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文档简介
1、第15章场效应晶体管和场效应晶体管简介。场效应通过调节施加在金属板上的电压来调节其下的半导体的电导，从而调节欧姆触点A和B之间的电流。半导体的电导率被施加在半导体表面上的垂直电场调节的这种现象称为场效应。图15-2结型场效应晶体管，图15.3金属氧化物半导体场效应晶体管，15.2场效应晶体管，1。1952年，肖克利首次提出并分析了结型场效应晶体管。在场效应晶体管中施加的栅极电压改变了pn结耗尽层的宽度，从而调节了源极和漏极欧姆接触之间的电导。图15.9是现代外延场效应晶体管的透视图。为了分析场效应晶体管的基本工作原理，首先设置了一个标准的偏置条件。VG0:pn结始终为0偏置或反向偏置VD0:确
2、保n区中的电子从源极流向漏极。通过系统地改变端电压来分析器件中的变化。第二，器件工作的定性理论，首先假设VG=0，分析当VD逐渐增加时，电流ID从S-D的变化(1) VD=0:器件处于热平衡，在P-N结有一个小的耗尽区(2)VD缓慢增加一个较小的电压，电流将流过N沟道，这就像一个纯电阻，电流ID随VD的增加而线性增加。(3)当VD增加到零点电压以上时，顶部和底部的耗尽区将逐渐扩大，沟道将变窄，沟道的电阻将逐渐增加，ID-VD曲线的斜率将减小。(4)泄漏电压将持续增加，直到漏极端附近的顶部和底部的耗尽区最终连接在一起，此时沟道完全耗尽。这种情况称为“夹断”。对应的漏电压称为“夹断电压vdsat”(5)，在VDS at之后，随着VD的增加，ID基本保持不变并达到饱和，当VG=0时，显示出J-FET的各种工作状态。图15.12伏安特性曲线(a)线性泄漏电压非常小(b)沟道变窄，导致斜率缓慢(c)夹断和饱和现象。(1)VG0，即使VD=0，顶部和底部的p-n结处于反向偏置，这增加了耗尽层的宽度，使沟道的宽度变窄，增加了沟道的电阻，并减小了ID-VD曲线中线性部分的斜率。(2)当负偏置电压VG0施加到栅极时，夹断电压VDsat变小。(3)对于较大的负偏置电压VG，即使VD=0，整个沟道也可能处于耗
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