模拟电子技术基础答案样本

第三某些习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子浓度重要取决于掺入杂质浓度，而少数载流子浓度则与温度有很大关系。2、当PN结外加正向电压时，扩散电流不不大于漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向电压时，扩散电流不大于漂移电流，耗尽层变宽。3、在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。二．判断题1、由于P型半导体中具有大量空穴载流子，N型半导体中具有大量电子载流子，因此P型半导体带正电，N型半导体带负电。（×）2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（√）3、扩散电流是由半导体杂质浓度引起，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（×）4、本征激发过程中，当激发与复合处在动态平衡时，两种作用互相抵消，激发与复合停止。（×）5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（√）6、温度升高时，PN结反向饱和电流将减小。（×）7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（×）三．简答题1、PN结伏安特性有何特点？答：依照记录物理理论分析，PN结伏安特性可用式表达。式中，ID为流过PN结电流；Is为PN结反向饱和电流，是一种与环境温度和材料等关于参数，单位与I单位一致；V为外加电压；VT=kT/q，为温度电压当量（其单位与V单位一致），其中玻尔兹曼常数，电子电量，则，在常温（T=300K）下，VT=25.875mV=26mV。当外加正向电压，即V为正值，且V比VT大几倍时，，于是，这时正向电流将随着正向电压增长按指数规律增大，PN结为正向导通状态.外加反向电压，即V为负值，且|V|比VT大几倍时，，于是，这时PN结只流过很小反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN结呈反向截止状态。PN结伏安特性也可用特性曲线表达，如图1.1.1所示.从式(1.1.1)伏安特性方程分析和图1.1.1特性曲线（实线某些）可见：PN结真有单向导电性和非线性伏安特性。图1图1.1.12、什么是PN结反向击穿？PN结反向击穿有哪几种类型？各有何特点？答：“PN”结反向击穿特性：当加在“PN”结上反向偏压超过其设计击穿电压后，PN结发生击穿。PN结击穿重要有两类，齐纳击穿和雪崩击穿。齐纳击穿重要发生在两侧杂质浓度都较高PN结，普通反向击穿电压不大于4Eg/q（Eg—PN结量子阱禁带能量，用电子伏特衡量，Eg/q指PN结量子阱外加电压值，单位为伏特）PN击穿模式就是齐纳击穿，击穿机理就是强电场把共价键中电子拉出来参加导电，使少子浓度增长，反向电流上升。雪崩击穿重要发生在“PN”结一侧或两侧杂质浓度较低“PN”结，普通反向击穿电压高于6Eg/q“PN”结击穿模式为雪崩击穿。击穿机理就是强电场使载流子运动速度加快，动能增大，撞击中型原子时把外层电子撞击出来，继而产生连锁反映，导致少数载流子浓度升高，反向电流剧增。3、PN结电容是如何形成？和普通电容相比有什么区别？PN结电容由势垒电容Cb和扩散电容Cd构成。势垒电容Cb是由空间电荷区引起。空间电荷区内有不能移动正负离子，各具备一定电量。当外加反向电压变大时，空间电荷区变宽，存储电荷量增长；当外加反向电压变小时，空间电荷区变窄，存储电荷量减小，这样就形成了电容效应。“垫垒电容”大小随外加电压变化而变化，是一种非线性电容，而普通电容为线性电容。在实际应用中，惯用微变电容作为参数，变容二极管就是势垒电容随外加电压变化比较明显二极管。图1.3.3P区中电子浓度分布曲线及电荷积累扩散电容Cd是载流子在扩散过程中积累而引起。PN结加正向电压时，N区电子向P区扩散，在P区形成一定电子浓度(Np)分布，PN结边沿处浓度大，离结远地方浓度小，电子浓度按指数规律变化。当正向电压增长时，载流子积累增长了△Q；反之，则减小，如图1.3.3所示。同理，在N区内空穴浓度随外加电压变化而变化关系与P区电子浓度变化相似。因而，外加电压增长△V时所浮现正负电荷积累变化△Q，可用扩散电容Cd图1.3.3P综上可知，势垒电容和扩散电容是同步存在。PN结正偏时，扩散电容远不不大于势垒电容；PN结反偏时，扩散电容远不大于势垒电容。势垒电容和扩散电容大小都与PN结面积成正比。与普通电容相比，PN结电容是非线性分布电容，而普通电容为线性电容。习题2客观检测题一、填空题1、半导体二极管当正偏时，势垒区变窄，扩散电流不不大于漂移电流。2、在常温下，硅二极管门限电压约0.6V，导通后在较大电流下正向压降约0.7V；锗二极管门限电压约0.1V，导通后在较大电流下正向压降约0.2V。3、在常温下，发光二极管正向导通电压约1.2~2V，高于硅二极管门限电压；考虑发光二极管发光亮度和寿命，其工作电流普通控制在5~10mA。4、运用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直特点而制成二极管，称为普通（稳压）二极管。请写出这种管子四种重要参数，分别是最大整流电流、反向击穿电压、反向电流和极间电容。二、判断题1、二极管加正向电压时，其正向电流是由（a）。a.多数载流子扩散形成b.多数载流子漂移形成c.少数载流子漂移形成d.少数载流子扩散形成2、PN结反向偏置电压数值增大，但不大于击穿电压，（c）。a.其反向电流增大b.其反向电流减小c.其反向电流基本不变d.其正向电流增大3、稳压二极管是运用PN结（d）。a.单向导电性b.反偏截止特性c.电容特性d.反向击穿特性4、二极管反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（c）。a.10μAb.15μAc.20μAd.40μA5、变容二极管在电路中使用时，其PN结是（b）。a.正向运用b.反向运用三、问答题1、温度对二极管正向特性影响小，对其反向特性影响大，这是为什么？答：正向偏置时，正向电流是多子扩散电流，温度对多子浓度几乎没有影响，因而温度对二极管正向特性影响小。但是反向偏置时，反向电流是少子漂移电流，温度升高少数载流子数量将明显增长，反向电流急剧随之增长，因而温度对二极管反向特性影响大。2、能否将1.5V干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？答：依照二极管电流方程式将V=1.5V代入方程式可得：故虽然二极管内部体电阻、引线电阻及电池内阻都能起限流作用，但过大电流定会烧坏二极管或是电池发热失效，因而应此外添加限流电阻。3、有A、B两个二极管。它们反向饱和电流分别为5mA和，在外加相似正向电压时电流分别为20mA和8mA，你以为哪一种管性能较好？答：B好，由于B单向导电性好；当反向偏置时，反向饱和电流很小，二极管相称于断路，其反向偏置电阻无穷大。4、运用硅二极管较陡峭正向特性，能否实现稳压？若能，则二极管应如何偏置？答：能实现稳压，二极管应当正向偏置，硅二极管正偏导通电压为0.7V；因而硅二极管正向特性，可以实现稳压，其稳压值为0.7V。5、什么是齐纳击穿？击穿后与否意味着PN结损坏？答：齐纳击穿重要发生在两侧杂质浓度都较高PN结，其空间电荷区较窄，击穿电压较低（如5V如下），普通反向击穿电压不大于4Eg/q（Eg—PN结量子阱禁带能量，用电子伏特衡量，Eg/q指PN结量子阱外加电压值，单位为伏特）PN击穿模式就是齐纳击穿，击穿机理就是强电场把共价键中电子拉出来参加导电，使少子浓度增长，反向电流上升。发生齐纳击穿需要电场强度很大，只有在杂质浓度特别大PN结才干达到。击穿后并不意味着PN结损坏，当加在稳压管上反向电压减少后来，管子依然可以恢复本来状态。但是反向电流和反向电压乘积超过PN结容许耗散功率时，就也许由电击穿变为热击穿，而导致永久性破坏。电击穿PN结未被损坏，但是热击穿PN结将永久损坏。主观检测题2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时二极管电流。（设）解：由公式由于，VT=0.026V正向偏置VD=0.26V时当反向偏置时2.1.2写出题图2.1.2所示各电路输出电压值，设二极管均为抱负二极管。解：VO1≈2V（二极管正向导通），VO2＝0（二极管反向截止），VO3≈－2V（二极管正向导通），VO4≈2V（二极管反向截止），VO5≈2V（二极管正向导通），VO6≈－2V（二极管反向截止）。题图题图2.1.22.1.3重复题2.1.2，设二极管均为恒压降模型，且导通电压VD＝0.7V。解：UO1≈1.3V（二极管正向导通），UO2＝0（二极管反向截止），UO3≈－1.3V（二极管正向导通），UO4≈2V（二极管反向截止），UO5≈1.3V（二极管正向导通），UO6≈－2V（二极管反向截止）。(a)(c)(b)题图2.1.4(a)(c)(b)题图2.1.4解：题图2.1.4所示电路图中，图（a）所示电路，二极管D导通，VAO=－6V，图（b）所示电路，二极管D1导通，D2截止，VAO=－0V，图（c）所示电路，二极管D1导通，D2截止，VAO=－0V。2.1.5在用万用表三个欧姆档测量某二极管正向电阻时，共测得三个数据；，试判断它们各是哪一档测出。解：万用表测量电阻时，相应测量电路和伏安特性如图2.1.5所示，事实上是将流过电表电流换算为电阻值，用指针偏转表达在表盘上。当流过电流大时，批示电阻小。测量时，流过电表电流由万用表内阻和二极管等效直流电阻值和联合决定。图2.1.5普通万用表欧姆档电池电压为Ei=1.5V，档时，表头指针满量程为100μA（测量电阻为0，流经电阻Ri电流为10mA），万用表内阻为；档时，万用表内阻为（测量电阻为0，表头满量程时，流经Ri电流为1mA）；档时（测量电阻为0，表头满量程时，流经Ri电流为0.1mA），万用表内阻为；图2.1.5由图可得管子两端电压V和电流I之间有如下关系：档时，内阻；档时，内阻；档时，内阻；从伏安特性图上可以看出，用档测量时，万用表直流负载线方程与二极管特性曲线交点为A，万用表读数为V1/I1。用档测量时，万用表直流负载线方程与二极管特性曲线交点为B，万用表读数为V2/I2。用档测量时，万用表直流负载线方程与二极管特性曲线交点为C，万用表读数为V3/I3。由图中可以得出因此，为万用表档测出；为万用表档测出；为万用表档测出。(a)抱负模型(b)恒压降模型图2.1.6π2ππ2ππ2π2.1.6电路如题图2.1.6所示，已知(a)抱负模型(b)恒压降模型图2.1.6π2ππ2ππ2π题图2.1.6题图2.1.解：由题意可知：vi＝6sinωt(v)在vi正半周，二极管导通，电路输出电压波形如图2.1.6(a)、(b)所示。图2.1.72.1.7电路如题图2.1.7所示，已知vi＝6sinωt(V)，二极管导通电压VD＝0.7V。试画出vi与vO图2.1.7题图题图2.1.解：由题意vi＝6sinωt(V)波形如图2.1.7所示：当时，二极管D1导通，vo＝3.7V，当时，二极管D2导通，vo＝−3.7V，当时，二极管D1、D2截止，vo＝vi。2.2.1既有两只稳压管，它们稳定电压分别为5V和8V，正向导通电压为0.7V。试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、5.7V、8.7V和13V等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V、5V和8V等三种稳压值。2.2.2已知稳压管稳压值VZ＝6V，稳定电流最小值IZmin＝5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。题图2.2.2题图2.2.2解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管电流为，不不大于其最小稳定电流，因此稳压管击穿。故。（2）当VI＝10V时，若VO2＝VZ＝6V，则稳压管电流为，不大于其最小稳定电流，因此稳压管未击穿。故。2.2.3电路如题图2.2.3（a）（b）所示，稳压管稳定电压VZ＝3V，R取值适当，vi波形如图（c）所示。试分别画出vO1和vO2波形。题图题图2.2.3解：波形如图2.2.3所示。题图2.2.3所示电路中，对于图（a）所示电路，当时，稳压管DZ反向击穿，vo＝vi−3V，当时，稳压管DZ未击穿，vo＝0V。图2.2.3对于图b所示电路，当时，稳压管DZ反向击穿，vo＝VZ，当时，稳压管DZ未击穿，vo＝vi。图2.2.3题图题图2.2.42.2.4已知题图2.2.4所示电路中稳压管稳定电压VZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。（1）分别计算vi为10V、15V、35V三种状况下输出电压vO值；（2）若vi＝35V时负载开路，则会浮现什么现象?为什么？解：（1）当vi＝10V时，若vO＝VZ＝6V，则稳压管电流为4mA，不大于其最小稳定电流，因此稳压管未击穿。故当vi＝15V时，稳压管中电流不不大于最小稳定电流IZmin，因此vO＝VZ＝6V同理，当vi＝35V时，vO＝VZ＝6V。（2）29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。2.2.5电路如题图2.2.5所示，设所有稳压管均为硅管（正向导通电压为VD＝0.7V），且稳定电压VZ＝8V，已知vi＝15sinωt(V)，试画出vO1和vO2波形。题图2.2.5题图2.2.5(b)(a)解：题图2.2.5所示电路图中，对于图（a），当时，稳压管DZ反向击穿，vo＝8V；当时，稳压管DZ正向导通，vo＝−0.7V；当时，稳压管DZ1和DZ2未击穿，vo＝vi。相应题图2.2.5(a)电路输出电压波形如图2.2.5(a)所示。对于图（b），当时，稳压管DZ1正向导通、DZ2反向击穿，vo＝8V；当时，稳压管DZ1反向击穿、DZ2正向导通，vo＝−8V；当时，稳压管DZ1和DZ2未击穿，vo＝vi。相应题图2.2.5(b)电路输出电压波形如图2.2.5(b)所示。图图2.2.5(b)(a)2.3.1在题图2.3.1所示电路中，发光二极管导通电压VD＝1.5V，正向电流在5～15mA时才干正常工作。试问：题图2.3.1题图2.3.1（2）R取值范畴是多少？解：（1）当开关S闭合时发光二极管才干发光。（2）为了让二极管正常发光，ID＝5～15mA，R范畴为可以计算得到R=233～700Ω习题3客观检测题一、填空题1.三极管处在放大区时，其集电结电压不大于零，发射结电压不不大于零。2.三极管发射区杂质浓度很高，而基区很薄。3.在半导体中，温度变化时少数载流子数量变化较大，而多数载流子数量变化较小。4.三极管实现放大作用内部条件是：发射区杂质浓度要远不不大于基区杂质浓度，同步基区厚度要很小；外部条件是：发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。5.处在放大状态晶体管，集电极电流是少数载流子漂移运动形成。6.工作在放大区某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它β约为100。7.三极管三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。8.双极型三极管是指它内部参加导电载流子有两种。9.三极管工作在放大区时，它发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。10.某放大电路在负载开路时输出电压为5V，接入12k负载电阻后，输出电压降为2.5V，这阐明放大电路输出电阻为12k。11.为了使高内阻信号源与低电阻负载能较好配合，可以在信号源与低电阻负载间接入共集电极组态放大电路。12.题图3.0.1所示图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管输出特性和直流、交流负载线。由此可以得出：（1）电源电压=6V；（2）静态集电极电流=1mA；集电极电压=3V；（3）集电极电阻=3kΩ；负载电阻=3kΩ；（4）晶体管电流放大系数=50，进一步计算可得电压放大倍数=－50；（取200）；（5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为1.06V；（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流振幅度应不大于20μA。题图题图3.0.113.稳定静态工作点惯用办法有射极偏置电路和集电极－基极偏置电路。14.有两个放大倍数相似，输入电阻和输出电阻不同放大电路A和B，对同一种具备内阻信号源电压进行放大。在负载开路条件下，测得A放大器输出电压小，这阐明A输入电阻小。15.三极管交流等效输入电阻随静态工作点变化。16.共集电极放大电路输入电阻很大，输出电阻很小。17.放大电路必要加上适当直流偏置才干正常工作。18.共射极、共基极、共集电极放大电路有功率放大作用；19.共射极、共基极放大电路有电压放大作用；20.共射极、共集电极放大电路有电流放大作用；21.射极输出器输入电阻较大，输出电阻较小。22.射极输出器三个重要特点是输出电压与输入电压近似相似、输入电阻大、输出电阻小。23.“小信号等效电路”中“小信号”是指“小信号等效电路”适合于微小变化信号分析，不适合静态工作点和电流电压总值求解，不适合大信号工作状况分析。24.放大器静态工作点由它直流通路决定，而放大器增益、输入电阻、输出电阻等由它交流通路决定。25.图解法适合于求静态工作Q点；小、大信号工作状况分析，而小信号模型电路分析法则适合于求交变小信号工作状况分析。26.放大器放大倍数反映放大器放大信号能力；输入电阻反映放大器索取信号源信号大小能力；而输出电阻则反映出放大器带负载能力。27.对放大器分析存在静态和动态两种状态，静态值在特性曲线上所相应点称为Q点。28.

在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观测VO和VI波形，则VO和VI相位关系为反相；当为共集电极电路时，则VO和VI相位关系为同相。29.在由NPN管构成单管共射放大电路中，当Q点太高（太高或太低）时，将产生饱和失真，其输出电压波形被削掉波谷；当Q点太低（太高或太低）时，将产生截止失真，其输出电压波形被削掉波峰。30.单级共射放大电路产生截止失真因素是放大器动态工作轨迹进入截止区，产生饱和失真因素是放大器动态工作轨迹进入饱和区。31.NPN三极管输出电压底部失真都是饱和失真。32.PNP三极管输出电压顶部部失真都是饱和失真。33.多级放大器各级之间耦合连接方式普通状况下有RC耦合，直接耦合，变压器耦合。34.BJT三极管放大电路有共发射极、共集电极、共基极三种组态。35.无论何种组态放大电路，作放大用三极管都工作于其输出特性曲线放大区。因而，这种BJT接入电路时，总要使它发射结保持正向偏置，它集电结保持反向偏置。36.某三极管处在放大状态，三个电极A、B、C电位分别为-9V、-6V和-6.2V，则三极管集电极是A，基极是C，发射极是B。该三极管属于PNP型，由锗半导体材料制成。37.电压跟随器指共集电极电路，其电压放大倍数为1；电流跟随器指共基极电路，指电流放大倍数为1。38.温度对三极管参数影响较大，当温度升高时，增长，增长，正向发射结电压减小，减小。39.当温度升高时，共发射极输入特性曲线将左移，输出特性曲线将上移，并且输出特性曲线之间间隔将增大。40.放大器产生非线性失真因素是三极管或场效应管工作在非放大区。41.在题图3.0.2电路中，某一参数变化时，变化状况（a.增长，b，减小，c.不变，将答案填入相应空格内）。题图3.0.2（1）增长时，将增大。题图3.0.2（2）减小时，将增大。（3）增长时，将减小。（4）增长时，将不变。（5）减小时（换管子），将增大。（6）环境温度升高时，将减小。42.在题图3.0.3电路中，当放大器处在放大状态下调节电路参数，试分析电路状态和性能变化。（在相应空格内填“增大”、“减小”或“基本不变”。）（1）若阻值减小，则静态电流IB将增大，将减小，电压放大倍数将增大。（2）若换一种值较小晶体管，则静态将不变，将增大，电压放大倍数将减小。题图3.0.3（3）若阻值增大，则静态电流将不变，将减小，电压放大倍数将增大。题图3.0.343.放大器频率特性表白放大器对不同频率信号适应限度。表征频率特性重要指标是中频电压放大倍数，上限截止频率和下限截止频率。44.放大器频率特性涉及幅频响应和相频响应两个方面，产生频率失真因素是放大器对不同频率信号放大倍数不同。45.频率响应是指在输入正弦信号状况下，放大器对不同频率正弦信号稳态响应。46.

放大器有两种不同性质失真，分别是线性失真和非线性失真。47.幅频响应通带和阻带界限频率被称为截止频率。48.阻容耦合放大电路加入不同频率输入信号时，低频区电压增益下降因素是由于存在耦合电容和旁路电容影响；高频区电压增益下降因素是由于存在放大器件内部极间电容影响。49.单级阻容耦合放大电路加入频率为输入信号时，电压增益幅值比中频时下降了3dB，高、低频输出电压与中频时相比有附加相移，分别为-45º和+45º。50.在单级阻容耦合放大电路波特图中，幅频响应高频区斜率为-20dB/十倍频，幅频响应低频区斜率为-20dB/十倍频；附加相移高频区斜率为-45º/十倍频，附加相移低频区斜率为+45º/十倍频。51.一种单级放大器下限频率为，上限频率为，，如果输入一种mV正弦波信号，该输入信号频率为50kHz，该电路不会产生波形失真。52.多级放大电路与构成它各个单级放大电路相比，其通频带变窄，电压增益增大，高频区附加相移增大。二、判断题1.下列三极管均处在放大状态，试辨认其管脚、判断其类型及材料，并简要阐明理由。（1）3.2V，5V，3V；解：锗NPN型BJT管VBE=0.2V所觉得锗管；5V为集电极，3.2V为基极，3V为发射极，（2）－9V，－5V，－5.7V解：硅PNP型BJT管；－9V为集电极，－5.7V为基极，－5V为发射极（3）2V，2.7V，6V；解：硅NPN型BJT管；6V为集电极，2.7V为基极，2V为发射极（4）5V，1.2V，0.5V；解：硅NPN型BJT管；5V为集电极，1.2V为基极，0.5V为发射极（5）9V，8.3V，4V解：硅PNP型BJT管9V为发射极，8.3V为基极，4V为集电极（6）10V，9.3V，0V解：硅PNP型BJT管，10V为发射极，9.3V为基极，0V为集电极（7）5.6V，4.9V，12V；解：硅NPN型BJT管，12V为集电极，5.6V为基极，4.9V为发射极，（8）13V，12.8V，17V；解：锗NPN型BJT管，17V为集电极，13V为基极，12.8V为发射极，（9）6.7V，6V，9V；解：硅NPN型BJT管，9V为集电极，6.7V为基极，6V为发射极，2.判断三极管工作状态和三极管类型。1管：答：NPN管，工作在放大状态。2管：答：NPN管，工作在饱和状态。3管：答：NPN管，工作在截止状态。3.题图3.0.4所列三极管中哪些一定处在放大区？题图题图3.0.46V3VA6V2.3V2.3VC3V9.3V5.7VD5V0V1.9VB1.6V答：题图3.0.4所列三极管中，只有图（D）所示三极管处在放大区。4.放大电路故障时，用万用表测得各点电位如题图3.0.5，三极管也许发生故障是什么？答：题图3.0.5所示三极管，B、E极之间短路，发射结也许烧穿。题图题图3.0.55.测得晶体管3个电极静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA，则该管为①。①为60。②为61。③0.98。④无法拟定。6.只用万用表鉴别晶体管3个电极，最先鉴别出应是②b极。①e极②b极③c极7.共发射极接法晶体管，工作在放大状态下，对直流而言其①。①输入具备近似恒压特性，而输出具备恒流特性。②输入和输出均具近似恒流特性。③输入和输出均具备近似恒压特性。④输入具备近似恒流特性，而输出具备恒压特性。8.共发射极接法晶体管，当基极与发射极间为开路、短路、接电阻R时c，e间击穿电压分别用V（BR）CEO，V（BR）CES和V（BR）CER表达，则它们之间大小关系是②。①V（BR）CEO＞V（BR）CES＞V（BR）CER。②V（BR）CES＞V（BR）CER＞V（BR）CEO。③V（BR）CER＞V（BR）CES＞V（BR）CEO。④V（BR）CES＞V（BR）CEO＞V（BR）CER。9．题图3.0.6所示电路中，用题图3.0.6直流电压表测出VCE题图3.0.6也许是由于C或D。ARb开路BRc短路CRb过小Db过大10.测得电路中几种三极管各极对地电压如题图3.0.7所示。试判断各三极管工作状态。题图题图3.0.(b)(c)(d)(a)答：题图3.07所示各个三极管工作状态，图（a）为放大，图（b）为放大，图（c）为饱和，图（d）为C、E极间击穿。11.用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极对地电位，如题图3.0.8示，试判断这些晶体管分别处在哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？题图题图3.0.答：题图3.07所示各个三极管工作状态，图（a）为损坏，图（b）为放大，图（c）为放大，图（d）为截止，图（e）为损坏，图（f）为饱和（或B、C极间击穿）。12.放大电路如题图3.0.9所示，对于射极电阻变化与否会影响电压放大倍数和输入电阻问题，有三种不同看法，指出哪一种是对的？甲：当增大时，负反馈增强，因而、。（）乙：当增大时，静态电流减小，因而、。（）丙：因电容，对交流有旁路作用，因此变化对交流量不会有丝毫影响，因而，当增大时，和均无变化。题图题图3.0.解：本题旨在咱们要弄清，在分压式电流负反馈偏置电路中作用，从表面看，被交流旁路了，对交流量无影响（即不产生交流负反馈），因此变化不影响和，这是本题容易使咱们产生错觉地方。但咱们还必要进一步考虑，尽管不产生交流负反馈，但它对放大器静态工作点影响是很大，既然影响到，就影响到进而影响和。甲说法是错误，因素：因旁路作用，因此不产生交流负反馈，因此甲观点前提就是错。乙说法是对的。因素：丙说法是错误，因素：正如解题分析中所说，尽管不产生负反馈，但增大使减小必然引起减小和增长。主观检测题3.1.1把一种晶体管接到电路中进行测量，当测量，则，当测得，问这个晶体管值是多少？各是多少？解：依照电流关系式：（1）（2）将（1）、（2）两式联立，解其联立方程得：进而可得：3.1.2依照题图3.1.2所示晶体三极管3BX31A和输出特性曲线，试求Q点处，。题图题图3.解：，3.1.3硅三极管可以忽视，若接为题图3.1.3（a），规定，问应为多大？现改接为图(b)，仍规定应为多大？题图题图3.(a)(b)解：（a）（b）题图3.3题图3(a)(b)(c)解：题图3.3.1（a）所示晶体管为锗NPN管，三个引脚分别为①e极、②b极、③c极。题图3.3.1(b)所示晶体管为硅PNP管，三个引脚分别为①c极、②b极、③e极。题图3.3.1(c)所示晶体管为锗PNP管，三个引脚分别为①b极、②e极，③c极。3.3.2在某放大电路中，晶体管三个电极电流如题图3.3.2所示，已测出，，，试判断e、b、c三个电极，该晶体管类型（NPN型还是PNP型）以及该晶体管电流放大系数。题图题图3.解：题图3.3.2所示晶体管为PNP管，三个电极分别为②b极、①c极、③e极，晶体管直流电流放大倍数为=1.2/0.03=40。题图3.3.33.3.3共发射极电路如题图3.3.3所示，晶体管，导通时，问当开关分别接在A、B、C三处时，晶体管处在何种工作状态？集电极电流为多少？设二极管D具备抱负特性。题图3.解：题图3.3.3所示电路，当开关置于A位置时，Ib=（2-0.2）/10=0.18mAIcbo=12/（1×50）=0.24mA故工作在放大区，Ic=Ib×50=9mA。当开关置于B位置时，晶体管工作在截止区，Ic=0。当开关至于C位置时，晶体管工作在饱和区。(b)(a)(c)(b)(a)(c)(d)题图3.(e)(f)解：题图所示各个电路中，图（a）能放大，直流通路满足发射结正偏、集电结反偏；交流通路信号能顺畅输入输出。图（b）不能放大，直流通路满足发射结正偏、集电结反偏；交流通路信号不能顺畅输入。图（c）不能放大，直流通路满足发射结正偏、集电结反偏；交流通路信号不能顺畅输出。图（d）不能放大，直流通路不满足发射结正偏、集电结反偏；图（e）不能放大，直流通路满足发射结正偏、集电结反偏；交流通路信号不能顺畅输入。图（f）不能放大，直流通路不满足发射结正偏；交流通路信号能顺畅输入输出。(a)(b)题图3.4.1(a)(b)题图3.（1）拟定、数值（设可以略去不计）。（2）若接入，画出交流负载线。（3）若输入电流，在保证放大信号不失真前提下，为尽量减小直流损耗，应如何调节电路参数？调节后元件数值可取为多大？解：（1）=12V;由，；由，。（2）如题图3.4.1（b）中加粗线所示。(3)增大Rb值，由（最大取值）。3.4.2放大电路如题图3.4.2（a）所示，其晶体管输出特性曲线题图3.4.2（b）所示（不包括加粗线和细输出电压波形线），已知（各电容容抗可忽视不计），。（1）计算静态工作点；（2）分别作出交直流负载线，并标出静态工作点Q；(a)(b)题图3.4.2（3）若基极电流分量画出输出电压波形图，并求其幅值(a)(b)题图3.解：（1）;。（2）交直流负载线，电路静态工作点Q如题图3.4.2(b)中加粗线所示。（3）出输出电压波形图如题图3.4.2(b)中细线所示，输出电压幅值。3.4.3分压式偏置电路如题图3.4.3（a）所示。其晶体管输出特性曲线如图（b）所示，电路中元件参数，晶体管饱和压降。（1）估算静态工作点Q；（2）求最大输出电压幅值；（3）计算放大器、Ri、Ro和Avs；（4）若电路其她参数不变，问上偏流电阻为多大时，(a)(a)(b)题图3.解：（１）（2）由图解法求静态Q点，并作交流负载线，输出电压幅度负向最大值为Vom2，输出电压幅度正向最大值为Vom1，去两者小者为最大不失真输出电压幅度为Vom=Vom1=14-8=6V；（3）（4）(a)(b)题图(a)(b)题图3.解：如题图3.4.3（b）所示第一种状况属于截止失真，应增大Rb1解决；第二种状况属于饱和失真，应减小Rb1解决；第三种状况属于饱和截止失真同步浮现，应当减小输入信号幅度解决。(a)(a)(b)题图3.3.4.5放大电路如题图3.4.5（a）所示，设，晶体管输出特性曲线如图3.4.5（b）所示，试用图解法求：（1）放大器静态工作点？=？（2）当放大器不接负载时（），输入正弦信号，则最大不失真输出电压振幅（3）当接入负载电阻时，再求最大不失真输出电压振幅解：（1），直流负载线方程为：。直流负载线与横、纵轴分别交于M(20V，0mA)、N(0V，5mA)，且斜率为-1/RC，从图中读出静态值Q点为：(2)不接负载时，输入正弦信号，则最大不失真输出电压振幅(d)(f)(a)(c)题图3.5.1(e)(d)(f)(a)(c)题图3.(e)(b)3.5.1画出下列题图3.5.1中各电路简化h参数等效电路，并标出正方向。（电路中各电容容抗可不计）。解：画出相应题图3.5.1（a、b、c、d、e、f）所示电路简化h参数等效电路图如图3.5.1（a、b、c、d、e、f）所示。(a)(a)图3.图3.题图3.5.23.5.2在如图3.5.2电路中设，晶体管，在计算时可以为：题图3.（1）若，问这时（2）在以上状况下，逐渐加大输入正弦信号幅度，问放大器易浮现何种失真？（3）若规定，问这时（4）在，加入信号电压，问这时解：本题旨在使咱们纯熟地掌握单管放大器静态工作计算办法，通过咱们对静态工作点分析计算，看Q点设立与否合理。并不合理，咱们如何调节电路才干防止放大器产生非线性失真。通过Q点计算，咱们如何鉴别易产生何种失真呢？这里重要看大小。愈接近于，放大器愈易产生截止失真；反之愈小（愈接近，愈易产生饱和失真。当约为，较为合理。(1)（1）（2）由于工作点偏低，故产生截止失真。（3）当（4）。3.6.1放大电路如题图3.6.1所示，已知，，，晶体管，各电容容抗均很小。（1）求放大器静态工作点；（2）求未接入时电压放大倍数；（3）求接入后电压放大倍数；（4）若信号源有内阻，当为多少时才干使此时源电压放大倍数降为一半？题图题图3.解：[解题分析]本题（1）、（2）、（3）小题是比较容易计算，这是咱们分析分压式电流负反馈偏置电路必要具备基本知识。对于第（4）小题，咱们在分析时，必要要弄清放大器电压增益与放大器源电压增益之间关系，这种关系为：（1）（2）（3）当接入 （4）即：当时，放大器源电压增益为放大器电压增益一半（按计算）。3.6.2放大电路如题图3.6.2所示，，，，晶体管，各电容容抗可以略去不计。（1）估算静态工作点：（2）画出其简化h参数等效电路，并计算出电压放大倍数，输入电阻，输出电阻；题图3.6.2（3）设信号源内阻，信号源电压，计算输出电压。题图3.解：（1）（2）简化h参数微变等效电路如图3.6.2所示。图3.图3.（3）3.6.3分压式偏置电路如题图3.6.3所示，设，，，有六个同窗在实验中用直流电压表测得三极管各级电压如题表3.6.3所示，试分析各电路工作状态与否适当。若不适合，试分析也许浮现了什么问题（例如某元件开路或短路）。题表3.6.3组号123456VB(V)00.751.401.51.4VE(V)000.7000.7VC(V)00.38.512124.3工作状态故障分析题图题图3.解：依照电路参数，可以计算出电路参数为，，，，。则对测量成果可以作出如表3.6.3分析。表3.6.3组号123456VB(V)00.751.401.51.4VE(V)000.7000.7VC(V)00.38.512124.3工作状态截止饱和正常放大截止截止放大故障分析电源开路Re短路Rb2开路BJT基极开路Rb1开路3.7.1某射极输出器用一种恒流源来设立射极电流，如题图3.7.1所示，已知晶体管，，，电容在交流通路中可视为短路。（1）求静态时；（2）求射极输出器输出电阻；（3）若，求输入电阻和源电压放大倍数；（4）若，求输入电阻和源电压放大倍数；（提示：恒流源特点：交流电阻极大，而直流电阻较小。）题图题图3. 解：[解题分析]本题信号源采用是具备内阻电压源形式，因此在第（3）~（4）小题中计算均为源电压放大倍数。本题与普通射极输出器所不同是在射极不是用固定电阻而是采用恒流源，这样咱们必要弄清恒流源特点：交流电阻极大，而直流电阻较小。即咱们在分析电路时，特别在分析交流量时，就应当看作在射极接入极大电阻来考虑，这样，咱们在求、时就不会出差错。（1）（2）因射极串联恒流源，因此可以为射极交流开路，因而（3）时，则因此（4），。3.7.2在题图3.7.2所示电路中，晶体管、电容、和都足够大。（1）求放大器静态工作点、、；（2）求放大器电压放大倍数和；（3）求放大器输入电阻；（4）求放大器输出电阻、。题图题图3.解：[解题分析]本题是将共集电路与共发电路两方面知识内容结合起来，通过度析计算对两种电路参数进行比较，从而加深咱们对两种电路理解。在第（2）小题证明题中，咱们要到之间关系式，即。本题易出错误地方，是在求时，误以为。（1） （2）共射电路共集电极电路（3）（4）3.7.3射极输出器如题图3.7.3所示，已知，晶体饱和压降和穿透电流在上压降均可忽视不计。（1）求射极跟随器电压跟随范畴；（2）变化Rb可调节跟随范畴，当Rb为什么值时跟随范畴最大？题图题图3.解：（1）,,。图图3.可见静态工作点正好在直流负载线中间，交流负载线斜率为交流负载线方程为：，在横轴上交点为15V，EQ故最大不失真输出电压幅度为：15-12=3V共集电极电路其电压幅度为3V，因此跟随范畴是0~3V。（2）晶体饱和压降和穿透电流在上压降均可忽视不计。从输出特性曲线上可以看出，当Q点处在交流负载线中央时，跟随范畴最大。交流负载线为：（1）直流负载线为：（2）由（1）式，交流负载线在横轴上截距为，（3）由于Q点处在交流负载线中央，因此有（4）将（2）式代入（4）式，3.8.1.电路如题图3.8.1所示。已知Vcc=12V，Rb=300KΩ，Rc1=3KΩ，Re1=0.5KΩ，Rc2=1.5KΩ，Re2=1.5KΩ,晶体管电流放大系数β1＝β2＝60，电路中电容容量足够大。计算电路静态工作点数值，输出信号分别从集电极输出及从发射极输出两级放大电路电压放大倍数。题图题图3.8.1电路图RbviC1RC1T1T2vo1VCCRe1Re2CeC2RC2vo2解：放大电路静态值计算：，，，，，，放大电路电压放大倍数计算：，，，第二级放大电路从集电极输出时，，第二级放大电路从发射极输出时，，。3.9.1若放大器放大倍数、、均为540，试分别用分贝数表达它们。解：3.9.2已知某电路波特图如题图3.29所示，试写出表达式。图题图题3.解：中频电压放大倍数为因此（从相频特性可以看出，中频时电压放大倍数相移为180º）。设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。3.9.3已知某电路幅频特性如题图3.9.3所示，试问：（1）该电路耦合方式；（2）该电路由几级放大电路构成；题图3.9.3（3）当f＝104Hz时，附加相移为多少？当f＝10题图3.解：（1）由于下限截止频率为0，因此电路为直接耦合电路；（2）由于在高频段幅频特性为－60dB/十倍频，因此电路为三级放大电路；（3）当f＝104Hz时，φ'＝－135o；当f＝105Hz时，φ'≈－270o。3.9.4已知单级共射放大电路电压放大倍数（1）＝？fL＝？fH＝?（2）画出波特图。解：（1）（1）变换电压放大倍数表达式，求出、fL、fH。图图3.9.3（2）波特图如图3.9.3所示。3.9.5两级RC耦合放大器中，第一级和第二级对数幅频特性和如题图3.9.5所示，试画出该放大器总对数幅频特性，并阐明该放大器中频是多少？在什么频率下该放大器电压放大倍数下降为？解：[解题分析]本题意图是练习画对数幅频特性办法，运用两级放大器总增益分贝数等于每个单级放大器增益分贝数相加原理。在作总幅频特性过程中，只要找出几种特殊点（例：等）连接这几种特殊点即可。由题图3.9.5可知：在中频段，中频段放大器总增益为图3.图3.即：放大器总对数幅频特性如图3.9.5中所标出。由图可知当时，放大器电压放大倍数下降为。3.9.6由两个完全相似单级所构成RC放大器其总上限截止频率，总下限截止频率，试求各级上限截止频率和下限截止频率。解：在高频段，则，解得；在低频段，则，解得。题图3.9.73.9.7在题图3.9.7所示电路中，已知晶体管＝100Ω，rbe＝1kΩ，静态电流IEQ＝2mA，＝800pF；Rs＝2kΩ，Rb＝500kΩ，RC＝3.3kΩ，C=10μF。试分别求出电路fH、fL，并画出波特图。题图3.解：（1）求解fL（2）求解fH和中频电压放大倍数相频特性和幅频特性波特图如图3.9.7所示。图图3.习题4客观检测题一、填空题1.场效应管运用外加电压产生电场来控制漏极电流大小，因而它是电压控制器件。2.为了使结型场效应管正常工作，栅源间两PN结必要加反向电压来变化导电沟道宽度，它输入电阻比MOS管输入电阻小。结型场效应管外加栅-源电压应使栅源间耗尽层承受反向电压，才干保证其RGS大特点。3.场效应管漏极电流由多数载流子漂移运动形成。N沟道场效应管漏极电流由载流子漂移运动形成。JFET管中漏极电流不能穿过PN结（能，不能）。4.对于耗尽型MOS管，VGS可觉得正、负或者零。5.对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为正，并且只能当VGS>VTH时，才干形有。6.P沟道增强型MOS管启动电压为负值。N沟道增强型MOS管启动电压为正值。7.场效应管与晶体管相比较，其输入电阻高；噪声低；温度稳定性好；饱和压降大；放大能力较差；频率特性较差（工作频率低）；输出功率较小。8.场效应管属于电压控制器件，而三极管属于电流控制器件。9.场效应管放大器惯用偏置电路普通有自偏压电路和分压器式自偏压电路两种类型。10.由于晶体三极管是电子、空穴两种载流子同步参加导电，因此将它称为双极型，由于场效应管只有多数载流子参加导电，因此将其称为单极型。11.跨导反映了场效应管栅源电压对漏极电流控制能力，其单位为ms(毫西门子)。12.若耗尽型N沟道MOS管VGS不不大于零，其输入电阻不会明显变小。13.一种结型场效应管转移特性曲线如题图4.1所示，则它是N沟道效应管，它夹断电压Vp是4.5V，饱和漏电流IDSS是5.4mA。题图题图4.0.1填空题13图主观检测题4.2.1已知某结型场效应管IDSS＝2mA，Vp＝－4V，试画出它转移特性曲线和输出特性曲线，并近似画出预夹断轨迹。解：依照方程：，逐点求出拟定vGS下iD，可近似画出转移特性和输出特性；在输出特性中，将各条曲线上vGD＝Vp点连接起来，便为予夹断线；如图4.2.1所示。图图4.2.14.3.1已知放大电路中一只N沟道增强型MOS管场效应管三个极①、②、③电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断①、②、③与G、S、D相应关系。解：命题给定管子是增强型管，事实上也可以是耗尽型MOS管（具备两种也许）和结型场效应N沟道管，则三个极①、②、③与G、S、D相应关系如图4.3.1所示。图图4.3.14.4.1题图4.4.1所示曲线为某场效应管输出特性曲线，试问：（1）它是哪一种类型场效应管？（2）它夹断电压Vp（或启动电压VT）大概是多少？题图4.4.1（3）它大概是多少？题图4.4.1解：（1）由题图4.4.1所示特性曲线，是P沟道耗尽型场效应管输出特性曲线。（2）Vp＝4V。（3）（vGS＝0时，输出特性从可变电阻区转折为饱和区时相应电流）。4.4.2已知场效应管输出特性曲线如题图4.4.1所示，画出恒流区vDS=8V转移特性曲线。解：依照题图4.4.1所示场效应管输出特性曲线，则该场效应管转移特性如图4.4.2所示。图图4.4.24.6.1分别判断题图4.6.1所示各电路中场效应管与否有也许工作在放大区。题图题图4.6.1解：题图4.6.1所示各个电路中，图（a）所示电路，也许工作在放大区，图（b）所示电路，不也许也许工作在放大区，图（c）所示电路，不也许也许工作在放大区，图（d）所示电路，也许也许工作在放大区。4.6.2试分析题图4.6.2所示各电路与否可以放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。题图题图4.6.2(c)(b)(a)解：题图4.6.2所示各个电路中，图（a）所示电路，也许放大交流信号。由于Vgs=0时，耗尽型N沟道MOS管工作在恒流放大区。图（b）所示电路能放大交流信号；结型场效应管静态工作点可以通过RS上流过电流产生自生偏压建立。由于G-S间电压将不大于零。图（c）所示电路不能放大交流信号；。由于增强型场效应管不能产生自生偏压，这样MOS管处在截止状态。题图4.6.34.6.3场效应管放大器如题图4.6.3所示，若，规定静态工作点为，，试求。题图4.6解：由题意可知：可得：＝4kΩ4.6.4增强型MOS管能否单独用自给偏置办法来设立静态工作点？为什么？试画出用P沟道增强型MOS管构成共源电路，并阐明各元件作用。解：对于增强型MOS管，不能用自给偏置办法来设立静态工作点。由于自偏压栅极－源极之间电压。从表达式可以看出自偏压产生条件是必要先有ID，但增强型MOS管启动电压不不大于0，只有栅极－源极之间电压达到某个启动电压VT时才有漏极电流ID，因而此类管子不能用自给偏置办法来设立静态工作点。增强型MOS管构成放大电路，只能采用分压式自偏压电路，如图4.6.4所示，R1、R2和R3产生栅极偏置电压，R3大小对放大器静态工作点无影响，因此可以加大R3值以提高放大器输入电阻。RS和Rd分别是源极电阻和漏极电阻。图图4.6.4(a)题图4.6.5(b)4.6.5题图4.6.5（a）是一种场效应管放大电路，（b）是管子转移特性曲线。设电阻，，电容、、足够大。试问：(a)题图4.6.5(b)（1）所用管子属于什么类型？什么沟道？管子、或是多少？（2）、、作用是什么？若规定，则应选多大？解：（1）题图4.6.5(b)图所示电压转移特性，可知题图4.6.5(a)所示电路中，所用管子属于N沟JFET（结型场效应管）。管子，夹断电压。（2）作用是将栅极接至零电位，与源极电阻共同产生自给栅压VGSQ，是尚有稳定静态工作点作用。作用是旁路电容，在直流通路中存在，用来自动产生栅源反向偏压，产生适当静态工作点；在交流通路中被C3旁路而不存在，有助于提高电压放大倍数。当，由伏安特性曲线可知，ID=2mA，因此题图4.6.64.6.6场效应管放大电路如题图4.6.6所示，电路参数，，场效应管，；若规定漏极电位，试求值。题图4.解：又有：，

4.7.1已知题图4.7.1(a)所示电路中场效应管转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。（1）运用图解法求解Q点；题图4.7.1（2）运用等效电路法求解、Ri和Ro。题图4.7.1题图4.9解：（1）在转移特性中作直线vGS＝－iDRS，与转移特性交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，VGSQ＝－2V。如图4.7.1（a）所示。在输出特性中作直流负载线vDS＝VDD－iD（RD＋RS），与VGSQ＝－2V那条输出特性曲线交点为Q点，VDSQ≈3V。如图4.7.1（b）所示（2）一方面画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。，。图图4.7.14.7.2电路如题图4.7.2所示，已知场效应管低频跨导为gm，试写出、Ri和Ro表达式。题图4.7.2题图4.7.2题图7.7.3解：、Ri和Ro表达式分别为。4.7.3设题图4.7.3电路中场效应管参数，试求放大器静态工作点Q、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻，并画出该电路微变等效电路（电路中所有电容容抗可略去，可看作无穷大）。解：（1）求静态工作点Q，依照求解联立方程可得或显然第二组解不合题意应舍去，则： 图图4.7.2（2）电路微变等效电路如图4.7.2所示，则电压放大倍数。（3）放大器输入电阻和输出电阻题图4.7.4，题图4.7.4。4.7.4场效应管放大器如题图4.7.4所示，试画出其微变等效电路，写出、、表达式。设管子极大，各电容对交流信号可视为解：放大电路微变等效电路如图4.7.4所示。图图4.7.4电压放大倍数：，放大器输入电阻和输出电阻：，。4.7.5在题图4.7.5所示电路中，，，题如4.7.5场效应管，，各电容都是足够大，（1）求电路静态值、、，（2）求、和输出电阻、。题如4.7.5解：（1）电路静态值解方程组将电路参数代入：解此方程组，并舍去不合理根，得则2）求、和输出电阻、，，，，。(b)(a)题图4.7.64.7.6(b)(a)题图4.7.6解：（1）图解法求解静态工作点图形如图4.7.6所示。作图过程为：（a）依照在输出特性上作负载线MN（b）作负载转移特性，依照作源极负载线0A，此负载线与负载转移特性曲线交点Q’即静态工作点。在负载转移特性和输出特性上可找到静态工作点数值为。图图4.7.6（2）计算法求解静态工作点由输出特性可知，。依照解方程组有题图4.7.74.7.7题图4.7.7所示电路，是由场效管和晶体三极管构成混合放大电路，己知场效应管，晶体三极管，，所有电容容抗可以不计，试问：题图4.7.7（1）分别计算各极静态工作点；（2）画出电路微变等效电路；（3）计算总电压增益、输入电阻和输出电阻。解：T1为N沟耗尽型MOSFET，T1构成共源放大电路；T2为NPN三极管，构成共射、放大电路。（1）第一放大级静态工作点：第二放大级静态工作点： （2）画出电路微变等效电路如图4.7.7所示；图图4.7.7（3）计算总电压增益、输入电阻和输出电阻。，，，，，，，。习题5客观检测题一、填空题1.功率放大电路最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真状况下，负载上也许获得最大交流功率。（交流功率直流功率平均功率）2.与甲类功率放大器相比较，乙类互补推挽功放重要长处是能量效率高。（无输出变压器能量效率高无交越失真）3.所谓功率放大电路转换效率是指负载得到有用信号功率和电源供应直流功率之比。4.在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管集电极最大功耗约为0.2W。5.在选取功放电路中晶体管时，应当特别注意参数有（1）最大容许功耗；（2）集电极—发射极间反向击穿电压；（3）最大集电极电流。6.若乙类OCL电路中晶体管饱和管压降数值为│VCES│，则最大输出功率。8.电路如题图5.1.1所示，已知T1和T2饱和管压降│VCES│＝2V，直流功耗可忽视不计。R3、R4和T3作用是为T1和T2提供恰当偏压，使之处在微导通状态，消除交越失真。负载上也许获得最大输出功率Pom16W和电路转换效率η＝69.8%。设最大输入电压有效值为1V。为了使电路最大不失真输出电压峰值达到16V，电阻R6至少应取10.3千欧。题图题图5.1.19.甲类功率放大电路能量转换效率最高是50%（峰值功率）。甲类功率放大电路输出功率越大，则功放管管耗越小，则电源提供功率越大。10.乙类互补推挽功率放大电路能量转换效率最高是78.5%。若功放管管压降为Vces乙类互补推挽功率放大电路在输出电压幅值为，管子功耗最小。乙类互补功放电路存在重要问题是输出波形严重失真。在乙类互补推挽功率放大电路中，每只管子最大管耗为0.2。设计一种输出功率为20W功放电路，若用乙类互补对称功率放大，则每只功放管最大容许功耗PCM至小应有4W。双电源乙类互补推挽功率放大电路最大输出功率为。11.为了消除交越失真，应当使功率放大电路工作在甲乙类状态。12.单电源互补推挽功率放大电路中，电路最大输出电压为。13.由于功率放大电路工作信号幅值大，因此经常是运用图解法分析法进行分析和计算。二、问答题1、功率放大电路与电压放大电路有什么区别？答：功率放大电路和电压放大电路相比区别是：功率放大电路在不失真（或失真很小）状况下尽量获得大输出功率，普通是在大信号状态下工作；功率放大电路负载普通是低阻负载。功率放大电路要有足够大输出功率，因而，担任功率放大晶体管必然处在大电压、大电流工作状态，因而要考虑晶体管极限工作问题、能量转换效率问题、非线性失真问题和器件散热问题。2、晶体管按工作状态可以分为哪几类？各有什么特点？答：依照放大电路静态工作点在交流负载线上所处位置不同，可将放大管工作状态分为甲类、乙类、甲乙类和丙类四种。丙类工作方式多用于高频功率放大器。低频功率放大电路仅有甲类、乙类、甲乙类工作方式。甲类工作方式静态工作点取在交流负载线中点，放大管导通角为360°，放大电路工作点始终处在线性区。甲类功放在没有信号输入时也要消耗电源功率，此时电路转换效率为零；当有信号输入时，电源功率也只有某些转化为有用功率输出，另一某些仍损耗在器件自身；甲类工作方式最大转换效率50%（峰值功率）。乙类工作方式静态工作点Q下移至iC=0处，放大管导通角为180°，当不加输入信号（静态）或输入信号在功率管不导通半个周期内，晶体管没有电流通过，此时管子功率损耗为零。乙类功放减少了静态功耗，因此效率与甲类功放相比较高（理论值可达78.5%），但浮现了严重波形失真。甲乙类工作方式。为了减小非线性失真，将静态工作点Q略上移，设立在临界启动状态。使放大管在一种信号周期内，导通角略不不大于180°；电路中只要有信号输入，三极管就开始工作。因静态偏置电流很小，在输出功率、功耗和转换效率等性能上与乙类十分相近，故分析办法与乙类相似。3、你会估算乙类互补推挽功率放大电路最大输出功率和最大效率吗？在已知输入信号、电源电压和负载电阻状况下，如何估算电路输出功率和效率？答：（1）双电源乙类互补推挽功率放大电路：，；（2）单电源乙类互补推挽功率放大电路：，4什么是交越失真？如何克服交越失真？答：在乙类互补对称功放电路中，当输入信号很小时，因达不到三极管启动电压，而使两个三极管均不导通，输出电压为零；当输入信号略不不大于启动电压时，三极管虽然能微导通，但输出波形仍会有一定限度失真。这种输出信号正、负半周交替过零处产生非线性失真，称为交越失真(cross-overdistortion)。为消除交越失真，可使用二极管或三极管偏置电路，使功率放大电路工作在近乙类甲乙类方式下。惯用消除交越失真简化互补功率放大电路有如下两种：运用二极管提供偏置互补对称电路。扩大电路。5在乙类互补推挽功放中，晶体管耗散功率最大时，电路输出电压与否也最大？答：不是。当功放电路时，管耗最大。当功放电路时，电路输出电压最大。6以运放为前置级功率放大电路有什么特点？答：由于运放电压增益，因而只要，则，因此输出电压不会产生交越失真。7惯用功率器件有哪些，各有什么特点？选取功率器件要考虑哪些因素？答：达林顿管、功率VMOSFET和IGBT功率模块。功率MOSFET特点有：（1）MOSFET是电压控制型器件，因而在驱动大电流时无需推动级，电路相对较简朴；（2）输入阻抗很高，达108Ω以上；（3）工作频率范畴宽，开关速度高（由于多数载流子导电，没有开关存储效应，开关时间为几十到几百纳秒），开关自身损耗小；（4）有相对优良线性区，并且输入电容比双极型器件小得多，因此交流输入阻抗很高；IGBT是MOSFET和BJT技术混合物。从构造上讲，IGBT类似具备另一附加层功率MOSFET。因而，IGBT有MOSFET驱动优势，也有功率BJT在高电压使用状况下良好驱动能力。选取功率器件应从功率管极限工作电流、极限工作电压、最大管耗、散热、防止二次击穿、减少使用定额和保护办法等方面来考虑。8什么是热阻？如何估算和选取功率器件所用散热装置？答：散热条件优劣惯用“热阻”表达，热阻定义如下：式中T1是热源温度，T2是环境温度，P是热源消耗功率。通俗地理解，就是热源消耗1W功率，会使它温度上升多少度。因此，热阻小，阐明散热条件好；热阻大，阐明散热条件差。换一句话说，同样消耗1W功率，热阻小三极管温升小，热阻大三极管温升大。因而，热阻大三极管不容许耗散太大功率。为了减小功率管热阻，常需要给三极管加装散热片。例如：三极管3AD30，不加散热片时容许管耗10W；加入一定面积散热片后，容许管耗可达30W。因而功率放大管加装散热片是非常必要。功率器件所用散热片估算。小功率管不用散热器，等效热阻为：大功率管加散热器后，等效热阻为：TJ是管子结温，Ta是环境温度，PCM是管耗。Rjc是管子结到外壳内热阻，Rca是外壳到空气热阻，Rcs是外壳到散热器热阻，Rsa是散热器到空气热阻。普通总有。Rsa与散热器材料（铝、铜等）及散热面积关于。并且散热器垂直放置比水平放置散热效果好。若低频大功率管3AD1在环境温度Ta=25ºC不加散热器时，其最大容许管耗PCM=1W，已知3AD1容许结温TJ=85ºC，管子内热阻Rjc=3.5ºC/W，试问若采用120×120×3mm3铝散热器垂直放置时，容许耗散功率为多少瓦？当室温升至50ºC时容许耗散功率又为多少瓦？这些问题可以作出如下解析。 依照计算散热面积S=120×120=14400mm2=144cm2查手册可知散热器到空气热阻为 Rsa=3.5ºC/W设三极管与散热器间不加绝缘片时热阻Rcs=0.5ºC/W 则三极管总热阻 当环境温度为25ºC时，当环境温度升为50ºC时，主观检测题5.2.1电路如题图5.2.1所示。已知电源电压Vcc=15V，RL＝8Ω，VCES≈0，输入信号是正弦波。试问：(1)负载也许得到最大输出功率和能量转换效率最大值分别是多少？(2)当输入信号vi＝10sinωtV时，求此时负载得到功率和能量转换效率。题图题图5.2.1解：（1）(2)当输入信号vi＝10sinωtV时两管管耗5.2.2功率放大电路如题图5.2.2所示，假设运放为抱负器件，电源电压为±12V。题图题图5.2.2(1)试分析R2引入反馈类型；(2)试求AVf＝Vo/Vi值；(3)试求Vi=sinwtV时输出功率Po，电源供应功率PE及能量转换效率η值。解：（1）电压并联负反馈(2)(3)两管管耗5.3.1功率放大电路如题图5.3.1所示。已知Vcc＝12V，RL＝8Ω，静态时输出电压为零，在忽视VCES状况下，试问：题图题图5.3.1(1)电路最大输出功率是多少？(2)T1和T2最大管耗PT1m和PT2m是多少？(3)电路最大效率是多少？(4)T1和T2耐压|V(BR)CEO|至少应为多少？(5)二极管D1和D2作用是什么？解：(1)(2)(3)(4)(5)静态时给，提供恰当偏压，使之处在微导通状态，克服交越失真。5.3.2双电源互补推挽功率放大电路如题图5.3.2所示。(1)试分别标出三极管T1～T4管脚（b、c、e）及其类型(NPN、PNP)；(2)试阐明三极管T5作用。(3）试问，调节可变电阻R2将会变化什么？(4)VCC=12V，RL＝8Ω，假设晶体管饱和压降可以忽视，试求Pom之值。图5.3.图5.3.题图5.3.解：（1）依照电路图中T1～T4管连接构造，T1和T2管采用NPN型晶体管，T3和T4管采用PNP型晶体管构成复合管，管脚标注如图5.3.2所示。（2）图中晶体管T5、电阻R3和R2构成VBE扩大电路，为功率管提供偏置电压，克服交越失真。（3）调节可变电阻会变化T5管C、E极间电压，从而调节功率管，T偏压值。偏置电压。（4）题图题图5.3.5.3.3某集成电路输出级如题图5.3.3所示。(1)为了克服交越失真，采用了由R1、R2和T4构成VBE扩大电路，试分析其工作原理。(2)为了对输出级进行过载保护，图中接有试阐明三极管T5、T6和R3、R4，试阐明进行过流保护原理。解：（1）由R1、R2和T4构成VBE扩大电路，在静态时，为T2和T3提供小电流偏置，能较好地克服交越失真，变化R1或R2可以灵活调节偏置电压，比用两个二极管构成偏置电路使用以便。由图可见，T2和T3基极间电压为VCE4。此时，VBE4随温度变化，使电路具备温度补偿作用。(2)为了对输出级进行过载保护，电路通过T5、T6和R3、R4实现过流保护。当正向输出电流Ie2超过额定期，R3上压降促使T5正向偏置，使T5由截止转为导通，旁路了驱动级向T2提供基流，使输出电流Ie2限制为从而达到过流保护目。负向输出电流Ie3超过额定期，T6和R4同样起限流作用。5.4.1功率放大电路如题图5.4.1所示。假设晶体管T4和T5饱和压降可以忽视，试问：(1)该电路与否存在反馈？若存在反馈，请判断反馈类型；(2)假设电路满足深度负反馈条件，当输入电压有效值Vi＝0.5V时，输出电压有效值Vo等于多少？此时电路Po，PE及η各等于多少？(3)电路最大输出功率Pom、最大效率ηm各等于多少？题图题图5.解：（1）本电路是带甲乙类互补推挽功放多级放大电路，中间级(T3管）是共射极放大电路，输入级是单端输出差分放大电路。输入信号接在T1管基极，而反馈信号接在T2管基极。反馈网络由R2和R3构成，反馈信号是R2两端电压。运用瞬时极性法鉴别本电路是负反馈电路，并且是电压串联负反馈。（2），，，(3)当输出电压幅值达到电源电压时，输出功率和效率达到最大。，5.4.2题图5.4.2所示为三种功率放大电路。已知图中所有晶体管电流放大系数、饱和管压降数值等参数完全相似，导通时b-e间电压可忽视不计；电源电压VCC和负载电阻RL均相等。试分析（1）下列各电路是何种功率放大电路。（2）静态时，晶体管发射极电位VE为零电路为有哪些？为什么？（3）试分析在输入正弦波信号正半周，图（a）、（b）和（c）中导通晶体管分别是哪个？（4）负载电阻RL获得最大输出功率电路为什么种电路？（5）何种电路效率最低。题图题图5.解：（1）题图5.4.2所示各个电路中，图（a）所示电路是乙类单电源互补对称电路OTL图（b）所示电路是乙类双电源互补对称电路OCL图（c）所示电路是桥式推挽功率放大电路BTL。（2）由于题图5.4.2所示电路图中，图（a）和（c）所示电路是单电源供电，为使电路最大不失真输出电压最大，静态应设立晶体管发射极电位为VCC/2。因而，只有图（b）所示是OCL电路，在静态时晶体管发射极电位为零。因而晶体管发射极电位VE为零电路为OCL。（3）依照电路工作原理，图（a）和（b）所示电路中两只管子在输入为正弦波信号时应交替导通，图（c）所示电路中四只管子在输入为正弦波信号时应两对管子（T1和T4、T2和T3）交替导通。因而在输入为正弦波信号时，图（a）中导通晶体管为T1；在输入为正弦波信号时，图（b）中导通晶体