GaN材料为基础的ACT器件的设计的开题报告_第1页
GaN材料为基础的ACT器件的设计的开题报告_第2页
GaN材料为基础的ACT器件的设计的开题报告_第3页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

蓝宝石衬底上以AlaN/GaN材料为基础的ACT器件的设计的开题报告一、研究背景和意义近年来，激光器和LED器件的需求量不断增加，而且还不断地涌现出新的应用领域，如：生物探测、光通信、局域网、光存储、红外探测、激光制导、微波发射、雷达系统等，因此设计一种集成度高、性能稳定的光电子器件刻不容缓。蓝宝石（Sapphire）是一种具有优异物理及光学性能的材料，在光电子器件领域中被广泛应用，如：便携式荧光光源、LED芯片、激光二极管、光通信等。在制备蓝宝石衬底上的光电子器件时，发现其表面质量非常高、纯度高、导热性好、稳定性佳等优点，且非常适合高速器件的制备。蓝宝石衬底上的ACT（AluminumNitride/GalliumNitrideCompositeTransistor）器件，在航空、航天、军事等领域也有着广泛的应用，具有功率密度高、可靠性高、输出功率大、性能稳定等特点，因此本研究针对蓝宝石衬底上的ACT器件的设计是具有很高的研究价值和实用意义的。二、研究内容和技术路线本研究拟设计一种以AlaN/GaN材料为基础的ACT器件，并对其性能进行研究和分析。具体研究内容和技术路线如下：1.系统地研究和分析AlaN/GaN材料的物理和化学性质，确定其在ACT器件中的应用方案；2.设计和优化ACT器件的结构和工艺流程，采用多种光刻、薄膜沉积、离子成型等技术制备器件；3.利用光刻技术将器件的金属电极和源极等部分制备好，并对其进行表面处理；4.利用薄膜沉积技术制备AlaN/GaN材料，并进行原子层沉积（ALD）；5.使用离子成型技术对器件进行加工，并用光学显微镜、电子显微镜、XRD等手段对器件进行测试和分析，探究其物理和电学特性；6.对实验结果进行统计和分析，得出ACT器件的性能和优化方案。三、研究预期结果和创新点本研究预期能够成功设计制备出一种基于AlaN/GaN材料的ACT器件，并对其性能进行研究和分析，对其在激光器和LED器件等光电子器件中的应用具有重要意义。本研究的创新点主要包括：1.设计和制备蓝宝石衬底上的ACT器件，为光电子器件中的应用提供了一种新的解决方案；2.采用AlaN/GaN材料作为ACT器件的材料，提高了器件的稳定性和输出功率；3.采用多种先进技术制备和加工器件，提高了器件的制备和加工精度。四、研究进展和计划目前，本研究已经完成了AlaN/GaN材料的系统研究和分析，确定了其在ACT器件中的应用方案。接下来，我们将进一步进行器件的设计和制备，并对其性能进行测试和分析。未来的计划主要包括：1.进一步完善器件的设计和优化流程，改进器件的性能和稳定性；2.通过对器件进行测试和

人人文库> 全部分类> 毕业设计 > 开题报告

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论