金属氧化物半导体气敏元件总规范 编制说明_第1页
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文档简介

《金属氧化物半导体气敏元件总规范》(征求意见稿)编制说明本标准是修订GB/T15652-1995。金属氧化物半导体气敏元件,是以金属氧组成。主要有烧结型、厚膜型、薄膜型、混合型四种类型。GB/T15653-1995规已不能满足全面评价金属氧化物半导体气敏元件性能的检测需要,急需开展修4、标准前后版本之间技术内容的对比分析c)增加第五章要求,给出气敏元件的外观标识、外形尺寸、电气参数、环e)修改完善检测方法,如:根据现阶段测试能力修改外部目检、内部目检50N,并将单一拉力更改为双向拉力,使两个方向都要符合要求,避免使用时松三、试验验证的分析、综述报告,技术经济论证,预期的经济效益、社会知信息的主要来源,支撑了智能制造、人工智能、5G通信、工业互联网、智慧GB/T15652-1995为国内自主制定,本标准是对其进行修订,通过对本标准五、以国际标准为基础的起草情况,以及是否合规引用或者采用国际国外九、实施国家标准的要求,以及组织措施、技术措施、过渡期和实施日期

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