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文档简介

半导体物理实验报告班级：學号：姓名：试验一试验一MOS构造C—V特性测试一、试验目的

二、试验器材

试验阐明四、试验内容和环节

试验成果整顿 试验心得体會回答思索題當栅压在形成反型层之前迅速突变時，高频C-V特性将发生怎样的变化？ 试验试验二霍尔效应测量载流子浓度试验一、试验目的二、试验器材

三、试验阐明

四、试验内容和环节五、试验成果整顿 六、试验心得体會七、回答思索題怎样通過洛仑兹力方向和输出霍尔電压的正负来判断半导体样品的极性？试验三试验三霍尔效应测量载流子迁移率试验二、试验器材

三、试验阐明

四、试验内容和环节五、试验成果整顿 六、试验心得体會七、回答思索題思索样品尺寸参数误差會給霍尔效应测试试验带来怎样的误差？试验四太阳能電池光伏效应试验试验试验四太阳能電池光伏效应试验一、试验目的二、试验器材

三、试验阐明

四、试验内容和环节五、试验成果整顿 六、试验心得体會七、回答思索題為何要把PN結

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