氮化硅陶瓷基片 编制说明

等产品，以及交通轨道、航天航空等领域广泛应用并逐步替代Al2O3国内氮化硅陶瓷基片研究开发较晚，日本在氮化硅陶瓷基片技中材高新氮化物陶瓷有限公司开展了高导热氮化硅陶瓷基片的中材高新氮化物陶瓷有限公山东工业陶瓷研究设计院有限负责标准总体方案制定、性能指标确江苏富乐华半导体科技股份有浙江德汇电子陶瓷有限公司、中国建材检验认证集团有限公司提高氮化硅陶瓷基片的各项性能指标。有助于提高产品质量和可靠1mm需定制。为了实现大规模生产氮化硅陶瓷基片材料，通常选用流标准中的外观要求、内容与GB/T14619《厚膜集成电路用氧化的电场会发生较严重畸变，电场强度是同界面无缺陷时的1.50倍左陶瓷基片凹坑深度的不一致可能导致覆铜层与陶瓷基片之间的瓷和罗杰斯等少数公司。商用氮化硅陶瓷基片的导热率一般在在不损失力学性能的前提下，氮化硅陶瓷基片热导率可以达到弯曲强度是指材料在弯曲负荷作用下破裂或达到规定弯矩时能目前测量一般基于标准DINEN843-1进行，该标准描述了样品的最小易程度的指标，它反映了氮化硅陶瓷基片抵抗弹性变出材料在烧结过程是否致密，致密度一定程度上影响优异的热稳定常数和介电损耗是氮化硅陶瓷基片材料的一个重要参数,不同用途的体积电阻率是在绝缘材料里面的直流电场强度与稳态电流密度否均匀,或者用来检测能影响氮化硅陶瓷基片材料质量而又不能用其按导热性能分为4类（见表3）。用两组符号标识，中间用空格隔开，应使用如下表达方式：基片的导热系数数值基片材质代号5.1外观质量基片外观质量应符合表1的规定。表1外观质量a01111101//a每5cm²面积上气泡、毛刺、凹坑三项缺陷不能同时存在。5.2尺寸偏差和形位公差5.2.1基片工作面的粗糙度≤0.7μm。5.2.2基片的长宽尺寸偏差最小值为0.05mm，厚度偏差最小值为0.025mm。尺寸偏差和形位公差应符合表2的规定。表2尺寸偏差和形位公差-±1%L±9%±10%->0.2%，≤0.3%>0.3%，≤0.4%用户另有要求时，以双方确认的要求为准。5.3性能指标基片的性能指标应符合表3的规定。表3性能指标1234≥3.10>10≥6080≥80100≥1001202.43×10-6~2.97×10-6>1014≤5*10-3>201.1外观质量按GB/T14619-2013中6.5.8规定的方法进行。1.2尺寸偏差和形位公差长、宽、厚度按GB/T39975-2021中5.2.1、5.2.2规定的方法进行。翘曲度测量方法见1.3表面粗糙度应使用符合GB/T6062的规定及准确度要求的接触式轮廓仪进行测量。1.4Si3N4含量按GB/T16555规定的方法进行。1.5体积密度每一测试试样体积不小于0.4cm³且质量不小于2g，按GB/T25995规定的方法进行。1.6弯曲强度1.6.1样品截面尺寸为长（40mm）×宽（20-25mm），三点抗弯、跨距30mm。1.6.2加工面向上，下降速度5mm/min，使用卡尺测量样品断裂位置边缘的宽度和厚度。其它按GB/T6569规定的方法进行。1.6.3用10个有效样品的算术平均值作为该样品的抗弯强度值，数据修约到0.1MPa。1.6.4按GB/T40005规定的方法对数据进行统计分析。注：选用的样品具备代表性（在同一基片上均匀位置选择样品），1.7弹性模量按GB/T10700规定的方法进行。1.8维氏硬度、断裂韧性1.8.1样品制备方法见附录B。1.8.2根据GB/T16534的标准进行试验。表4厚度的样品采用对应的试验力值。表4试验力值1.8.3压痕测量、裂纹尺寸的测量及有效性，维氏硬度公式按GB/T16534规定的方法进行。1.8.4对于每个压痕，按照公式（1）计算压痕断裂韧性值。C2C2KC=0.018()2=0.026………………C2C2KC——断裂韧性，单位为帕米的二分之一次方）；）；1.9导热系数按GB/T22588-2008规定的方法检测。样品使用基片原片，特别需满足附录A的要求。导热系数也可按GB/T32064规定的方法进行。产生仲裁时以GB/T22588规定测量的结果为准。1.10线热膨胀系数样品尺寸为长（25mm±0.2mm）×宽（5mm±0.2mm）×厚（基片原片），按GB/T16535规定的方法进行。1.11体积电阻率按GB/T5594.5规定的方法进行。1.12介电常数、介电损耗正切值按GB/T5594.4规定的方法进行。1.13耐电压样品使用基片原片。按GB/T1408.1-2016中10.6规定的方法进行。1.14击穿强度样品尺寸为长（40mm±0.2mm）×宽（24mm±0.2mm）×厚（基片原片），上下电极直径20mm，漏电流3ma，按GB/T1408.1规定的方法进行。1.15抗热震性使用能保证同时放入的样品之间温差不大于5℃,控温精度±2℃,样品能快速（小于等于5s）浸入冷却介质的试验装置。加热温度600℃,保温10min。让样品在5s内放入水槽中冷却，水温始终能保持在（20±2）℃。样品在水槽中停留不小于10s。稍干后，采用4倍或更大放大倍数的放大镜对样品进行目检。采用相同的材料、工艺，在相同的生产线生产的一次交付的所有基片为一个检验批，简称批。7.2检验分类产品的检验分为出厂检验和型式检验。7.3检验条件除另有规定外，应在下列条件下进行检验。a）温度：15℃~35℃;b）相对湿度：45%~80%。7.4检验项目及抽样方案7.4.1出厂检验出厂检验项目包括外观质量、体积密度及5.2规定的全部检验项目。每批产品按照GB/T2828.1中一次抽样方案进行出厂检验，其检验方案见表5和表6。如有必要，接收质量限也可由供需双方协商规定。表5外观质量、尺寸公差和形位公差出厂检验方案号ⅡⅡⅡⅡ表6出厂检验方案号500303000207.4.2型式检验型式检验的检验项目包括第5章规定的全部检验项目。型式检验的样品直接从出厂检验合格的产品中抽取或根据检验要求进行制作，按照表7的规定进行。有下列情况之一时应做型式检验：a）首批生产时；b）正常生产时每年检验一次；c）原料或生产工艺改变可能影响产品质量时；d）停产半年或以上，恢复生产时；e）出厂检验结果与上次型式检验结果存在较大差异时。表7型式检验数50505050105001030300102050值502020307.5判定规则7.5.1出厂检验如果出厂检验的所有项目符合表4和表5的规定，则该批陶瓷基片产品合格，如有一项不合格，应从同批产品中抽取双倍数量的基片对不合格项目进行复验。复验合格时，判该批产品合格；复验仍不合格时，则该批产品不合格。7.5.2型式检验型式检验中，如果所有项目符合表6的规定，则认为本周期生产的陶瓷基片合格。如果有一项或一项以上不合格，取双倍数量的样品对不合格项目进行复验，若复验合格，则型式检验合格，若复验仍不合格，则型式检验不合格。8.1.1内包装上应注明:a.供货单位商标；b.产品名称和代号；C.产品数量；d.包装日期。8.1.2外包装内应有装箱单，其上注明:a.供货单位商标；b.产品名称和代号；c.产品数量；d.包装日期；e．毛重。8.1.3每个外包装箱上应标出“小心轻放”，“向上”，“易碎”，“防湿”等，并有相应的图示标志，图示标志应符合GB191《包装储运指示图示》的规定。8.2包装8.2.1产品的包装应保证产品经正常运输，搬运后完好无损。8.2.2产品应先进行内包装，然后再用填料将内包装固紧在外包装箱内，最后完成外包装。8.2.3按8.2.1条要求，根据产品的结构、大小等因素在下列材料中选取内、外包装材料和填料。a.内包装材料:纸、瓦楞纸、塑料袋、泡沫塑料、纸盒等；b.外包装材料:纸箱、木箱、塑料箱等；c.填充料:纸屑、木屑、谷壳等。8.2.4包装箱(盒)内应有产品合格证。8.3运输包装完整的产品在运输过程中，应避免雨雪直接淋袭和剧烈碰撞。8.4贮存产品应贮存在无雨雪淋袭，周围无酸、碱及其他腐蚀性气体的库房里。翘曲度的试验方法A.1范围本测试方法规定了氮化硅陶瓷基片翘曲度的测定程序。本方法适用于功率半导体模块用氮化硅陶瓷基片，其它材质陶瓷基片也可参照使用。A.2定义翘曲度warpage由基片的3个角点确定一个平面，第四角点偏离该平面的距离。A.3仪器设备带可追溯校准片的非接触式激光测量仪。A.4样品被测样品至少应符合以下要求:a)测试前与测试过程中,不应对样品施加影响其翘曲程度的处理;b)必要时，可对样品进行清洗。A.5测试程序将基片置于大理石台面使用激光测试装置，按设置的扫描路线非接触扫描双面。A.6翘曲率X=D/L*100%…………………A.1用机器镶嵌研磨样品A.7概述试验样品表面光洁度的状况影响断裂韧性测试裂纹长度测量的A.8切割和研磨A.8.1推荐使用激光切割机切割成直径大于10mm的基片原片样品。边缘不应有大于0.5mm的裂纹。A.8.2使用透明料、热镶嵌方法镶嵌样品。镶嵌样平行度小于等于0.15mm。超差时，使用平面磨床研磨找正。平面磨床砂轮目数120目，单次进刀量0.01mm，累计进刀不超过0.05mm，至表面均出现研磨痕迹。A.8.3抛磨转轮转速1024rpm，磨盘涂抹金刚石研磨膏型号W0.5。抛磨3次，每次研磨前调整试验样品至有研磨膏位置。10倍目镜明场模式下，无划痕、裂纹损伤，粗糙度Ra小于0.1μm则制样合格。（二）本标准指标的技术先进性以及本标准的发布对行业及社会发发布与实施氮化硅陶瓷基片标准有以下几个技术先进性及对行4、社会效益：氮化硅陶瓷基片应用于电子、能