集成电路设计（第4版） 试题及答案 作业5_第1页
集成电路设计（第4版） 试题及答案 作业5_第2页
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文档简介

CH5写出MOSFET的基本电流方程。IDS＝·饱和区IDS＝·线性区为什么说MOSFET是平方率器件？因为MOSFET的饱和电流具有平方特性。什么是MOSFET的阈值电压？它受哪些因素影响？阈值电压就是将栅极下面的Si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压。影响它的因素有4个：材料的功函数之差，SiO2层中可以移动的正离子的影响，氧化层中固定电荷的影响，界面势阱的影响什么是MOS器件的体效应？由于衬底与源端未连接在一起，而引起的阈值电压的变化叫做体效应。影响MOSFET的温度特性的因素包括哪些？是怎样变化的？MOSFET的温度特性主要来源于沟道中载流子的迁移率µ和阈值电压VT随温度的变化。载流子的迁移率随温度变化的基本特征是T↑→µ↓，阈值电压VT的绝对值同样是随温度的升高而减小。说明MOSFET噪声的来源、成因及减小的方法。 噪声来源：热噪声和闪烁噪声。热噪声是由沟道内载流子的无规则热运动造成的，可通过增加MOS管的栅宽和偏置电流减少热噪声。闪烁噪声是由沟道处二氧化硅与硅界面上电子的充放电引起的，增加栅长栅宽可降低闪烁噪声。说明L、W对MOSFET的速度、功耗、优值的影响。MOSFET特征尺寸按（＞1）缩减后，器件时延降低倍，则器件速率提高倍；功耗降低1/2；优值增加2倍。MOSFET按比例收缩后对器件特性有什么影响?IDS不变，器件占用面积减少，提高电路集成度，功耗减少。MOSFET二阶效应分别是由什么原因引起的？二阶效应出于两种原因：①当器件尺寸缩小时，电源电压还得保持为5V或3.3V，于是，平均电场强度增加了，引起了许多二阶效应；②当管子尺寸很小时，这些小管子的边缘相互靠在一起，产生了非理想电场，也严重地影响了它们的特性。什么叫沟道长度调制效应？画出其示意图。在简化的MOS原理中，认为饱和后，电流不再增加，事实上，在饱和区中，当VDS增加时，IDS仍然是增加的。这是因为沟道两端的耗尽区的宽度增加了，而反型层上的饱和电压不变，沟道距离

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