的台阶型电流电压曲线，但离实用还有相当的距离。 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar TransistorIGBT）综合了电力晶体管（Giant TransistorGTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。 主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 u流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同

15、，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1、u流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或表示。 2、u流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量IC与基极电流变化量IB的比值，一般用hfe或表示。 uE/u/有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。 耗散功率耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。 耗散功率与晶体管的最高

16、允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。 通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。 频率特性晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。 1、特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率f或f时，其电流放大系数值将随着频率的升高而下降。特征频率是指值降为1时晶体管的工作频率。 通常将特

17、征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。 2、最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。 通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率f，而特征频率fT则高于共基极截止频率f、低于共集电极截止频率f。 集电极最大电流uM/b 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。 最大反向电压 最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集

18、电极发射极反向击穿电压、集电极基极反向击穿电压和发射极基极反向击穿电压。 1、集电极集电极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。 2、基极 基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。 3、发射极发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。 反向电流晶体管的反向电流包括其集电极基极之间的反向电流ICBO和集电极发射极之间的反向击穿电流ICEO。 1集电极基极之间的反向电

19、流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。 2集电极发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称u透电流/此电流值越小，说明晶体管的性能越好。 编辑本段晶体管开关的作用控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是； (1)容易关断，所需要的辅助元器件少， (2)开关迅速，能在很高的频率下工作， (3)可得到的器件耐压范围从100V到700V，应有尽有 几年前，晶体管的开关能

20、力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力，改进了功率晶体管的性能。如 (1)开关晶体管有效芯片面积的增加， (2)技术上的简化， (3)晶体管的复合达林顿， (4)用于大功率开关的基极驱动技术的进步。 、 直接工作在整流380V市电上的晶体管功率开关晶体管复合(达林顿)和并联都是有效地增加晶体管开关能力的方法。 在这样的大功率电路中，存在的主要问题是布线。很高的开关速度能在很短的连接线上产生相当高的干扰电压。 简单和优化的基极驱动造就的高性能今日的基极驱动电路不仅驱动功率晶体管，还保护功率晶体管，称之为“非集中保护” (和集中

21、保护对照)。集成驱动电路的功能包括： (1)开通和关断功率开关； (2)监控辅助电源电压； (3)限制最大和最小脉冲宽度； (4)热保护； (5)监控开关的饱和压降。如何用万用表测试三极管判别基极和管子的类型选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。 判别集电极因为三极管发射极和集电极正

22、确连接时大（表针摆动幅度大），反接时就小得多。因此，先假设一个集电极，用欧姆档连接，（对NPN型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，两极不能接触，若指针摆动幅度大，而把两极对调后指针摆动小，则说明假设是正确的，从而确定集电极和发射极。 电流放大系数的估算选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比较用手捏住基极和集电极（两极不能接触），和把手放开两种情况小指针摆动的大小，摆动越大，值越高。 晶体管的检测和更换电路中的晶体管主要有u体二极管/晶体三极管、u控硅/场效应管等等，其中最常用的是三极管和二极管

23、，如何正确地判断二、三极管的好坏等是学维修关键之一。 1晶体二极管：首先我们要知道该二极管是硅管还是锗管的，锗管的正向压降一般为0.1伏0.3伏之间，而硅管一般为0.6伏0.7伏之间。测量方法为：用两只万用表测量，当一只万用表测量其正向电阻的同时用另外一只万用表测量它的管压降。最后可根据其管压降的数值来判断是锗管还是硅管。硅管可用万用表的R×1K挡来测量，锗管可用R×100挡来测。一般来说，所测的二极管的正反向电阻两者相差越悬殊越好。一般如正向电阻为几百到几千欧，反向电阻为几十千欧以上，就可初步断定这个二极管是好的。同时可判定二极管的正负极，当测得的阻值为几百欧或几千欧时，

24、为二极管的正向电阻，这时负表笔所接的为负极，正表笔所接的为正极。另外，如果正反向电阻为无穷大，表示其内部断线；正反向电阻一样大，这样的二极管也有问题；正反向电阻都为零表示已短路。 2晶体三极管：晶体三极管主要起放大作用，那么如何来判测三极管的放大能力呢？其方法是：将万用表调到R×100挡或R×1K挡，当测NPN型管时，正表笔接发射极，负表笔接集电极，测出的阻值一般应为几千欧以上；然后在基极和集电极之间串接一个100千欧的电阻，这时万用表所测的阻值应明显的减少，变化越大，说明该三极管的放大能力越强，如果变化很小或根本没有变化，那就说明该三极管没有放大能力或放大能力很弱。 电极

25、的判断方法 测量的锗管用R*100档，硅管用R*1k档，先固定红表笔与任意一支脚接触，黑表笔分别对其余两支脚测量。看能否找到两个小电阻，若不能再把红表笔移向其他的脚继续测量照顾到两个小电阻为止，若固定红线找不到两个小电阻，可固定黑表笔继续查找。 当找到两个小电阻后，所固定的一支表笔所用的为基极。若固定的表笔为黑笔，则三极管为NPN型，若固定的为红笔，则该管为PNP。 A 判断ce极电阻法 用万用表测量除基极为的两极的电阻，交换表笔测两次，如果是锗管，所测电阻较小的一次为准，若为PNP型，测黑表笔所接的为发射极，红表笔接的是集电极，若为NPN型，测黑表笔所接的为集电极，红表笔接的是发射极；如果是

26、硅管，所测电阻较大的一次为准，若为PNP型，测黑表笔所接的为发射极，红表笔接的是集电极，若为NPN型，测黑表笔所接的为集电极，红表笔接的是发射极。 B PN结正向电阻法 分别测两PN结的正向电阻，较大的为发射极，较小的为集电极。 C 放大系数法 用万用表的两支表笔与基极除外的两支脚接触，若为PNP，则用手指接触基极与红笔所接的那一极看指针摆动的情况，然后交换表笔测一次，以指针摆动幅度大的一次为准，这时，接红表笔的为集电极；若为NPN，则用手指接触基极与红笔所接的那一极看指针摆动的情况，然后交换表笔测一次，以指针摆动幅度大的一次为准，这时，接黑表笔的为集电极。 注意:模拟表和数字表的区别,模拟表

27、的红表笔接的是电源的负极，而数字表相反。近期维修经验总结， L050:POWER DETECT ERR1 (50)报警，类似这样的，总结根马达电源部分有关，一是供电线路，二是驱动板是否有供电，经两次维修，第一次修的一台机器最后发现电源线断了，接好后OK。第二次是驱动板坏了，维修后OK。         报警L003 FEEDBACK ERR 0 N1 （3）！，意为N1轴信息反馈错误，类似报警一般可判定为信号线断开，或受干扰，导致信号传送错误，再有可能就是伺服板卡信号运算错误，伺服板坏了。  &

28、#160;     急停无法解除，检查急停开关回路，看是否哪个开关坏了，以短接方式可以试出，再有检查YPU预留位置是否短接好，或是该位置插头掉下；如果这些都没有问题检查I/OCONVEYOR UNIT板卡A，看其是否工作，主要以通信板上5V电源灯是否亮，如果不亮，则是I/O板上的电源模块烧坏，亮，则可能通信板连接有问题，类似像安全感应无法消除，如果各感应器正常，检查后部机器下面I/O板。 电路图符号大全符号说明蓄电池继电器电容器点烟器双掷继电器断路器电阻器二极管 稳压管 相当于一个简单的电压调节器。 分支电阻器光电二极管可变电阻或变阻器分电器，

29、集成式点火装置传感器(热敏电阻)保险丝 熔断丝模拟式速度传感器短路插销接地电磁阀大灯扬声器喇叭手动开关点火线圈双掷开关灯点火开关LED(发光二极管)刮水器停驻开关模拟式仪表晶体管数字式仪表导线 接合处无黑点的交叉线(1)未连在一起。接合处有黑点或八角形()标记的交叉线连接在一起。电机还有一种电路图符号是字符表示电子元件的，下面是字符电路图符号大全：AAT 电源自动投入装置 AC 交流电 DC 直流电 FU 熔断器 G 发电机 M 电动机 HG 绿灯 HR 红灯 HW 白灯 HP 光字牌 K 继电器 KA(NZ) 电流继电器(负序零序) KD 差动继电器 KF 闪光继电器 KH 热继电器 KM

30、中间继电器 KOF 出口中间继电器 KS 信号继电器 KT 时间继电器 KV(NZ) 电压继电器(负序零序) KP 极化继电器 KR 干簧继电器 KI 阻抗继电器 KW(NZ) 功率方向继电器(负序零序) KM 接触器 KA 瞬时继电器 ； 瞬时有或无继电器；交流继电器 KV电压继电器 L 线路 QF 断路器 QS 隔离开关 T 变压器 TA 电流互感器 TV 电压互感器 W 直流母线 YC 合闸线圈 YT 跳闸线圈 PQS 有功无功视在功率 EUI 电动势电压电流 SE 实验按钮 SR 复归按钮 f 频率 Q电路的开关器件 FU熔断器 FR热继电器 KM接触器 KA1、瞬时接触继电器 2、瞬

31、时 有或无继电器 3、交流继电器 KT延时 有或无继电器 SB按钮开关Q电路的开关器件 FU熔断器 KM接触器 KA1、瞬时接触继电器 2、瞬时 有或无继电器 3、交流继电器 KT延时 有或无继电器 SB按钮开关 SA 转换开关 电流表 PA 电压表 PV 有功电度表 PJ 无功电度表 PJR 频率表 PF 相位表 PPA 最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表 PPF 有功功率表 PW 无功功率表 PR 无功电流表 PAR 声信号 HA 光信号 HS 指示灯 HL 红色灯 HR 绿色灯 HG 黄色灯 HY 蓝色灯 HB 白色灯 HW 连接片 XB 插头 XP 插座 XS 端子板 XT 电

32、线电缆母线 W 直流母线 WB 插接式(馈电)母线 WIB 电力分支线 WP 照明分支线 WL 应急照明分支线 WE 电力干线 WPM 照明干线 WLM 应急照明干线 WEM 滑触线 WT 合闸小母线 WCL 控制小母线 WC 信号小母线 WS 闪光小母线 WF 事故音响小母线 WFS 预报音响小母线 WPS 电压小母线 WV 事故照明小母线 WELM 避雷器 F 熔断器 FU 快速熔断器 FTF 跌落式熔断器 FF 限压保护器件 FV 电容器 C 电力电容器 CE 正转按钮 SBF 反转按钮 SBR 停止按钮 SBS 紧急按钮 SBE 试验按钮 SBT 复位按钮 SR 限位开关 SQ 接近开

33、关 SQP 手动控制开关 SH 时间控制开关 SK 液位控制开关 SL 湿度控制开关 SM 压力控制开关 SP 速度控制开关 SS 温度控制开关辅助开关 ST 电压表切换开关 SV 电流表切换开关 SA 整流器 U 可控硅整流器 UR 控制电路有电源的整流器 VC 变频器 UF 变流器 UC 逆变器 UI 电动机 M 异步电动机 MA 同步电动机 MS 直流电动机 MD 绕线转子感应电动机 MW 鼠笼型电动机 MC 电动阀 YM 电磁阀 YV 防火阀 YF 排烟阀 YS 电磁锁 YL 跳闸线圈 YT 合闸线圈 YC 气动执行器 YPAYA 电动执行器 YE 发热器件(电加热) FH 照明灯(发

34、光器件) EL 空气调节器 EV 电加热器加热元件 EE 感应线圈电抗器 L 励磁线圈 LF 消弧线圈 LA 滤波电容器 LL 电阻器变阻器 R 电位器 RP 热敏电阻 RT 光敏电阻 RL 压敏电阻 RPS 接地电阻 RG 放电电阻 RD 启动变阻器 RS 频敏变阻器 RF 限流电阻器 RC 光电池热电传感器 B 压力变换器 BP 温度变换器 BT 速度变换器 BV 时间测量传感器 BT1BK 液位测量传感器 BL 温度测量传感器 BHBM机械电路图符号大全      电流表 PA 电压表 PV 有功电度表 PJ 无功电度表 PJR 频率表

35、PF 相位表 PPA 最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表 PPF 有功功率表 PW 无功功率表 PR 无功电流表 PAR 声信号 HA 光信号 HS 指示灯 HL 红色灯 HR 绿色灯 HG 黄色灯 HY 蓝色灯 HB 白色灯 HW 连接片 XB 插头 XP 插座 XS 端子板 XT 电线,电缆,母线 W 直流母线 WB 插接式(馈电)母线 WIB 电力分支线 WP 照明分支线 WL 应急照明分支线 WE 电力干线 WPM 照明干线 WLM应急照明干线 WEM滑触线 WT合闸小母线 WCL控制小母线 WC信号小母线 WS闪光小母线 WF事故音响小母线 WFS预告音响小母线 WPS电压小

36、母线 WV事故照明小母线 WELM避雷器 F熔断器 FU快速熔断器 FTF跌落式熔断器 FF限压保护器件 FV电容器 C 电力电容器 CE 正转按钮 SBF反转按钮 SBR停止按钮 SBS紧急按钮 SBE试验按钮 SBT复位按钮 SR限位开关 SQ接近开关 SQP手动控制开关 SH时间控制开关 SK液位控制开关 SL湿度控制开关 SM压力控制开关 SP速度控制开关 SS温度控制开关,辅助开关 ST电压表切换开关 SV电流表切换开关 SA整流器 U可控硅整流器 UR控制电路有电源的整流器 VC变频器 UF变流器 UC逆变器 UI电动机 M 异步电动机 MA 同步电动机 MS 直流电动机 MD 绕

37、线转子感应电动机 MW 鼠笼型电动机 MC电动阀 YM电磁阀 YV防火阀 YF排烟阀 YS电磁锁 YL跳闸线圈 YT合闸线圈 YC气动执行器 YPA,YA电动执行器 YE光电池,热电传感器 B压力变换器 BP温度变换器 BT速度变换器 BV时间测量传感器 BT1,BK液位测量传感器 BL温度测量传感器 BH,BM发热器件(电加热) FH照明灯(发光器件) EL空气调节器 EV电加热器加热元件 EE感应线圈,电抗器 L 励磁线圈 LF 消弧线圈 LA 滤波电容器 LL 电阻器,变阻器 R 电位器 RP 热敏电阻 RT 光敏电阻 RL 压敏电阻 RPS 接地电阻 RG 放电电阻 RD 启动变阻器

38、RS 频敏变阻器 RF 限流电阻器 RC可控硅的主要参数1、 额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极-阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。3、 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。4、 控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极-阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所

39、需要的最小控制极电流和电压。5、 维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。可控硅可控硅是硅可控整流元件的简称，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器

40、、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。可控硅的分类按其工作特性，可控硅（THYRISTOR)可分为普通可控硅（SCR）即单向可控硅、双向可控硅（TRIAC)和其它特殊可控硅。可控硅的触发过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。可控硅的主要参数可控硅的主要参数: 1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VR

41、RM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。 3 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。可控硅的常用封装形式常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。LS： “熔断器”LS：least-significant IEEE 802.1Q 在电路中，LS是指蜂鸣器，如下图所示： 有时LS被当作是著名ACG论坛lost summer的简称 LS，液压传动设计系统中经常出现这个词汇，是load

42、sense的速写，表示负载敏感效应，一般指执行负载（马达或油缸）中的负载压力信号，这个压力信号可以连接到泵斜盘，用于闭环反馈控制。 终端复用器TM(Termination Multiplexer)终端复用器是把多路低速信号复用成一路高速信号，或者反过来把一路高速信号分接成多路低速信号的设备。TM是sdh中的终端复用器设备，是具有两个侧面的设备，可以从高频信号中下低频信号，把低频信号复用进高频信号。FR是一种有延时动作的限流保护器件，一般指热继电器 热继电器是用于电动机或其它电气设备、电气线路的过载保护的保护电器。 电动机在实际运行中，如拖动生产机械进行工作过程中，若机械出现不正常的情况或电路异

43、常使电动机遇到过载，则电动机转速下降、绕组中的电流将增大，使电动机的绕组温度升高。若过载电流不大且过载的时间较短，电动机绕组不超过允许温升，这种过载是允许的。但若过载时间长，过载电流大，电动机绕组的温升就会超过允许值，使电动机绕组老化，缩短电动机的使用寿命，严重时甚至会使电动机绕组烧毁。所以，这种过载是电动机不能承受的。热继电器就是利用电流的热效应原理，在出现电动机不能承受的过载时切断电动机电路，为电动机提供过载保护的保护电器。 使用热继电器对电动机进行过载保护时，将热元件与电动机的定子绕组串联，将热继电器的常闭触头串联在交流接触器的电磁线圈的控制电路中，并调节整定电流调节旋钮，使人字形拨杆与推杆相距一适当距离。当电动机正常工作时，通过热元件的电流即为电动机的额定电流，热元件发热，双金属片受热后弯曲，使推杆刚好与人字形拨杆接触，而又不能推动人字形拨杆。常闭触头处