电力电子技术知识考核题库与答案

电力电子技术知识考核题库

一、单选题

1、（）出现前的时期可称为电力电子技术的史前期或黎明期。［单选题］*

A、电力二极管

B、水银整流器

C、晶闸管V

D、IGBT

2、（）属于全控型器件，它是MOSFET和BJT的复合。其性能十分优越，使之成为现代电力电子技术

的主导器件。［单选题］*

A、电力二极管

B、晶闸管

C、GTO

D、IGBTV

3、（）是MOSFET和GTO的复合。其目前也取得了相当的成功,已经获得大量应用。［单选题］*

A、SIT

B、晶闸管

C.IGBT

DxIGCTV

4、晶闸管属于半控型器件，它的触发信号加在（）之间。［单选题］*

A、阳极与阴极

B、门极与阴极V

C、栅极与集电极

D、栅极与发射极

5、IGBT属于电压驱动型器件，它的驱动控制信号加在（）之间。［单选题］*

A、阳极与阴极

B、门极与阴极

C、栅极与集电极

D、栅极与发射极V

6、随着全控型电力电子器件的不断进步，电力电子电路的工作频率也不断提高，电力电子器件的（）

也随之增大。［单选题］*

A、通态损耗

B、断态损耗

C、开关损耗V

D、开通损耗

7、电化学工业大量使用直流电源，电解铝、电解食盐水等都需要大容量（X［单选题］*

A、整流电源V

B、逆变电源

C、直流斩波电源

D、变频器

8、以前的电梯大都采用直流调速系统，而近年来（）调速已成为主流。［单选题］*

A、斩波

B、交流变相

C、交流调压

D、交流变频V

9、轻型直流输电主要采用（）器件。［单选题］*

A、晶闸管

B、电力MOSFET

C、GTO

DvIGBTV

10、通信设备中的程控交换机所用的直流电源以前用晶闸管整流电源，现在已改为采用全控型器件的

I［单选题］*

A、逆变电源

B、直流斩波电源

C、线性稳压电源

D、高频开关电源V

11、逆导IGBT相当于将一个IGBT两端反并联一个（）。［单选题］*

A、快速二极管V

B、晶闸管

C、电力MOSFET

D、GTO

12、下列器件中，（）与SIT速度相当。［单选题］*

A、晶闸管

B、GTO

C、电力MOSFETV

D、IGBT

13、以下器件中,开关速度达几百kHZ,甚至高达1MHZ的是（X［单选题］*

A、GTO

B、GTR

C、电力MOSFETV

D、IGBT

14、下列器件中，兆瓦级以上场合可采用的全控器件是（X［单选题］*

A、SCR

B、GTOV

C、电力MOSFET

D、IGBT

15、PN结具有的（），使得电力二极管导通时，虽然通过很大电流，但正向导通压降很低，只有IV左

右。［单选题］*

A、电容效应

B、电导调制效应V

C、电感效应

D、滞后施

16、某电力二极管在电路中需要流过实际电流的有效值为314A,那么考虑1.5倍裕量，选择额定电

流为（）的二极管。［单选题］*

A、314A

B、300M

C、471A

D、740A

17、某电力二极管额定电流为300A,那么考虑1.5倍裕量，在电路中允许长期流过的实际电流的有效

值I为（［［单选题］*

A、200A

B、300A

C、314AV

D、450A

18、某电路中需要承受的最高反向峰值电压为220V,考虑2倍裕量，选择额定电压U为（）V的二

极管。［单选题］*

A、220

B、440

C、500V

D、1000

19、以下器件中，（）可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中。［单选题］

*

A、快速晶闸管

B、双向晶闸管

C、逆导晶闸管

D、光控晶闸管V

20、要使原来导通的晶闸管关断，须将流过晶闸管的电流降到（）以下。［单选题］*

A、额定电流；

B、维持电流；V

C、擎住电流；

D、触发电流。

二、多选题（共20题，每题2分，共40分）

1、PWM控制在电力电子变流技术中占有十分重要的位置，它在（）等电力电子电路中均可应用。

A、整流，

B、逆变V

C、直流斩波V

D、交流-交流控制V

2、目前电力电子集成电路的功率都比较小、电压也较低，它面临着（）等几大难题。*

A、电压隔离V

B、热隔离V

C、光隔离

D、电磁干扰V

3、为了减小开关损耗，软开关技术便应运而生，（）就是软开关的最基本形式。*

A、ZVSV

B、ZCSV

C、TSC

D、TCR

4、工业中大量应用各种交直流电动机。其中直流电动机有良好的调速性能，为其供电可以是下面的（\

A、整流电源V

B、逆变电源

C、直流斩波电源V

D、变频器

5、高频开关电源具有（）的优点，现在已逐渐取代了线性电源。*

A、体积小V

B、重量轻V

C、效率高V

D、不产生谐波

6、（）和（）受环境的制约，发出的电力质量较差，常需要储能装置缓冲，需要改善电能质量，这就需要

电力电子技术。*

A、火力发电

B、核能发电

C、太阳能发电V

D、风力发电V

7、同处理信息的电子器件相比，电力电子器件一般具有如下特征：（）*

A、处理电功率的能力比较大；V

B、工作在放大状态；

C、由信息电子电路来控制；V

D、需要安装散热器V

8、以下器件中，（）属于全控型器件。*

A、电力二极管

B、晶闸管

C、电力MOSFETV

DsIGBTV

9、以下器件中，（）属于单极型器件。*

A、晶闸管

B、SITV

C、电力MOSFETV

D、IGBT

10、以下器件中，（）属于复合型器件。*

AsIGCTV

B、MCTV

C、电力MOSFET

D、IGBTV

11、电力电子器件可以按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为。（）*

A、单极型器件V

B、双极型器件V

C、复合型器件V

D、反极型器件

12、按照控制端和公共端之间信号的性质，可以将电力电子器件分为。（）*

A、电流驱动型V

B、电压驱动型V

C、电平驱动型

D、脉冲驱动型

13、电力电子器件的开关损耗包括。（）*

A、通态损耗

B、断态损耗

C、开通损耗V

D、关断损耗V

14、IGBT是哪两种器件的复合。（）*

A、GTO

B、SCR

C、MOSFETV

D、GTRV

15、以下器件属于全控型器件的是（）*

A、晶闸管

B、门极可关断晶体管V

C、电力双极型晶体管V

D、电力场效应晶体管。

16、电力电子学是由（）学科交叉而形成的。*

A、电力学V

B、电子学V

C、控制理论V

D、电机学

17、目前用于电力电子器件制造的宽禁带半导体材料主要有（）。

A、硅

B、碳化硅V

C、氮化钱V

D、楮

18、电力MOSFET具有（）特点。*

A、驱动电路简单，需要的驱动功率小V

B、开关速度快。

C、电流容量小，耐压低，多用于功率不超过10kW的电力电子装置V

D、电流容量大，耐压高，多用于功率大于10kW的电力电子装置

19、与相控整流电源相比，开关电源具有（）特点。*

A、需要的滤波器更大

B、采用了高频变压器V

C、体积小V

D、重量轻V

20、下列换流方式中，（）是针对晶闸管而言的*

A、器件换流

B、电网换流V

C、负载换流V

D、强迫换流V

三、判断题（共20题，每题1分，共20分）

1、电力电子器件总是工作在开关状态。（）［单选题］*

A、正确V

B、错误

2、为了减小通态损耗，软开关技术便应运而生。（）［单选题］

A、正确

B、错误V

3、在系统开关频率较低的情况下，开关损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。（）［单选题］*

A、正确

B、错误V

4、双向晶闸管的额定电流是以能流过的最大正弦半波电流的平均值来定义的（1［单选题］*

A、正确

B、错误。

5、电力二极管内部PN结的电导调制效应影响PN结的工作频率。（）［单选题］*

A、正确

B、错误，

6、从外形上来看，晶闸管主要有螺栓形和平板形两种封装结构。其中电流大的做成螺栓形，电流小的

做成平板形。（）［单选题］*

A、正确

B、错误V

7、当晶闸管承受正向电压时，晶闸管开通；晶闸管承受反向电压时，晶闸管关断。（）［单选题］*

A、正确

B、错误V

8、若要使已导通的晶闸管关断，需要将晶闸管两端的电压降到零。（）［单选题］*

A、正确

B、错误V

9、晶闸管的电压定额中有反向重复峰值电压URRM和断态重复峰值电压UDRM,通常取晶闸管的

UDRM和URRM中较大的标值作为该器件的额定电压。（）［单选题］*

A、正确

B、错误V

10、GTO导通时饱和程度比晶闸管导通时饱和程度深。（）［单选题］*

A、正确

B、错误V

11、如果将电力电子器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片

上,则称为功率模块。（）［单选题］*

A、正确

B、错误V

12、通过控制触发脉冲的相位来控制输出电压大小的方式称为斩波控制方式。（）［单选题］*

A、正确

B、错误V

13、阻感负载的特点是负载电流的变化超前于负载电压。（）［单选题］*

A、正确

B、错误V

14、三相全控桥式整流电路，为变压器副边相电压有效值，带纯电阻负载。晶闸管承受的最大正向和

最大反向电压均为变压器二次线电压峰值，即。（）［单选题］*

A、正确

B、错误V

15、三相全控桥整流电路，为变压器副边相电压有效值，带阻感负载。晶闸管承受的最大正向和最大

反向电压均为变压器二次线电压峰值，即。（）［单选题］

A、正确V

B、错误

16、逆变角太小会造成逆变失败。（）［单选题］*

A、正确V

B、错误

17、电流驱动型器件的特点是输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单。（）［单选题］*

A、正确

B、错误。

18、无源逆变电路，是把直流电能逆变成交流电能送给电网（）［单选题］*

A、正确

B、错误，

19、三相桥式全控整流电路,输出电压波形的脉动频率是150Hz。（）［单选题］*

A、正确

B、错误V

20、三相桥式全控整流电路，共阴极组VT1、VT3、VT5的脉冲依次差120°,同一相的上下两个桥臂,

脉冲相差180°（）［单选题］*

A、正确V

B、错误

B

1.在共发射极放大电路中，增大基极电流时，三极管的集电极电流和电位将（）。［单选题］*

A集电极电流增大，集电极电位升高

B集电极电流增大，集电极电位降低V

C集电极电流减小，集电极电位升高

D集电极电流减小，集电极电位降低

2.在共发射极放大电路中，减小基极电流时，三极管的集电极电流和电位将（）。［单选题］*

A集电极电流减小，集电极电位升高V

B集电极电流减小，集电极电位降低

C集电极电流增大，集电极电位升高

D集电极电流增大，集电极电位降低

3.交流放大电路中，改变RC的电阻值，将会使放大电路的（X［单选题］*

A电压放大倍数改变

B静态工作点改变，IC减小

C静态工作点改变，IC增大

D电压放大倍数改变，同时也改变了静态值UCEV

4.在共发射极放大电路中，若发射极经一电阻RE和一电容并联再接地。那么电阻RE的作用是（X

［单选题］*

A稳定静态工作点的作用V

B起负反馈作用

C减小发射极电流IE的作用

D不确定

5.在共发射极电路中，减小负载电阻RL将使放大器放大倍数（X［单选题］*

A降低

B升高V

C不变

D不一定

6.电路如图6所示,叙述正确的是（X［单选题］*

A.电流源吸收功率，电压源发出功率

B.电流源和电压源都吸收功率

C.电流源发出功率，电压源吸收功率V

D.电流源和电压源都发出功率

7.若将同一白炽灯分别接入到直流电源和有效值为的交流电源上，则（I［单选题］*

A.接至直流电源时较亮

B.接至交流电源时较亮

C.两者亮度相同V

8.下列说法中不符合R、L、C串联谐振特征的是（I［单选题］*

A.电路对电源呈现电阻性

B.电路的阻抗模最大V

C.1

D.电流最大

9.三相异步电动机转动的原理是（X［单选题］*

A.定子磁场与定子电流的相互作用

B.转子磁场与转子电流的相互作用

C.旋转磁场与转子电流的相互作用V

D.旋转磁场与定子电流的相互作用

10.时序逻辑电路的输出状态的改变（X［单选题］*

A.仅与该时刻输入信号的状态有关；

B.仅与时序电路的原状态有关；

C.与A.、B.皆有关V

D.输出信号的次态

11.射极输出器的输出电压与输入电压的相位（X［单选题］*

A反相

B同相V

C相位差为900

D不确定

12.在共发射极电路中，增大负载电阻RL将使放大器放大倍数（）。［单选题］

A降低

B升高V

C不变

D无法确定

13.组合逻辑电路通常由（）组合而成。［单选题］*

A.门电路；V

B.触发器；

C.计数器；

D.寄存器

14.用8421码表示的十进制数65,可以写成（X［单选题］*

A.65

B.［1000001］BCD

C.[01100101]BCDV

D.［1000001］2

15.电流的真实方向是（X［单选题］*

A从电源正极流出来的方向

B正电荷移动的方向V

C从电源负极流出来的方向

D负电荷移动的方向

16.电压的真实方向是（I［单选题］*

A从高电压到低电压方向

B高电位指向低电位方向V

C从正极指向负极的方向

D不确定

17.电源电动势的实际方向是（\［单选题］*

A从低电位指向高电位V

B从高电位指向低电位方向

C从电源正极指向负极的方向

D不确定

18.在直流电路的计算中，若选择了某一方向为电流的参考方向。求解出来的电流或电压是正值。则表

示参考方向与实际方向（\［单选题］*

A相同V

B相反

C不一定

19.在直流电路的计算中，若选择了某一方向为电流的参考方向。求解出来的电流或电压是负值。则表

示参考方向与实际方向（\［单选题］*

A相反V

B相同

C不一定

20.在列写回路电压方程时，若选择了电路图中电流的参考方向。问：电压、电动势的方向应（I［单

选题］*

A与电流的参考方向一致V

B电压与电流一致，电动势与电流相反

C与电流的参考方向相反

D以上均不是

21.任何一个有源二端线性网络的戴维南等效电路是（）［单选题］*

A一个理想电流源和一个电阻的并联电路

B一个理想电流源和一个理想电压源的并联电路

C一个理想电压源和一个理想电流源的串联电路

D一个理想电压源和一个电阻的串联电路V

22.下面关于理想电压源说法错误的是（X［单选题］*

A端电压不随输出电流的大小而改变

B输出电流的大小由外部负载决定

C可以用一个内阻为0的电动势来表示

D输出电流不随端电压的大小而改变V

23.将一个实际的电压源等效为一个实际的电流源以后，电流源的电流方向是（）*

A从原来电压源的正极指向负极

B从原来电压源的负极指向正极V

C不变

D以上都不是

24.将一个实际电流源等效为一个实际电压源。等效后的电压源其端电压是（X*

A等于电流源原来的端电压

B等于原来的电流源电流乘以并联的内阻V

C等于原来的电流源电流乘以串联的内阻

D以上均不是

25.下面关于射极输出器说法错误的是（X［单选题］*

A射极输出器的输入电阻高

B射极输出器的输出电阻低

C射极输出器的输出电压不稳定，带负载能力弱V

D射极输出器的电压放大倍数约等于1

26.在R、C串联电路中，电阻两端的电压有效值为3V,电容两端的电压有效值为4V。串联电路的

总电压有效值是（1［单选题］*

AIV

B5VV

C7V

D12V

27.在R、L串联的交流电路中，分别测得电阻、电感两端的电压有效值为8V和6V。那么，总电压

有效值应是（X［单选题］*

A2V

B14VV

C10V

DOV

28.已知在R、L串联的正弦交流电路中，总电压U=3OV,L上的电压UL=18V，则R上的电压UR应

为（）［单选题］*

A12V

B24V

C48VV

D48V

29.在R、C串联的交流电路中，增大原来的电阻后，总电压与电流的相位差将（X［单选题］*

A增大

B减小V

C不变

D不确定

30.在R、L串联的交流电路中，增大原来的电阻后，总电压与电流的相位差将（\［单选题］*

A增大

B减小V

C不变

D不确定

31.一个电感串联一个电阻，其串联电路的阻抗角应是：（）［单选题］*

A等于00

B等于900

C大于00而小于900V

D小于00

32.一个电容串联一个电阻，其串联电路的阻抗角应是(X［单选题］*

A等于900

B小于00而大于-900V

C大于00而小于900

D不确定

33.在纯电容元件电路中，在相位上电流比电压(\［单选题］*

A滞后900

B超前900V

C没有相位差

D无法确定

34.在纯电感元件电路中，在相位上电流比电压(\［单选题］*

A滞后900V

B超前900

C没有相位差

D无法确定

35.设某负载端电压口=311sin(wt+900)V,流过的电流i=10sin(wt+300)A。则该负载的阻抗是

\［单选题］*

A31.1Z600QV

B31.1Q

C22Q

D22z600

36.在含有LC的电路中，当电源的频率和电路的参数符合一定的条件时，电路总电压与总电流的相位

相同，整个电路呈（）性，此现象称为（）。［单选题］*

A.电感性,谐振

B.电容性，谐振

C.电阻性，谐振V

D.电感性，串联谐振

37.实验室中的交流电压表和电流表，其读值是交流电的（）［单选题］*

A最大值

B有效值V

C瞬时值

D最小值

38.电路的时间常数大，则瞬态过程进行（X［单选题］*

A较快

B较慢V

C不变

D不确定

39.电路的时间常数大，则瞬态过程进行（\［单选题］*

A较快V

B较慢

C不变

D不确定

40.稳压二极管正常工作时，应工作在（）［单选题］*

A正向导通区

B截止区

C反向击穿区V

D死区

41.半导体三极管是一种（）［单选题］*

A电压控制电压的器件

B电压控制电流的器件

C电流控制电流的器件V

D电流控制电压的器件

42.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为UE=6V,UB=5.3V,UC=0V,则该管为（\［单

选题］*

APNP型铸管

B.NPN型褚管

CPNP型硅管V

DNPN型硅管

43.当NPN三极管发射结电压大于0.6V,集电结电压小于0.6V时，三极管处于（\［单选题］*

A导通状态

B放大状态V

C截止状态

D不确定

44.当NPN三极管发射结电压大于0.6V;集电结电压也大于0.6V时，三极管的工作状态是（\［单

选题］*

A导通状态V

B放大状态

C截止状态

D不确定

45.晶体三极管工作于饱和状态时，贝！J（I［单选题］*

A发射结正偏，集电结反偏

B发射结正偏，集电结正偏V

C发射结反偏，集电结反偏

D发射结反偏，集电结正偏

46.当NPN三极管发射结电压小于0V;集电结电压小于0V时，三极管的工作状态是（1［单选题］

*

A导通状态

B放大状态

C截止状态V

D不确定

47.为使NPN型三极管可靠截止，应使（X［单选题］*

AUBE<O,UBC<OV

BUBE>0,UBC>0

CUBE<0,UBC>0

DUBE>0,UBC<0

48.在单管固定偏置共射极放大电路中若测得三极管的静态管压降UCEr近似等于电源电压UCC时,

则该管工作状态为（）［单选题］*

A饱和

B截止V

C放大

D不确定

49.在共发射极电路中，三极管的［3=100,集电极电阻RC=1KQ,电源电压为10Vo那么使三极管

进入饱和时的基极电阻RB应是（X［单选题］*

A50KQ

B100KQV

C150KQ

D200KQ

50.在共发射极电路中，三极管的p=50,集电极电阻RC=1KQ,电源电压为10Vo则使三极管进入

饱和时的基极电阻RB应是（X［单选题］*

A50KQV

B100KQ

C150KQ

D200KQ

c

1.电力晶体管的外部电极是：集电极、基极和发射极。［判断题］*

对v

错

2.在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。［判断题］*

对V

错

3.硅管正向导通时的压降为0.6~0.8V。［判断题］*

对

错V

4.电流放大系数一般用参数a表示。［判断题］*

对

错V

5.硅管正偏导通时，其管压降(即阴阳极两端的电压)约为()。［单选题］

A0.1V

B0.2V

C0.5VV

D0.7V

6.()型晶体管的材料为()，()型晶体管的材料为()。［单选题］*

A、NPN,硅;PNP,硅

B、PNP,硅；NPN,德

C、NPN，错；PNP,硅V

D、PNP,褚；NPN,硅

7.把直流电变为交流电的电路称为整流。［判断题］*

对

错V

8.周期不变，通过改变导通时间而改变变压比，达到控制输出电压目的的是()。［单选题］

A、脉冲宽度调制V

B、PWH控制技术

C、脉冲频率调制

D、混合型调制

9.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在()。［单选题］*

A、导通状态

B、关断状态V

C、饱和状态

D、不一定

10.三相逆变电路是将()变为()。［单选题］*

A、直流电，单相交流电

B、单相交流电，直流电

C、直流电，三相交流电V

D、三相交流电，直流电

11.在门电路中，以下哪个逻辑函数是正确的()。［单选题］*

A、A+l=0

B、A0=l

C、A1=AV

D、A+0=0

12.给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。［判断题］*

对

错V

对同一晶闸管，维持电流与擎住电流在数值大小上有小于［判断题］

13.IHILILIH0

对

错V

14.根据逻辑代数运算规律A*(B+C)=(A+B)*(C+D)。［判断题］*

对

错V

15.晶闸管从承受正向电压开始到触发脉冲出现之间的电角度称为控制角。［判断题］*

对V

错

16.门极可关断晶闸管是一种全控型器件。［判断题］*

对V

错

与门的逻辑函数是［判断题］*

17.Y=A+Bo

对

错V

18.三相逆变电路是将直流电变为三相交流电。［判断题］*

对V

错

19.NPN型晶体管死区电压为()V,所以通常发射结电压为()V。［单选题］*

A、0.1,0.6—0.7

B、0.5,0.6—0.7V

C、0.1,0.2—0.3

D、0.5,0.2—0.3

20.降压斩波电路中，输出功率()输入功率。［单选题］*

A、大于

B、等于V

C、小于

D、不一定

21.在降压斩波电路中，a代表的含义是()。［单选题］*

A、导通角

B、控制角

C、占空比V

D、触发角

22.周期不变，通过改变导通时间而改变变压比，达到控制输出电压目的的是()。［单选题］*

A、脉冲宽度调制V

B、PWH控制技术

C、脉冲频率调制

D、混合型调制

23.晶闸管是()器件。［单选题］*

A、全控型

B、不可控

C、半控型V

D、逆导

24.三相逆变电路是将直流电变为单相交流电。［判断题］

对

错V

25.普通晶闸管、快速晶闸管、高频晶闸管中开关速度最快的是高频晶闸管。［判断题］*

对V

错

26.只要在晶闸管两端施加正向电压，晶闸管就能导通。［判断题］*

对

错V

27.电感有滤波的作用。［判断题］*

对V

错

28.三段不等分半控整流桥由两个二极管，六个晶闸管组成。［判断题］*

对

错V

29.以相数分类，整流电路可以分为单相整流电路和三相整流电路。［判断题］*

对V

错

30.与门的逻辑函数是Y=A+B。［判断题］*

对

错V

31.单相不可控整流电路可以调节输出电流的大小。［判断题］*

对

错V

32.在逻辑电路中,Y=A+B・C可以转化为Y=(A+B)・(A+C)。［判断题］*

对V

错

33.在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是()型掺杂半导体。［单选题］*

A、PV

B、N

C、M

D、S

34.晶闸管门极触发电流越大，导通所需的转折电压()。［单选题］*

A、大

B、小V

C、不变

D、没有规律

35.绝缘栅双极型晶体管的G极是()。［单选题］*

A、门极

B、集电极

J栅极V

D、发射极

36.下面对整流电路描述正确的是()。［单选题］*

A、改变直流电的大小

B、直流电变为交流电

C、交流电变为直流电V

D、改变交流电的频率、相位

37.电流放大系数一般用参数（）表示。［单选题］*

A、卸

B、ICBO

C、ICM

D、ICEO

38.下列不属于晶体三极管的结构区域是（）。［单选题］*

A、发射区

B、集电区

C、死区V

D、基区

39.三极管具有放大作用的内部条件为（）。［单选题］*

A、Ube<UceV

B、Ube>Uce

C、Ube=Uce

D、Ube=O

40.晶闸管的等效电路可以由（）个二极管串联，或者（）个三极管构成。［单选题］*

A、3,4

B、3,2V

C、2,3

D、1,3

41.AC-DC变换是将交流电变换为直流电，一般称为整流。［判断题］*

对V

错

42.晶闸管的导通条件是阳极电压大于零、门极电压大于零。［判断题］*

对V

错

43.对于晶体三极管输出特性曲线中IB=O的曲线以下的部分是截止区。［判断题］*

对V

错

44.在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现。［判断题］*

对V

错

45.脉冲宽度调频不但改变斩波器的工作频率，而且改变斩波器的导通时间。［判断题］

对

错V

46.楮管正向导通时的压降为0.2~0.6V。［判断题］*

对

错V

47.绝缘栅双极型晶体管的G极是栅极。［判断题］*

对V

错

48.电力场效应晶体管属于电流型控制元件。［判断题］

对

错V

49.可关断晶闸管GTO属于半控型器件。［判断题］*

对

错V

50.同一支可关断晶闸管的门极开通电流比关断电流大。［判断题］*

对

错V

51.脉冲宽度宽调频不但改变斩波器的工作频率，而且改变斩波器的导通时间。［判断题］*

对

错V

52.在本征半导体中掺入5价元素得N型半导体，掺入3价元素则得P型半导体。［判断题］*

对V

错

53.实际使用电力晶体管时，必须要有