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文档简介
《半导体分立器件文字符号》（征求意见稿）编制说明半导体分立器件文字符号是半导体分立器件厂商制定产品资料必须要用到为半导体分立器件行业期待解决的问题。自GB/T11499-202024年2月，针对IEC原文进行技术背景调研、国内外对比分析技术的适用本标准属于标准体系中半导体器件-分立器件-基础标准-文字符号。为保证量水平与国际接轨，本标准参考IEC60747系列中有关各类产品（二极管、晶体本标准修订GB/T11499-2001《半导体分立器件文字符号》。制定本标准对2)删除了原标准“电流，电压和功率文字符号规则汇总表”、“规则1)删除了“电压、电流和功率的下标”、“电参数的下标”、文字符2)删除了文字符号表“电压”、“电流”、“功率”、“开关”的部1)删除了“信号二极管（包括开关二极管）下标的补充规定”、“电3)删除了文字符号表“电压”、“电流”、“其他”的部分内容（见，（2)增加了体效应二极管的脉冲击穿电压文字符号，V(BR)（见6.4.1）。1)增加了双极型晶体管（微波领域用）文字符号表（见6.5.1）。1)增加了场效应晶体管（微波领域用）文字符号表（见6.6.1）。），3)通态过载电流I(OV)更改为IT(OV)，断态直流电流），（）（）5)增加了输入反射系数、输出反射系数、正向传输系数和反向传输系数在共发射极组态、共基极组态、共集电极组态下的文字符号表示），VGE(th)”），见）；）；2)删除了文字符号表“电压”、“电流”、“耗散功率”、“其他参，（）；（P沟道）源极峰值电流ISMP沟道）规定栅-漏条件时的源极电）；）；反射系数、输出反射系数、正向传输系数和反向传输系数在共发射极组态、共基极组态、共集电极组态下的文字符号表示形式（见）；三、试验验证的分析、综述报告，技术经济论证，预期的经济效益、社会本标准修订主要参考IEC60747系列中有关各类产品文字符号的内容，除编辑性修改外，本标准内容与IEC60747系列中有关各类产品文字符号的内容保持五、以国际标准为基础的起草情况，以及是否合规引用或者采用国际国外本标准采用翻译法，主要参考IEC60747系列中各类产品文字符号的内容，标准的技术内容与IEC标准一致。值得注意的是，国体管的文字符号表，其余内容均参考IEC60747系列各类订。本标准参考标准的章节结构根据行文自拟。本标准与IEC本标准在体系中的位置为半导体器件-分立器件-基础标准-文字符号,与现——GB/T15291《半导体器件第6）；——《半导体器件分立器件第3部分：信号、开关和调整二极管》（计划——GB/T20516《半导体器件分立器件第4部分：微波二极管和晶体管》——《半导体器件第14-2部分：半导体传——《半导体器件第14-5部分：半
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