微电子器件期末复习题含答案

电子科技大学/命题【习题压得准五杀跑不了】微电子器件（第三版）陈星弼电子科技大学中山学子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为(NNA=1.5×1016cm-3)和(NNA=1.5×1014cm-3场的方向是从（N）区指向（P）区。[发生漂移运动，空穴向P区，电子向N区]P18。若P型区的掺杂浓度NA=1.5×1017cm-3，外加电微电子器件（第三版）陈星弼电子科技大学中山学微电子器件（第三版）陈星弼电子科技大学中山学25、晶体管的基区输运系数是指（基区中28、晶体管的共基极直流短路电流放大系数α是指发射结（正）偏、集电结（零）偏31、某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω,长度和宽度分别为300μm和60μm，则微电子器件（第三版）陈星弼电子科技大学中山学46、基区穿通是指当集电结反向电压增加到微电子器件（第三版）陈星弼电子科技大学中山学54、晶体管的共基极电流放大系数αw随频率的（增加）而下降。当晶体管的αw下降到时的频率，称为α的截止频率，记为（fα)。55、晶体管的共发射极电流放大系数βw随频率的（增加）而下降。当晶体管的βw下降到β0时的频率，称为β的（截止频率记为（fβ)。p到原来的(¼)。p58、当βw降到（1）时的频率称为特征频率fT。当Kpmax降到（1）时的频率称为最高振荡频率fM。59、晶体管的高频优值M是（功率增益）与（带60、晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比，增加了三个元件，它IbIb微电子器件（第三版）陈星弼电子科技大学中山学72、由于电子的迁移率μn比空穴的迁移率μp（大所以在其它条件相同时N）沟微电子器件（第三版）陈星弼电子科技大学中山学77、为提高跨导gm的截止角频率gm，应当（增大）μ,（减小）L增大）VG微电子器件（第三版）陈星弼电子科技大学中山学NDND-NAND -NA00xND-NA-xd0xd22xIEEmaxxEE-xd0xdx22微电子器件（第三版）陈星弼电子科技大学中山学非平衡少数载流子浓度Δnp远小于原来的平衡多数载流子浓度pp0掺杂浓度）微电子器件（第三版）陈星弼区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势34343434微电子器件（第三版）陈星弼prnrnepepc+P微电子器件（第三版）陈星弼VCE<VBE18、什么是双极晶体管的特征频率fT？写出fT的表达式，并说明提高fT的各项措施。微电子器件（第三版）陈星弼20、说明特征频率fT的测量方法。21、什么是双极晶体管的最高振荡频率fM？写出fM的表达式，说明提高fM的措施。微电子器件（第三版）陈星弼4)耗尽区电离杂质电荷面密度QAD：由于φFB与掺杂浓度N的关系不大，故可 1 地得到QAD∞N随V微电子器件（第三版）陈星弼随着L的缩短，将有一系列在普通MOSFET中不明显的现象在短沟道MOSFET1、某突变PN结的ND=1.5×1015cm-3,NA=1.5×1018cm-3，试求nn0、pn0、pp0和np0的值，并求当外加0.5V正向电压和（-0.5V）反向电压时的np(-xp)和pn(xn)的值。pn(xn)=pn0exp()=3.37×1013cm-3;pn(xn)=pn0exp()=6.67×10-4cm-3微电子器件（第三版）陈星弼2、突变PN结的ND=1.5×1015cm-3,NA=1.5×1018cm-3计算该PN结的内建电势Vbi之的衬底掺杂浓度为NA=1.5×1018cm-3。试分别求这两个MOSFET的衬底费米势，并ΦFn=-ln≈0.299VΦFp+ΦFn=0.479-0.299=0.18<Vbi4、某突变PN结的ND=1.5×1015cm-3,NA=1.5×1018cm-3，试问Jdp是Jdn的多少倍？7、某硅单边突变结的雪崩击穿临界电场EC=3.5×105Vcm-1，开始发生雪崩击穿时的微电子器件（第三版）陈星弼若将此管的基区掺杂改为如式（3-28）的指数分布，场因子η=6，则其β*变为多微电子器件（第三版）陈星弼时,I10s22、某高频晶体管的fβ=20MHz，当信号频率为f=100MHz时测得其最大功率增益为Kpmax=24，则当f=200MHz时Kpmax为多少？该管的最高振荡频率fM为多少？微电子器件（第三版）陈星弼微电子器件（第三版）陈星弼微电子器件（第三版）陈星弼EG(Ge)=0.66eV,ni(Ge)=2.4×1013cm3,εOX=312.PN结总的扩散电流密度Jd微电子器件（第三版）陈星弼(LpLn,L(kT,」(LpNDLnNA,L(kT,」Jdp0)(LpLn,L(kT,」(LpNDLnNA,L(kT,」2.7PN结的开关特性1.超量存储电荷Q(0)=τ×If3.2均匀基区晶体管的电流放大系数微电子器件（第三版）陈星弼 3.4双极晶体管的直流电流电压方程3.5双极晶体管的反向特性微电子器件（第三版）陈星弼3.6基极电阻R口B3+R口B2+R口B1T)=τsCTCQA=qNAxd=(4qNAεsφFP)2Rong=βV(非饱和区)g=βV(非饱和区)gdsGVV）微电子器件（第三版）陈星弼7、对于频率不是特别高的一般高频管，提高特征频率fT的主要措施是。A基区浓度B基区电阻率和基区少子寿命C基区微电子器件（第三版）陈星弼