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文档简介
第四章物质结构与性质元素周期律
第15讲晶体结构与性质
1.(2022•湖北卷・9)某立方卤化物可用于制作光电材料,其晶胞结构如图所示。
下列说法错误的是()。
A.Ca*的配位数为6
B.与F距离最近的是K-
C.该物质的化学式为KCaE,
D.若F换为C1,则晶胞棱长将改变
答案:B
解析:C/配位数为与其距离最近且等距离的F的个数,由题图可知,C1位于体
心,F位于面心,所以C1配位数为6ZA正确;F与K的最近距离为棱长的弓F与Cd
的最近距离为棱长的;,所以与F距离最近的是Ca^B错误;K位于顶点,所以K个数
4义8二1,F位于面心,F个数4X6二3心2’位于体心,所以CH?个数二1,综上,该物质的
O/
化学式为KCaF:1/C正确;F与C1半径不同,替换后晶胞棱长将改变,D正确。
2.(2022•山东卷・15)双选)Cu-Se是一种钠离子电池正极材料,充放电过程中正
极材料立方晶胞(示意图)的组成变化如图所示,晶胞内未标出因放电产生的0价
Cu原子。下列说法正确的是()。
Cu2.,SeNa,Cu2TseNaCuSeNa;Se
oSe!-ONa\Cu\Ci产可能占据的位置oNa
A.每个Cu2rse晶胞中CiT个数为x
B.每个Na2Se晶胞完全转化为Cu.,Se晶胞,转移电子数为8
C.每个NaCuSe晶胞中0价Cu原子个数为l-x
D.当Na,Cu2Ase转化为NaCuSe时,每转移(l-y)mol电子,产生(l-x)niolCu原子
答案:BD
解析:由Cu2..tSe晶胞结构可知,位于顶点和面心的硒离子个数为8X;+6X结
合化学式Cu2,Se可知,Cu「和Cu'的个数之和为8-4%设晶胞中的Cd和Cu的个数
分别为a和力厕/炉8-4%由化合价代数和为0可得2广炉4X2,解得炉4片故A项
错误;N&Se晶胞完全转化为Cu2rse晶胞,则0价的Cu最终失电子形成个Cu"
和Cu嵌入晶体结构中得到电子总数为8户(8-8止8个,即转移电子数为8,B项正
确;由Cu-Se晶体结构推知,一个Cu2.ASe晶胞中C心和Cu'总数是(8-40个,放电后
形成NaCuSe,一个NaCuSe晶胞中有4个Cu,因此0价Cu原子个数为8-8尸4=(4-4力
个,C项错误;Na’CjSe转化为NaCuSe的电极反应式为Na£u*e+(l-y)e+(l-aNa,
=NaCuSe+(l-x)Cu,所以每转移(l-y)mol电子,产生(lr)molCu,D项正确。
3.(1)[2022•浙江1月选考・26⑵]四种晶体的熔点数据如表:
物质CF.,SiF.BI-3A1F3
熔点/℃-183-90-127>1000
CF」和Si%熔点相差较小,BF:和All%熔点相差较大,原因是。
答案:CF环口SiK都是分子晶体,结构相似,分子间作用力相差较小,所以熔点相差
较小;通过分子间作用力形成分子晶体,AlF,通过离子键形成离子晶体,破坏离
子键需要的能量多得多,所以熔点相差较大
⑵[2022•辽宁卷•网6)]某种新型储氢材料的晶胞如图,八面体中心为M金属离
子,顶点均为NH,配体;四面体中心为硼原子,顶点均为氢原子。若其摩尔质量为188
g•mol喇M元素为(填元素符号);在该化合物中川离子的价电子排布式
为O
答案:Fe3d6
解析:由题图可知,"•"代表M(NH:M"。"代表EH〃面心立方最密堆积的晶胞中,
处于8个顶角和6个面心贝)每个晶胞中含的个数为8X96X}4,8
个〃。〃均处于晶胞内部,则〃•〃和"。〃的个数之比为4:8=1:2,故该晶体的
化学式为M(NH3%・(BHR又知该化合物的摩尔质量为188g・mol:则有
K(M)+17X6+15X2=1略解得叔(V)=56,故M元素为碎。化合物IS(NH:<印。「中,NH,
整体为0价,BH4中B为+3价,H为T价,则I'e为+2价,基态Fe原子核外电子排布式
为[Ar]3dZs:失去4s轨道上的2个电子得到Fe:故F"的价电子排布式为3dl
4.(2022•全国乙卷・35节选)⑴卤化物CsICL受热发生非氧化还原反应,生成无
色晶体X和红棕色液体Y。X为。解释X的熔点比Y高的原因:
答案:CsClCsCl为离子晶体,IC1为分子晶体,离子键强于范德华力
解析:CslCh中,电负性:Cl〉l>Cs,即Cs、1均显+1价,C1显T价;CsICL的分解反
应属于非氧化还原反应,且无色晶体X的熔点比红棕色液体Y高,可推知,无色晶体
X为CsCl,红棕色液体Y为ICleCs是第IA族元素,类比NaCl为离子晶体可判断
CsCl属于离子晶体,熔化时破坏离子键;I和C1为同主族元素,电负性相差较小/C1
为分子晶体,熔化时破坏范德华力,破坏离子键需要的能量高于破坏范德华力需要
的能量,所以CsCl的熔点高于1C1O
⑵«-AgI晶体中I离子作体心立方堆积(如图所示),Ag主要分布在由I构成的四
面体、八面体等空隙中,在电场作用下,Ag不需要克服太大的阻力即可发生迁移。
因此a-Agl晶体在电池中可作为_______。已知阿伏加德罗常数为『%则a-Agl
晶体的摩尔体积匕二_______m-mo「(列出算式)。
a=504pm
答案:固态电解质(504x10
2
②已知该晶胞的晶胞参数分别为arun、bnmxcnm,Q=B=/二90。,则该晶体的
密度P=g・cif3(设阿伏加德罗常数的值为从用含a、b、c、A;的代数式
表ZF)o
答案:①。Mg^GeO.本乎
abcN^
解析:①由题中晶胞结构图可知」个晶胞中,对于X原子,8个位于顶点、4个位于
棱上、6个位于面上、3个位于晶胞内,故1个晶胞中含有X的数目为
8x打X1+6X$3=8(个);对于Y原子,4个Y原子均位于晶胞内;对于Z原子,16个Z
原子均位于晶胞内。其中Ge和0的原子个数比为1:4,则X为Mg,Y为Ge,Z为0。
由上述分析可知,该化合物的化学式为Mg2G2。②1个晶胞的质量-24X8+73:+I6XI6
NA
740
g个g,l个晶胞的体积二加ex10“cn。则晶体的密度”―受,3
NAabcx10''cm,abcNA
g•cm0
6.(2022•河北二轮复习联考)第IVA族元素又叫碳族元素,包括C、Si、Ge.Sn、
Pb等,请回答下列相关问题:
⑴基态褚原子的价电子排布图为,同周期主族元素中与其未成对电子数
相同的是(填元素符号)。
4s4p
答案:回过口Se
解析:基态Ge原子未成对电子数为2,主族中基态原子未成对电子数为2的除IVA
族外只有VIA族,同周期的VIA族元素是Se。
⑵超分子是由两个或多个分子通过非共价键作用力结合形成的聚集体,某种超分
子的结构如图所示,其中氮原子的杂化形式是,该超分子中不存在的作用
力有(填字母),
A.离子键B.非极性键C.氢键D.配位键E.八键
答案:sp\sp3AD
解析:该超分子中氮原子有饱和和不饱?口两种,胡口氮原子杂化形式是sp:不饱和
氮原子杂化形式是sp\该超分子中存在非极性键一碳碳键;两个分子是通过氢
键结合成超分子的;双键中存在冗键。不存在的是离子键和配位键。
⑶金刚石、碳化诸、碳化硅的晶体结构类似,其中熔点最低的是,原因
是。
答案:碳化诸三者是组成和结构相似的原子晶体,碳化褚的键长最大,键能最小,
因此熔点最低
⑷铀(Ce)、钉(Ru)、锡(Sn)可形成一种半金属材料其晶胞结构如图所示,晶胞上下
两个面为正方形,该半金属的化学式是o以晶胞参数为单位长度建立的
坐标系可以表示晶胞中各原子的位置,称作原子分数坐标,例如下图中原子a的坐
标为白;,),则原子b和c的坐标依次为。
答案:CcRu(Sn6(1,0,1)、
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