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连续性方程的应用2024/5/17连续性方程的应用2均匀掺杂：均匀电场：稳态：内部没有其它产生：gp=0

连续性方程的应用a.光激发的载流子衰减3（没有电场）（体内均匀产生非平衡载流子）（t=0时刻，光照停止）

连续性方程的应用b.瞬时光脉冲4（没有电场）（脉冲已停止）

连续性方程的应用c.瞬时电脉冲5（有均匀电场）（电脉冲已停止）

连续性方程的应用d.光照恒定，稳态6（有均匀电场）（体内没有光照）(稳态)

连续性方程的应用7

连续性方程的应用e.稳态下的表面复合8（没有电场）(稳态)

连续性方程的应用9例1p型半导体掺杂NA=1016/cm3，少子寿命为10us。在均匀光照下，产生非平衡载流子，其产生率为1018/cm3S。求室温时光照下的EF并和原来无光照时的EF比较(ni=1010/cm3)。10例2设NA=1015/cm3的p-Si，ni=1.5×1010cm-3。若载流子注入在正x区域内产生的非平衡电子浓度为

n(x)=1017exp(-2000x)。求空穴浓度p(x)，并计算在x=0处电子浓度与空穴浓度的比值n/p，说明是小注入还是大注入。11例3一均匀n-Si，如图左半部用稳定光照射，均匀产生电子空穴对，产生率为g，若样品足够长，求稳态时样品两边的空穴浓度分布。边界处向右扩散xp(x)12例4一非均匀半导体p0如图所示。(1)求无外电场时，Jp(x)的表达式并画曲线。(2)若要使净空穴电流为零，求所需内电场的表达式并画曲线。样品P(x)P(0)p00wx(3)若p(0)/p0=103，求x=0和x=w之间的电位差。

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