东南大学信息学院模电答案作业题-第四章课件

作业第四章1最新版整理ppt4-12最新版整理ppt4-6：略（方法：先画直流通路，再根据饱和模式下IDQ和VGSQ之间的关系解方程，得到IDQ）4-7直流通路：隔直流电容和旁路电容开路，电感短路。交流通路：隔直流电容和旁路电容短路，扼流圈等大电感开路，独立的直流电压源短路，独立的直流电流源开路。直流通路交流通路3最新版整理ppt4-8共源放大电路如图P4-8所示。已知场效应管的gm=1mS，rds=200k

。试：(1)画出小信号等效电路；(2)求Av，Ri，Ro。电路图小信号等效电路解：(1)见右下图(2)忽略rds，则4最新版整理ppt4-11共发放大器如图P4-11所示，试画出直流、交流通路、小信号等效电路。图中各电容对信号频率呈短路。已知晶体三极管β=200，VBE(on)=0.7V，|VA|=150V，试求输入电阻Ri，输出电阻Ro，电流增益Ai，电压增益Av，源电压增益Avs，最大电压增益极限值Avtmax。解：5最新版整理ppt4-14在共基放大电路的基极上接入电阻RB，其交流通路如图P4-14所示。试画出小信号等效电路，若rce忽略不计，试写出输入电阻Ri、输出电阻Ro、电流增益Ai和源电压增益Avs表达式。解：6最新版整理ppt4-19图P4-19所示为有源负载共发放大器原理电路，试导出输出电阻Ro的表达式。图中CE对交流呈短路。解：电路图交流通路7最新版整理ppt4-20图P4-20所示为单级MOS放大电路，已知各管参数：gm1=600

S，gm2=200S，rds1=

rds2=1M，，(W/l)1=200/20。（1）指出各电路名称，画出小信号等效电路；（2）计算Av=vo/vi，和(W/l)2值。

解：(b)电路图交流通路小信号等效电路8最新版整理ppt解：(d)4-20电路图交流通路小信号等效电路9最新版整理ppt4-28图P4-28所示为共集-共发放大器，已知晶体管β1=β2=150，VBE(on)=0.7V,

rce忽略不计，ICQ1=1mA，ICQ2

=1.5mA，，试求Ri、Av、Avs。

解：

10最新版整理ppt4-30解：

图P4-30所示为共发-共基组合放大器，试画出直流通路和交流通路，已知晶体三极管β1=β2=100，VBE(on)1=VBE(on)2=0.7V，VB2=5V，各电容对交流呈短路，试求VCEQ1，VCEQ2，Av，Avs。电路图交流通路11最新版整理ppt4-33解：

在图P4-33所示的差分放大器中，已知场效应管的μnCoxW/2l=1mA/V2，VGS(th)=-1V，若电容CD对交流呈短路，vi=10mV，试求ISS,Avd2，Avc2，KCMR，vo值。12最新版整理ppt4-36解：

图P4-36所示为E/DMOS差分放大电路，试导出双端输出的差模电压增益Av=vo/vi表达式。设各管衬底与地相连，沟道长度调制效应忽略不计。差模交流通路(半电路)小信号等效电路(半电路)13最新版整理ppt4-38解：

在图P4-38所示电路中，已知

＝100，，RL＝10k

，

rce可忽略。试画出差模、共模交流通路，并求：(1)差模输入电阻Rid，差模输出电阻Rod，差模电压增益Avd；(2)共模输入电阻Ric，共模输出电阻Roc，共模电压增益Avc；(3)共模抑制比KCMR。差模交流通路(半电路)共模交流通路(半电路)14最新版整理ppt(1)：差模性能(双端输出)(2)：共模性能(单端输出)(3)：共模抑制比15最新版整理ppt4-47解：

比例式电流源电路如图P4-47所示，已知各晶体管特性一致，VBE(on)=0.7V，

＝100，|VA|=120V，试求IC1、IC3和T3侧的输出交流电阻Ro3。16最新版整理ppt4-55解：(1)

图P4-55所示电路中，各双极性晶体管的参数均为β=100，|VA|=100,|VBE(on)|=0.7V,rbb'=0,场效应管参数也都相同，VGS(th)=2V,试求：

(1)T1、T2管的静态工作点电流；(2)放大器的差模输入电阻Rid、输出电阻Rod，差模电压增益

Avd(图中Cc为隔直流电容)。(2)17最新版整理ppt4-72解：

在图P4-70所示电路中，已知管子参数为，场效应管：VGS(th)=1V,,晶体管的,

=100，VBE(on)=0.6V，试求差模电压增益Av

=vo/vi。18最新版整理ppt已知一无零三极系统的中频电压增益AvI=105，三个极点角频率

p均为106rad/s。(1)试写出