阻抗控制设计指引( End version )

1、 4.4.1.1 Surface Microstrip4.4.1.5 Offset stripline 4.5.3.1 单端(线阻抗:参考地铜设计(屏蔽层单端和差分参考层设计一样!孔的位置同单端一样,只是两根线的间距与板内单元内的对应线的间距一致!深圳华祥荣正电子华祥电路科技有限公司 Shenzhen HuaXiang RongZhengHuaXiang Electronic Co.,Ltd. Instruction Name： 指引名称：阻抗控制设计指引 Instruction#： 指引号码：WI-ME-002 Revision: Number: Page Number： 版本: G 修订号

2、： 页码： Page 16 of 17 4.5.3.3 共面阻抗 4.5.3.3.1 单端共面阻抗 4.5.3.3.1.1 测试 COUPON 主要参数：同单端阻抗 。 4.5.3.3.1.2 单端共面阻抗的类型： 1）参考层与阻抗线在同一层面，即阻抗线被周围 GND/VCC 包围，周围 GND/VCC 即为参考层面。而与信 号层临近的层面非 GND/VCC（即非参考层）。POLAR 软件计算模式见 4.4.3.1 ；4.4.3.2 ；4.5.3.5 。 2）参考层为同一层面的 GND/VCC 和与信号层临近的 GND/VCC 层。（阻抗线被周围 GND/VCC 包围，周 围 GND/VCC

3、即为参考层面）。POLAR 软件计算模式见 4.4.3.4。 4.5.3.3.1.3 （1）参考层与阻抗线在同一层面，即阻抗线被周围 GND/VCC 包围，周围 GND/VCC 即为参考层面。 图形注释： 设计 COUPON 注意事项： 1） 阻抗线与保护铜皮之间距需与 GERBER 中一致。 2） 阻抗线与其参考层面在同一层，参考层面为周围大铜皮。 3）接地孔在信号线的同一层面与 GND 相连。 4.5.3.3.2 差分共面阻抗： 4.5.3.3.2.1 测试 COUPON 主要参数：同差分阻抗 4.5.3.3.2.2 差分共面阻抗类型： (1）参考层与阻抗线在同一层面，即阻抗线被周围 GN

4、D/VCC 包围，周围 GND/VCC 即为参考层面。而与信号 层临近的层面非 GND/VCC（即非参考层）。POLAR 软件计算模式见 4.4.3.8 ；4.4.3.9 ；4.4.3.12 。 (2）参考层为同一层面的 GND/VCC 和与信号层邻近的 GND/VCC 层。（阻抗线被周围 GND/VCC 包围，周 围 GND/VCC 即为参考层面）。POLAR 软件计算模式见：4.4.3.10，4.4.3.11。 4.5.3.3.2.3 (1） 参考层为同一层面的 GND/VCC 和与信号层邻近的 GND/VCC 层。 （阻抗线被周围 GND/VCC 包围， 周围 GND/VCC 即为参考层面）。 图形注解： 深圳华祥荣正电子华祥电路科技有限公司 Shenzhen HuaXiang RongZhengHuaXiang Electronic Co.,Ltd. Instruction Name： 指引名称：阻抗控制设计指引 Instruction#： 指引号码：WI-ME-002 Revision: Number: Page Number： 版本: G 修订号： 页码： Page 17 of 17 4.6 编写 MI 的相关要求： 1）一般情况下，MI 中注明阻抗线宽公差：+/-