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ICS31.080.30L42中华人民共和国工业和信息化部发布ISJ/T1839—2016——原标准开关参数ts(载流子贮存时间)和tg(下降时间)在本规范中合并为tor(关断时间),1半导体分立器件3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范中华人民共和国工业和信息化部评定器件质量的根据:GB/T4589.1-2006《半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范》GB/T12560-1999《半导体器件分立器件分规范》SJ/T1839-2016半导体分立器件3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范外形符合GB/T7581-1987《半导体分立器件外形尺寸》中A3-02C型的规定。 1.发射极2.基极3.集电极单位为毫米开关用双极型晶体管半导体材料:硅金属封装(空腔)应用:各种电路中作开关及高频放大与振荡用。3质量评定类别考数据T=25℃)=1800mWIc=1000mAVCBo=40V(3DK108AVcBo=60V(3DK108B、DVcEo=30V(3DK108A、C)VCEo=45V(3DK108B、D)Yo=4Vhg:25~180C尺寸数值最小最大A6.709.900.400.518.64—9.398.018.50j0.710.790.87K0.74L24规范性引用文件凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T2423.23—2013环境试验第2部分:试验方法试验Q:密封GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范GB/T4937—1995半导体器件机械和气候试验方法GB/T6218—1996开关用双极型晶体管空白详细规范GB/T7581—1987半导体分立器件外形尺寸GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范5极限值(绝对最大额定值)极限值见表1。除非另有规定,这些极限值在整个工作温度范围内适用。章条号符号最小值最大值工作环境温度℃贮存温度℃最大集电极-基极直流电压Vso—V最大集电极-发射极直流电压Vceo V最大发射极-基极直流电压Vn—4V最大直流集电极电流mAT=25℃,不加散热片时的最大额定功率PotmW最高结温T—℃电特性见表2。检验要求见本标准的第9章。3SJ/T1839—2016章条号特性和条件除非另有规定,T=25℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)符号单位试验分组最小值最大值正向电流传输比Va=1V,I=500mA色标:橙绿蓝紫A2b特征频率Ve=10V,I=100mA,f30MzMHz—A4、C2a集电极-基极截止电流A2b集电极-发射极截止电流u1A2b高温下的集电极-基极器止电流A发射极基极截止电流A1A2b基极-发坩极饱和电压A2b集电极发射极饱和电用VA2b共基极输出电容V=10v,Z=0,=5MLz导通时间关断时间C——A4A47标志4 检验批的识别代号。7.2包装盒上的标志——制造厂商标;——制造厂联系方式。8订货资料订货单上应有下列内容:——产品型号和分档标志,如3DK108A; ——质量评定类别标志Ⅱ,如3DK108AIⅡ; 9试验条件和检验要求试验条件和检验要求按表3~表5的规定。本章中,LTPD抽样引自GB/T12560—1999。5表3A组—逐批检验或试验符号引用标准除非另有规定,T=25℃±5℃(见GB/T4589.1—-2006的4.1)极限值单位LTPD最小值最大值A1分组外部目检GB/T4589.1—20064.3.1.1-—标志清晰,表面无机械损伤、破损5A2a分组不工作器件集电极-基极截止电流正向电流传输比GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994I=0,Va=20Ve=1V,I=500mA短路:Iao₁≥50μA开路:hE≤5A2b分组集电极-基极截止电流集电极-发射极截止电流发射极-基极截止电流正向电流传输比基极-发射极饱和电压集电极-发射极饱和电压VeaatGB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994GB/T4587—1994IV,1,2.2GB/T4587—1994GB/T4587—1994橙橙黄绿蓝紫I=0,a=20VI=0,K=20VL=0,k=4VVc=1V,I=500mAI₀=50mA,I=500mAI₃=50mA,I=500mA—115580VV5A4分组特征频率导通时间关断时间3DK108A、B3DK108C、DtonGB/T4587—1994IV,1,13.2GB/T4587—1994Ⅲ,4,3.3.2GB/T4587—1994Ⅲ,4,3.3.2Va=10V,I=100mAf=30MHzI=50mA,I=500mAI=50mA,I=500mA—-MHz6SJ/T1839—2016表4B组一逐批检验或试验符号引用标准除非另有规定,T=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)最小值最大值单位LTPDB1分组尺寸GB/T4589.1—20064.3.2A、φD见第1章外形图B3分组引出弯曲(D)GB/T4937—1995方法1,受试引出端数:3外加弯曲力:2.5N发现有断裂(密封弯月面处的除外)、松动或引线和器件管体之间有相对移动,均认为器件失效B4分组可焊性GB/I4937—1995焊槽法润湿良好B5分组快速温度变化(D)密封a.细检漏b.粗检漏最后测试集电极-基极截止电流正向电流传输比GB/T4937—1995Ⅲ,1.2GB/14937—1995GB/29871995H,7.3.6GB/T4681994IV,1,2.1GB/T4587—1994橙橙黄绿蓝紫0℃~100℃:10个循环GB/122423.23—2013试验Q,方法1K=1V,1=500mA0B8分组电耐久性(168h)最后测试集电极-基极截止电流正向电流传输比集电极-发射极饱和电压VdsatGB/T4587—199V,1GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994GB/T4587—1994工作寿命t168h,V=0.6Koa=1000mWI=0,Va=20VVa=1V,I=500mA黄紫I=50mA,I=500mA16696—注:标明(D)的试验是破坏性的(见GB/T4589.1—2006的3.6.6)。7表5C组—周期检验或试验符号引用标准除非另有规定,T=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)LTPD最小值最大值单位C1分组尺寸GB/T4589.1—20064.3.2除A、Φa、ΦD之外的其余尺寸见第1章外形图C2a分组特征频率共基极输出电容CGB/T4587—1994IV,1,13.2GB/T4587—1994IV,8.1Ve=10V,I=100mA,f=30MHzXs=10V,I=0,f=5MHzMHzC2b分组高温下的集电极-基极截止电流GB/T4587—1994IV,1,2.1Tm=125℃I=0,Va=20V—C3分组引出端强度(D)拉力GB/T4937—1995受试引出端数:3外加力:5N发现有断裂(密封弯月面处的除外)、松动或引线和器件管体之间有相对移动均认为器件失效C4分组耐焊接热(D)最后测试GB/T4937—1995IⅡ,2.2方法1A。周期=180d同B5分组最后测试——C6分组恒定加速度最后测试GB/T4937—199520000g同B5分组最后测试—一C7分组稳态湿热(D)最后测试GB/T4937—1995Ⅲ,585℃±2℃,相对湿度85%±5%,时间168h同B8分组最后测试C8分组电耐久性(1000h)最后测试GB/T4587—1994V,1Pot=1000mW同B8分组最后测试——C9分组高温贮存(D)最后测试GB/T493
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