集成电路设计（第4版） 课件 4.2 MESFET和HEMT工艺_第1页
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1第四章 集成电路器件工艺4.1 双极型集成电路的基本制造工艺4.2 MESFET和HEMT工艺4.3MOS工艺和相关的VLSI工艺4.4BiCMOS工艺24.2 MESFET和HEMT工艺随着III/V化合物特别是GaAs工艺的发展，以MESFET和HEMT为基本元件的集成电路技术也得到了很大发展。MESFET直接在外延衬底上形成，而HEMT有复杂得多的层状结构。尽管如此，它们可以通过一个相似的等效电路建立模型，并具有相似的性能。对于电路设计者而言，它们都属于FET晶体管类型。34.2 MESFET和HEMT工艺GaAs工艺：MESFET图4.5GaAsMESFET的基本器件结构欧姆欧姆肖特基金锗合金4MESFET增强型和耗尽型减小栅长提高导电能力5GaAs工艺：HEMT图4.6简单HEMT的层结构

栅长的减小大量的可高速迁移的电子6GaAs工艺：HEMT工艺的三明治结构图4.7DPD-QW-HEMT的层结构7图4.8PHEMT的小信号等效电路模型8不同材料系统的研究GaAsInPSiGe9与Si三极管相比，MESFET和HEMT的缺点为:跨导相对低；阈值电压较敏感于有源层的垂直尺寸形状和掺杂程度；驱动电流小；

阈值电压变化大：由于跨导大，在整个晶圆上，BJT的阈值电压变化只有几毫伏，而MESFET，HEMT

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