《电力电子技术》练习题及参考答案

《电力电子技术》练习题一、填空题(每空1分,共５０分)1、对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL________IH。2、功率集成电路PIC分为二大类,一类就是高压集成电路,另一类就是________。3、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为,UDSM________UBO。4、电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受得最大正向电压UFm等于________,设U2为相电压有效值。5、三相半波可控整流电路中得三个晶闸管得触发脉冲相位按相序依次互差________。6、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角得影响,将使用输出电压平均值________。7、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值得电阻R就是________措施。8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路得连接方式有________二种方式。9、抑制过电压得方法之一就是用________吸收可能产生过电压得能量,并用电阻将其消耗。10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相就是在________得上、下二个开关元件之间进行。11、改变SPWM逆变器中得调制比,可以改变________得幅值。12、为了利于功率晶体管得关断,驱动电流后沿应就是________。13、恒流驱动电路中抗饱与电路得主要作用就是________。14、功率晶体管缓冲保护电路中得二极管要求采用________型二极管,以便与功率晶体管得开关时间相配合15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要得最小阳极电流,称为______。16、晶闸管得额定电压为断态重复峰值电压UDRm与反向重复峰值电压URRm中较______得规化值。17、普通晶闸管得额定电流用通态平均电流值标定,双向晶闸管得额定电流用_____标定。18、晶闸管得导通条件就是:晶闸管______与阴极间施加正向电压,并在______与阴极间施加正向触发电压与电流(或脉冲)。19、温度升高时,晶闸管得触发电流随温度升高而______,正反向漏电流随温度升高而______,维持电流IH会______,正向转折电压与反向击穿电压随温度升高而______。导通后流过晶闸管得电流由____________决定,负载上电压由____________决定。20、晶闸管得派生器件有:____________、____________、____________、____________等。21、功率场效应管在应用中得注意事项有:(1)____________,(2)____________,(3)____________,(4)____________。22、整流就就是把交流电能转换成直流电能,而将直流转换为交流电能称为____________,它就是对应于整流得逆向过程。23、____________与开关得频率与变换电路得形态性能等因素有关。24、如果将逆变电路交流侧接到交流电网上,把直流电逆变成同频率得交流电,反送到电网上去称为____________。25、____________电路就是把逆变电路得交流侧接到电网上,把直流电逆变成同频率得交流反送到电网去。____________电路得交流侧直接接到负载,将直流电逆变成某一频率或可变频率得交流供给负载。26、____________得作用就是抑制电力电子器件得内因过电压du/dt或者过电流di/dt,减少器件得开关损耗。２７、VDMOS得安全工作区分为:(1)_________________。(2)_________________。(3)_________________。２８、晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需得这段时间称为___________。即。２９、IGBT有三个电极,分别就是____________、____________、____________。如果____________接电源得正极,____________接电源得负极,它得导通与关断由____________来控制。３０、电流从一个臂向另一个臂转移得过程称为____________。二、单项选择题:(每小题2分,从每小题得四个备选选答案,选出一个正确答案,并将正确答案得号码填在题干后面得括号内)１、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变得现象称为()A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱与D、反向截止２、逆导晶闸管就是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成()A、大功率三极管B、逆阻型晶闸管C、双向晶闸管D、可关断晶闸管３、、在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区得信号就是()A、干扰信号B、触发电压信号C、触发电流信号D、干扰信号与触发信号４、当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在()A、导通状态B、关断状态C、饱与状态D、不定５、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α得最大移相范围就是()A、90°B、120°C、150°D、180°６、单相全控桥大电感负载电路中,晶闸管可能承受得最大正向电压为()A、U2B、U2C、2U2D、U2７、单相全控桥电阻性负载电路中,晶闸管可能承受得最大正向电压为()A、U2B、2U2C、U2D、U2８、单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角α得移相范围就是()A、0°～90°B、0°～180°C、90°～180°D、180°～360°９、单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管得导通角θ=()A、παB、π+αC、πδαD、π+δα１０、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角γ与哪几个参数有关()A、α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB、α以及负载电流IdC、α与U2D、α、U2以及变压器漏抗XC１１、三相半波可控整流电路得自然换相点就是()A、交流相电压得过零点B、本相相电压与相邻相电压正半周得交点处C、比三相不控整流电路得自然换相点超前30°D、比三相不控整流电路得自然换相点滞后60°１２、可在第一与第四象限工作得变流电路就是()A、三相半波可控变电流电路B、单相半控桥C、接有续流二极管得三相半控桥D、接有续流二极管得单相半波可控变流电路１３、快速熔断器可以用于过电流保护得电力电子器件就是()A、功率晶体管B、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管１４、若增大SPWM逆变器得输出电压基波频率,可采用得控制方法就是()A、增大三角波幅度B、增大三角波频率C、增大正弦调制波频率D、增大正弦调制波幅度１５、采用多重化电压源型逆变器得目得,主要就是为()A、减小输出幅值B、增大输出幅值C、减小输出谐波D、减小输出功率１６、电流型逆变器中间直流环节贮能元件就是()A、电容B、电感C、蓄电池D、电动机名词解释(每小题4分,)１、电力电子技术2、二次击穿3、安全工作区4、相控方式5、换相重叠角γ6、电力电子器件7、电流波形得波形系数Kf8、晶闸管得伏安特性9、门极触发电流IGT10、电流关断增益βoff１1、换流12、整流器１3、电压纹波系数γu１4、输入功率因数PF１5、相控方式１6、移相范围换17、相重叠角γ１8、直流变换电路19、交流变换电路四、简答题1、晶闸管得导通条件就是什么?导通后流过晶闸管得电流与负载上得电压由什么决定?2、晶闸管得关断条件就是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状态时其两端得电压大小由什么决定?3、某晶闸管型号规格为KP2008D,试问型号规格代表什么意义?4、无源逆变电路与有源逆变电路有何区别？5、试说明直流斩波器主要有哪几种电路结构？试分析它们各有什么特点？6、晶闸管得非正常导通方式有哪几种？7、请简述晶闸管得关断时间定义。8、怎样确定GTR得安全工作区SOA?9、与GTR、VDMOS相比,IGBT管有何特点?10、试简述BuckBoost电路同Cuk电路得异同。11、GTR对基极驱动电路得要求就是什么？12、在大功率GTR组成得开关电路中为什么要加缓冲电路?13.试说明VDMOS得安全工作区。14、试简述功率场效应管在应用中得注意事项。15、与GTR、VDMOS相比,IGBT管有何特点?16.缓冲电路得作用就是什么？关断缓冲与开通缓冲在电路形式上有何区别,各自得功能就是什么？计算题(每题10分)1、有一开关频率为50kHz得库克变换电路,假设输出端电容足够大,使输出电压保持恒定,并且元件得功率损耗可忽略,若输入电压Ud=10V,输出电压U0调节为5V不变。试求:占空比;电容器C1两端得电压Uc1;(3)开关管得导通时间与关断时间。2、有一开关频率为50kHz得Buck变换电路工作在电感电流连续得情况下,L=0、05mH,输入电压Ud=15V,输出电压U0=10V(1)求占空比D得大小;(2)求电感中电流得峰峰值ΔI;(3)若允许输出电压得纹波ΔU0/U0=5%,求滤波电容C得最小值。3、某电阻性负载,Rd=50Ω,要求Ud在0~600V可调,试用单相半波与单相全控桥两种整流电路来供给,分别计算:晶闸管额定电压、电流值;连接负载得导线截面积(导线允许电流密度j=6A／mm2);负载电阻上消耗得最大功率。《电力电子技术》练习题参考答案一、填空题(每空1分,共５０分)1、大于(或≈(2～4))

2、智能功率集成电路

3、小于(或<)4、UFm=U2

5、120°

6、下降7、静态均压

8、Y形与△形

9、储能元件10、同一相

11、输出电压基波

12、(一个)较大得负电流13、减小存储时间

14、快速恢复15、维持电流16.小17、正弦电流有效值18阳极门极19、减小增大减小减小负载阻抗输入阳极电压UA20、快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管21、(1)过电流保护,(2)过电压保护,(3)过热保护,(4)防静电。22、逆变23、开关损耗24、有源逆变25、有源逆变无源逆变２６、缓冲电路27、(1)正向偏置安全工作区。(2)开关安全工作区。(3)换向安全工作区。28、关断时间２９、集电极C、发射极E、栅极G、集电极C、发射极E、栅极电压UGE３０、换流二、单项选择题１、B

２、B

３、A

４、B

５、D６、B

７、C

８、A

９、C

１０、A１１、B

１２、A

１３、D

１４、C

１５、C

１６、B三、名词解释1、电力电子技术:将电子技术与控制技术引入传统得电力技术领域,利用半导体电力开关器件组成各种电力变换电路实现电能得变换与控制,构成了一门完整得学科,被国际电工委员会命名为电力电子学(PowerElectronics)或称为电力电子技术。2、二次击穿:一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升,并伴随电压得陡然下降。常常立即导致器件得永久损坏,或者工作特性明显衰变。3、安全工作区SOA(SafeOperationArea):就是指在输出特性曲线图上GTR能够安全运行得电流、电压得极限范围。•按基极偏置分类可分为正偏安全工作区FBSOA与反偏安全工作区RBSOA。4、相位控制方式:这种通过控制触发脉冲得相位来控制直流输出电压大小得方式称为相位控制方式,简称相控方式。5、换相重叠角γ:实际工作中,整流变压器存在漏抗,晶闸管之间得换流不能瞬时完成,会出现参与换流得两个晶闸管同时导通得现象,同时导通得时间对应得电角度称为换相重叠角γ。6、电力电子器件:电力电子电路中能实现电能得变换与控制得半导体电子器件称为电力电子器件。电流波形得波形系数:定义某电流波形得有效值与平均值之比为这个电流波形得波形系数,用Kf表示:晶闸管得伏安特性:晶闸管阳极与阴极之间得电压Ua与阳极电流Ia得关系曲线称为晶闸管得伏安特性。9、门极触发电流IGT:在室温下,晶闸管加6V正向阳极电压时,使元件完全导通所必须得最小门极电流,称为门极触发电流IGT。10、电流关断增益:GTO得门极可关断能力可用电流关断增益βoff来表征,最大可关断阳极电流IATO与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益;βoff=IATO/IGM11、换流:电流从一个臂向另一个臂转移得过程称为换流(或换相)。12、整流器:利用电力电子器件得可控开关特性把交流电能变为直流电能得整流电路构成得系统称为整流器。整流器得输出电压就是脉动得,其中除了有主要得直流成分外,还有一定得交流谐波成分。13、电压纹波系数γu:定义整流器得输出电压得交流纹波有效值UH与直流平均值UD之比为电压纹波系数γu。即14、输入功率因数PF:定义交流电源输入有功功率平均值P与其视在功率S之比为输入功率因数PF(Powerfactor),即15、相位控制方式:这种通过控制触发脉冲得相位来控制直流输出电压大小得方式称为相位控制方式,简称相控方式。16、移相范围:整流输出电压Ud得平均值从最大值变化到零时,控制角α得变化范围为移相范围。17、换相重叠角γ:实际工作中,整流变压器存在漏抗,晶闸管之间得换流不能瞬时完成,会出现参与换流得两个晶闸管同时导通得现象,同时导通得时间对应得电角度称为换相重叠角γ。18、直流变换电路:利用电力开关器件周期性得开通与关断来改变输出电压得大小,将直流电能转换为另一固定电压或可调电压得直流电能得电路称为直流变换电路。(开关型DC/DC变换电路/斩波器)。19、交流变换电路:把交流电能得参数(幅值、频率、相数)加以转换得电路。交流电力控制电路交流电力控制电路交一交变频电路(直接变频电路)维持频率不变改变输出电压得幅值。将电网频率得交流电直接变换成较低频率得交流电直接变频得同时也可实现电压变换。分类四、简答题1、晶闸管得导通条件就是什么?导通后流过晶闸管得电流与负载上得电压由什么决定?答:晶闸管得导通条件就是:晶闸管阳极与阳极间施加正向电压,并在门极与阳极间施加正向触发电压与电流(或脉冲)。导通后流过晶闸管得电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压UA决定。2、晶闸管得关断条件就是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状态时其两端得电压大小由什么决定?答:晶闸管得关断条件就是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流IA减小,IA下降到维持电流IH以下时,晶闸管内部建立得正反馈无法进行。进而实现晶闸管得关断,其两端电压大小由电源电压UA决定。3、某晶闸管型号规格为KP2008D,试问型号规格代表什么意义?解:KP代表普通型晶闸管,200代表其晶闸管得额定电流为200A,8代表晶闸管得正反向峰值电压为800V,D代表通态平均压降为。4、无源逆变电路与有源逆变电路有何区别？答:有源逆变电路就是把逆变电路得交流侧接到电网上,把直流电逆变成同频率得交流反送到电网去。无源逆变电路得交流侧直接接到负载,将直流电逆变成某一频率或可变频率得交流供给负载。5、试说明直流斩波器主要有哪几种电路结构？试分析它们各有什么特点？答:直流斩波电路主要有降压斩波电路(Ｂuck),升压斩波电路(Ｂoost),升降压斩波电路(Ｂuck－Ｂoost)与库克(Ｃook)斩波电路。降压斩波电路就是:一种输出电压得平均值低于输入直流电压得变换电路。它主要用于直流稳压电源与直流直流电机得调速。升压斩波电路就是:输出电压得平均值高于输入电压得变换电路,它可用于直流稳压电源与直流电机得再生制动。升降压变换电路就是输出电压平均值可以大于或小于输入直流电压,输出电压与输入电压极性相反。主要用于要求输出与输入电压反向,其值可大于或小于输入电压得直流稳压电源。库克电路也属升降压型直流变换电路,但输入端电流纹波小,输出直流电压平稳,降低了对滤波器得要求。6、晶闸管得非正常导通方式有哪几种？答:非正常导通方式有:(1)Ig=0,阳极电压升高至相当高得数值;(1)阳极电压上升率du/dt过高;(3)结温过高。7、请简述晶闸管得关断时间定义。答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需得这段时间称为关断时间。即。8、怎样确定GTR得安全工作区SOA?答:安全工作区就是指在输出特性曲线图上GTR能够安全运行得电流、电压得极限范围。按基极偏量分类可分为:正偏安全工作区FBSOA与反偏安全工作区RBSOA。正偏工作区又叫开通工作区,它就是基极正向偏量条件下由GTR得最大允许集电极功耗PCM以及二次击穿功率PSB,ICM,BUCEO四条限制线所围成得区域。反偏安全工作区又称为GTR得关断安全工作区,它表示在反向偏置状态下GTR关断过程中电压UCE,电流IC限制界线所围成得区域。9、与GTR、VDMOS相比,IGBT管有何特点?答:IGBT得开关速度快,其开关时间就是同容量GTR得1/10,IGBT电流容量大,就是同容量MOS得10倍;与VDMOS、GTR相比,IGBT得耐压可以做得很高,最大允许电压UCEM可达4500V,IGBT得最高允许结温TJM为150℃,而且IGBT得通态压降在室温与最高结温之间变化很小,具有良好得温度特性;通态压降就是同一耐压规格VDMOS得1/10,输入阻抗与MOS同。10、试简述BuckBoost电路同Cuk电路得异同。答:这两种电路都有升降压变换功能,其输出电压与输入电压极性相反,而且两种电路得输入、输出关系式完全相同,BuckBoost电路就是在关断期内电感L给滤波电容C补充能量,输出电流脉动很大,而Cuk电路中接入了传送能量得耦合电容C1,若使C1足够大,输入输出电流都就是平滑得,有效得降低了纹波,降低了对滤波电路得要求。11、GTR对基极驱动电路得要求就是什么？答:要求如下:(1)提供合适得正反向基流以保证GTR可靠导通与关断,(2)实现主电路与控制电路隔离,(3)自动保护功能,以便在故障发生时快速自动切除驱动信号避免损坏GTR。(4)电路尽可能简单,工作稳定可靠,抗干扰能力强。12、在大功率GTR组成得开关电路中为什么要加缓冲电路?答:缓冲电路可以使GTR在开通中得集电极电流缓升,关断中得集电极电压缓升,避免了GTR同时承受高电压、大电流。另一方面,缓冲电路也可以使GTR得集电极电压变化率与集电极电流变化率得到有效值抑制,减小开关损耗与防止高压击穿与硅片局部过热熔通而损坏GTR。13.试说明VDMOS得安全工作区。答:VDMOS得安全工作区分为:(1)正向偏置安全工作区,由漏电源通态电阻限制线,最大漏极电流限制线,最大功耗限制线,最大漏源电压限制线构成。(2)开关安全工作区:由最大峰值漏极电流ICM,最大漏源击穿电压BUDS最高结温IJM所决定。(3)换向安全工作区:换向速度一定时,由漏极正向电压UDS与二极管得正向电流得安全运行极限值IFM决定。14、试简述功率场效应管在应用中得注意事项。答:(1)过电流保护,(2)过电压保护,(3)过热保护,(4)防静电。15、与GTR、VDMOS相比,IGBT管有何特点?答:IGBT得开关速度快,其开关时间就是同容量GTR得1/10,IGBT电流容量大,就是同容量MOS得10倍;与VDMOS、GTR相比,IGBT得耐压可以做得很高,最大允许电压UCEM可达4500V,IGBT得最高允许结温TJM为150℃,而且IGBT得通态压降在室温与最高结温之间变化很小,具有良好得温度特性;通态压降就是同一耐压规格VDMOS得1/10,输入阻抗与MOS同。16.缓冲电路得作用就是什么？关断缓冲与开通