芯片装架工（四级）考试复习题库（含理论、实操）

PAGEPAGE1芯片装架工（四级）考试复习题库（含理论、实操）一、单选题1.有锡球的产品封装形式是（）。A、BGAB、QFNC、QFPD、LGA答案：A2.晶圆划片前进行晶圆贴膜，贴膜时需在晶圆外围加一个（），它起到支撑的作用。A、晶圆基底圆片B、晶圆贴片环C、引线框架D、硅衬底答案：B3.在引线框架的长边弯曲程度称为（）。A、侧弯程度B、卷弯程度C、扭曲度D、弓型程度答案：B4.下图进行的是（）操作。

A、引线键合B、芯片粘接C、外观检查D、晶圆清洗答案：C5.一般情况下，绝缘胶高温固化的温度为（）。A、145±10℃B、175±10℃C、225±10℃D、280±10℃答案：A6.下列选项中，晶圆减薄精磨阶段更适合选择（）的金刚石砂轮。A、20#B、80#C、1000#D、2500#答案：D7.封装工艺中，晶圆在划片机上被分割成单个的（）。A、硅片B、框架C、硅衬底D、晶粒答案：D8.自旋式磨削使用的金刚石砂轮直径一般选择（）。A、50mm~150mmB、150mm~200mmC、200mm~350mmD、250mm~400mm答案：C9.银浆在使用前需要进行回温，回温时应采用（）放置。A、卧式B、立式C、任意D、倒扣答案：B10.图示符号代表（）。

A、固定电阻B、电位器C、可变电阻D、热敏电阻答案：C11.引线框架基本尺寸量测时，其步距（UnitPitch）应测量（）的长度。A、两个相邻Lead中心点之间B、从一个Unit的定位孔中心到相邻Unit定位孔中心C、第一個Unit的完整定位孔中心到最后一个Unit的完整定位孔中心D、芯片座相对于中心点偏移答案：B12.下图是（）封装形式的引线框架。

A、SOP16B、DIP20C、TSOP44D、TO-220答案：A13.一般情况下，导电胶的醒料时间为（）。A、0.5~1小时B、3~4小时C、6~8小时D、10~12小时答案：A14.（）是引线框架的主要材质。A、金B、铝C、铜D、银答案：C15.关于芯片粘接对应关系，说法错误的是（）。A、共晶粘贴法-应力大、芯片易开裂、自动化程度低B、焊接粘贴法-成本低、导热好，但略逊与共晶粘贴C、导电胶粘贴法-常用于塑料封装D、玻璃胶粘贴法-去除有机成分和溶剂需完全，否则易对封装结构及其可靠性有损害答案：B16.一般情况下，装片后框架的固化温度为（）。A、140℃B、175℃C、200℃D、300℃答案：B17.ICPacking是指（）。A、晶圆测试B、集成电路封装C、流片D、成品芯片测试答案：B18.银浆回温次数应该不大于（）次/管。A、15B、20C、5D、1答案：C19.每片晶圆上分布有成千上万颗芯片连在一起，它们之间都留有足够的间隙，此间隙称为（）。A、DieB、ChipC、ScribeLineD、BondingPAD答案：C20.窄间距小外形封装的英文简称为（）。A、SIPB、DIPC、SSOPD、QFP答案：C21.电流的单位是（）。A、VB、ΩC、AD、S答案：C22.如图红框处的结构是（）。

A、边导轨B、定位孔C、塑封线D、锁定孔答案：B23.图示符号代表（）。

A、电位器B、固定电阻C、可变电阻D、热敏电阻答案：A24.自旋式磨削一般使用（）金刚石砂轮。A、柱形B、圆型C、锥形D、杯型答案：D25.导电胶又称导电银胶，在芯片粘接工序中常称为银浆，其基体材料大多数是环氧树脂，填充料一般是（）。A、金颗粒或金薄片B、银颗粒或银薄片C、钛颗粒或钛薄片D、锡颗粒或锡薄片答案：B26.封装流程中，晶圆减薄是对（）进行的操作。A、晶圆背面B、晶圆正面C、晶圆边缘D、晶圆上的晶粒答案：A27.以下减薄方式中，属于纯机械方式的是（）。A、电化学腐蚀B、化学机械抛光C、等离子增强化学腐蚀D、磨削答案：D28.图示符号表示（）。

A、N沟道耗尽型MOS管B、N沟道增强型MOS管C、P沟道耗尽型MOS管D、P沟道增强型MOS管答案：A29.图中的工具是（）。

A、晶圆盒B、高温花篮C、顶针盒D、引线框架盒答案：D30.“8S管理”制度中，整理的定义是（）。A、必要的物品按需要量、分门别类、依规定的位置放置，并摆放整齐，加以标识。B、清除工作场所的脏污，并防止脏污再发生，保持工作场所干净亮丽。C、按照标准区分开必要和不必要的物品，并对其进行处理。D、消除隐患，预防事故。答案：C31.装片机上芯区用于顶起蓝膜上的芯片的部件是（）。A、吸嘴B、顶针C、劈刀D、点胶头答案：B32.通过（）可以确定芯片的装架方向。A、电路图B、键合图C、原理图D、接线图答案：B33.装片机维护保养时，一般沾取（）对机台结构进行清洗。A、消毒后的自来水B、盐酸溶液C、氢氧化钠溶液D、无水乙醇答案：D34.减薄后进行晶圆厚度测量时，需要扣除（）的厚度。A、有效电路层B、蓝膜C、损伤层D、氧化层答案：B35.下列说法不属于陶瓷封装优点的是（）。A、生产成本低B、优良的可靠度C、热、电、机械特性等稳定D、散热性好答案：A36.若领取空引线框架中有变形弯曲的，可以如何处理？（）A、进行补片B、将芯片扶正C、用镊子对变形部位整形，不能整形的则剔除D、重新固化答案：C37.一般情况下，导电胶高温固化的温度为（）。A、145±10℃B、175±10℃C、225±10℃D、280±10℃答案：B38.封装减薄前，8英寸晶圆的厚度一般为（）左右。A、50μmB、300μmC、725μmD、1500μm答案：C39.如下ESD描述，错误的是（）。A、接触产品必须戴手指套或防静电手套B、手指套被污染，若没有破损，可以不用更换C、必须严格按照无尘室内穿着规范，需戴口罩，且口罩要完全遮住口和鼻D、坐着作业时必须佩戴静电手环答案：B40.绝缘胶一般存放在（）条件下。A、-40~-20℃B、-5~0℃C、0~5℃D、15~25℃答案：A41.如图所示的引线框架，一条框架有（）只产品。

A、10B、20C、30D、40答案：B42.导电胶一般存放在（）条件下。A、-40~-20℃B、-5~0℃C、0~5℃D、15~25℃答案：C43.划片机对刀时，基准线宽度设置主要与（）有关。A、Die的宽度B、Wafer的尺寸C、ScribeLine的宽度D、PAD的大小答案：C44.图中展示的设备是（）。

A、等离子清洗机B、装片机C、氮气柜D、烘箱答案：D45.芯片粘接时，引线框架焊盘的尺寸要与芯片大小相匹配，若焊盘尺寸（），则会导致在转移成型过程中会由于流动产生的应力而造成引线弯曲及芯片位移等现象。A、与芯片大小相同B、合适C、太大D、太小答案：C46.若防静电点检未通过则需要（）。A、重新启动检测的仪器，再次检测B、请其他员工检测，门开启后一同进入C、找管理部门手动开门D、检查着装并消除静电，重新检测答案：D47.在晶圆划片之前要在晶圆（）进行贴膜。A、正面B、背面C、边缘D、中间答案：B48.12英寸晶圆的直径大小是（）。A、125mmB、150mmC、200mmD、300mm答案：D49.图中展示的设备是（）。

A、晶圆划片机B、晶圆减薄机C、晶圆贴膜机D、晶圆清洗机答案：C50.（）和（）都是利用合金反应进行芯片粘贴的方法。A、焊接粘贴法；玻璃胶粘贴法B、共晶粘贴法；玻璃胶粘贴法C、共晶粘贴法；焊接粘贴法D、导电胶粘贴法；玻璃胶粘贴法答案：C51.下列选项中，晶圆划片流程排序正确的是（）。

①晶圆清洗

②晶圆贴膜

③划片生产

④划片设备准备A、①②④③B、②④③①C、①②③④D、②③④①答案：B52.拆装顶针时，最好用（）来夹持，否则容易造成顶针伤及人身或顶针断裂。A、镊子B、手C、真空吸笔D、钳子答案：A53.如图为点胶头外观，其中④号点胶头的内径为（）。

A、0.06mmB、0.16mmC、0.34mmD、0.61mm答案：D54.划片机手动装片时，将晶圆放置到（）并开启真空，即可固定晶圆。A、划片刀架B、贴膜盘C、花篮D、载片台答案：D55.芯片装架作业完成后，为检测其强度，需进行（）。A、推力测试B、拉力测试C、老化测试D、功能测试答案：A56.通常，芯片粘接到框架上后，胶点铺开后的直径应为芯片长边的（）倍，这样就可以保证有充足的胶水来粘结芯片，同时又可以避免过多银浆的浪费。A、0.6B、1.1C、2.0D、2.5答案：B57.下列哪一项不属于晶圆划片前贴膜的目的（）。A、保护晶圆正面的电路B、使操作过程中晶圆不脱落、飞散C、保证能够准确切割晶圆正面D、固定晶圆位置答案：A58.下列芯片封装形式与贴装形式的对应关系正确的是（）。A、QFP-直插式封装B、QFN-直插式封装C、SOP-贴片式封装D、DIP-贴片式封装答案：C59.当温度升高时，半导体的导电能力（）。A、增强B、减弱C、不变D、不确定答案：A60.进入车间前，如图所示是在进行（）操作。

A、静电检测B、启动检测仪器C、指纹验证D、录制语音信息答案：A61.图示符号表示（）。A、N沟道耗尽型MOS管B、N沟道增强型MOS管C、P沟道耗尽型MOS管D、P沟道增强型MOS管答案：D62.一般情况下，绝缘胶的醒料时间为（）。A、0.5~1小时B、3~4小时C、6~8小时D、10~12小时答案：B63.LeadFrame是指（）。A、晶舟盒B、划片刀C、晶圆贴片环D、引线框架答案：D64.下面4张图中，图4的芯片的封装形式是（）。

A、TOB、SOPC、QFND、QFP答案：D65.如图为点胶头外观，其中②号点胶头的规格为（）。

A、18GB、20GC、22GD、24G答案：C66.利用（）来实现IC芯片与封装基板之间的粘贴，在陶瓷封装中有广泛的应用。A、共晶粘贴法B、焊接粘贴法C、导电胶粘贴法D、玻璃胶粘贴法答案：A67.电流的符号是（）。A、AB、IC、VD、R答案：B68.砂轮的“目”是根据磨料的（）来划分的。A、材料B、硬度C、颗粒度D、结合牢固性答案：C69.如图为划片后的晶圆外观，该现象为（）。

A、正常B、崩边C、划伤D、碎角答案：B70.对于晶圆减薄，需在晶圆（）贴膜。A、正面B、背面C、边缘D、中间答案：A71.如图为引线框架局部示意图，其打凹深度是指（）。

A、A与C两点间的距离B、A与C两点间的高度C、B与C两点间的距离D、B与C两点间的高度答案：D72.下列选项中的工序均属于封装前段工艺的是（）。A、晶圆划片、引线键合、塑封、激光打字B、晶圆贴膜、芯片粘接、激光打标、去飞边C、晶圆贴膜、晶圆划片、芯片粘接、引线键合D、晶圆划片、芯片粘接、塑封、去飞边答案：C73.如图TO分立器件为（）。

A、TO3B、TO92C、TO220D、TO237答案：C74.给PN结加正向偏置电压会使PN结（）。A、变窄B、变宽C、不变D、不确定答案：A75.下列选项中，晶圆减薄粗磨阶段更适合选择（）的金刚石砂轮。A、20#B、80#C、1000#D、2500#答案：B76.封装按材料分一般可分为塑料封装、（）和陶瓷封装等。A、金属封装B、橡胶封装C、实木封装D、DIP封装答案：A77.保护膜是晶圆贴膜工序重要的原材料，针对UV膜类型的保护膜，撕膜时，可以照射适量（），能有效降低它的黏着力。A、红外线B、太阳光C、激光D、紫外线答案：D78.如图所示的芯片，其管脚外型是（）。

A、翅型B、直线型C、J型D、L型答案：C79.下列选项中，表示装片工序的是（）。A、WireBondingB、DicingC、DieAttachingD、Plating答案：C80.如图TO分立器件为（）。

A、TO3B、TO92C、TO220D、TO237答案：B81.如下所示4幅图中，（）是引线框架盒。

A、图1B、图2C、图3D、图4答案：D82.引线框架各部位中，外引线（ExternalLead）的功能是（）。A、作业时，起框架传递的作用B、起到引导的作用（确保电镀及打凹切断的位置准确性）C、直接和电路板连接D、便于封装时剪切答案：C83.（）这种粘接方式常用于塑料封装。A、环氧树脂粘接法B、绝缘胶粘接法C、焊接粘接法D、共晶粘接法答案：A84.等离子风扇的功能是（）。A、消除周围静电B、消除灰尘C、给作业人员降温D、提供压力答案：A85.如图设备为（）。

A、清洗机B、贴膜机C、UV解胶机D、光刻机答案：C86.下列不属于银浆作用的是（）。A、美化B、固定C、散热D、导电答案：A87.机械划片过程中使用划片刀进行，（）与晶圆切割道相互作用实现材料去除A、磨削环B、刀刃磨粒C、垫片D、激光束答案：B88.如图为（）的符号。

A、注意夹手B、有电危险C、自燃物品D、ESD答案：D89.芯片粘接工艺中，安装银浆时没有锁紧针筒固定座螺丝会造成（）。A、胶点偏移B、胶点开裂C、胶点不固化D、胶点大小不均匀答案：D90.银浆配置时，松香是作为（）。A、焊料B、降低熔点的物质C、还原剂D、溶剂答案：C91.下列表述中，更换贴膜机蓝膜的流程正确的是（）。A、检查蓝膜余量-取下滚轴-取下蓝膜-更换新蓝膜-装滚轴-绕蓝膜-准备贴膜B、检查蓝膜余量-取下蓝膜-取下滚轴-更换新蓝膜-绕蓝膜-装滚轴-准备贴膜C、取下滚轴-取下蓝膜-更换新蓝膜-绕蓝膜-装滚轴-检查蓝膜余量-准备贴膜D、取下滚轴-取下蓝膜-检查蓝膜余量-更换新蓝膜-装滚轴-绕蓝膜-准备贴膜答案：A92.陶瓷无引线式载体（LCCC）、陶瓷针栅阵列封装（CPGA）、有引线陶瓷片式载体（LDCC）、陶瓷四边引线扁平封装（CQFP、CQFJ）等一般用于（）封装。A、集成电路B、分立器件C、光点器件D、晶体管答案：A93.关于芯片粘接常见不良现象，下列哪一张图片显示的是芯片装歪的问题。（）

A、图1B、图2C、图3D、图4答案：B94.银浆需要安装在图中的哪个区域。

A、①B、②C、③D、④答案：B95.装片机运行时，操作员领取点胶头必须遵守（）的原则，方便点胶头的管理。A、每周一次B、每月一次C、以一换一D、多设备共用一个答案：C96.下面4张图中，图1的芯片的封装形式是（）。

A、QFNB、QFPC、SOPD、TO答案：D97.下面四张图中，（）不是花篮。

A、图1B、图2C、图3D、图4答案：C98.尺寸参数换算：100mil=（）mm。A、2.54B、3.81C、4.82D、5.00答案：A99.（）主要用来实现信号的传递和处理，如扩音机和电视机电路等。A、电力电路B、信号电路C、直流电路D、交流电路答案：B100.引线框架规格“DIP20(150x190)”，其“20”表示（）。A、TypeB、LeadC、PadSizeD、Length答案：B101.根据随件单，本次装片作业需要领取的晶圆物料是（）。

A、74HC138-LT001B、74HC138-LT004C、FD152Y47-LT001D、FD152Y47-LT004答案：C102.切割时一般将X方向称为CH1，Y方向称为CH2，按照晶圆为单位进行步进设置时，步进的计算方式为（），单位：mm。A、CH1步进=（CH1面芯片尺寸+切割道宽度）*（CH1面切割道数量-1）B、CH2步进=（CH1面芯片尺寸+切割道宽度）*（CH1面切割道数量-1）C、X步进=单颗芯片尺寸（X）+切割道宽度D、X步进=单颗芯片尺寸（Y）+切割道宽度答案：A103.如图为某划片机界面，从参数信息可知，本次作业晶圆厚度为（）。

A、250μmB、250mmC、200μmD、200mm答案：A104.如图为某划片机界面，从参数信息可知，本次作业晶圆为（）英寸。

A、4B、6C、8D、12答案：C105.装片机的芯片编程过程中，点击右侧栏中的（）键，芯片自动校正位置。A、EpoxyB、SrchDieC、BondHeadD、Exit答案：B106.如图为某划片机界面，可通过（）处的按键来放大图像。

A、①B、②C、③D、④答案：C107.请从下列设备中选出装片机。（）

A、①B、②C、③D、④E、⑤F、⑥答案：E108.装片机调取引线框架与料盒程序时，选择文件后需要点击（）按键，程序就会自动加载。A、CopyPackageB、LoadPackageC、SavePackageD、DeletePackage答案：B109.某批次作业的晶圆切割道宽度为60μm，更适合选择如下刀片厚度为（）的划片刀。A、20μmB、50μmC、60μmD、100μm答案：A110.装片后进行外观检查时，图中箭头所指的不良现象是（）。

A、支架生锈、沾污B、缺（崩）角C、碎片D、银胶胶量不足答案：B111.进行芯片粘接工序的检验操作时，下列选项中不属于材料不符的是（）。A、芯片方向与键合图不一致B、芯片型号与随件单不一致C、引线框架与产品不一致D、焊料与随件单不一致答案：A112.如图为某划片机显示界面，放置晶圆后应点击（）键开启真空。

A、①B、②C、③D、④答案：B113.装片机的焊接设置界面可以通过点击（）按钮进入。A、BondingProcessB、WorkHolderPRC、IndexingProcessD、WaferPR答案：A114.划片机的载台进给速度是指（）。A、晶圆旋转的速度，也就是载台的转速B、划片刀的刀刃厚度C、晶圆切割时，水平方向上移动的速度D、主轴旋转的速度答案：C115.粗磨去除量是指（）。A、原始厚度-粗磨目标厚度B、粗磨目标厚度-精磨目标厚度C、原始厚度-精磨目标厚度D、精磨目标厚度-粗磨目标厚度答案：A116.如图为某封装工艺单的局部信息，该批产品使用的点胶头是（）。

A、①B、②C、③D、④E、⑤答案：B117.下列不属于装片机日常维护项的是（）。A、检查设备的各个运动部分的平滑程度，确认是否有异常B、检查各路气管是否有松脱或破损，及时加固或更换C、检查控制面板上的各操作按钮，如果出现故障要及时更换D、检查刀架的紧固情况，若有松动需及时紧固处理答案：D118.请从下列设备中选出贴膜机。（）

A、①B、②C、③D、④E、⑤F、⑥答案：D119.减薄时出现如图现象，该异常为（），该晶圆（）处理。

A、划伤，继续生产B、划伤，剔除C、裂片，继续生产D、裂片，剔除答案：D120.划片作业完成后，晶圆放入（），即待装片的物料储存位。

A、图1B、图2C、图3D、图4答案：B121.如图为（）界面。

A、减薄机生产界面B、划片对刀界面C、划片机生产界面D、减薄机故障报警界面答案：C122.划片时出现图示现象，下列选项的原因中可能会导致该现象的是（）。

A、对刀错误B、划片刀磨损C、载片台上有灰尘D、未贴膜答案：B123.请从下列选项中，选择正确的装片机调取引线框架与料盒程序时的按键顺序。（）A、DataSetup→Setup→PackageFileB、PackageFile→DataSetup→SetupC、DataSetup→PackageFile→SetupD、Setup→DataSetup→PackageFile答案：D124.划片刀一般采用目数为（）。A、46#~200#B、300#~600#C、800~1500#D、2000#~4000#答案：D125.芯片贴装时，切换至（）界面可以控制设备的运行和暂停。A、WaferPRB、SetupC、BondD、BondingProcess答案：C126.如图为（）封装形式装架后的图像。

A、TOB、SOPC、DIPD、QFN答案：A127.装片后进行外观检查时，如图视角中的不良现象是（）。

A、支架生锈、沾污B、缺（崩）角C、碎片D、银胶胶量不足答案：A128.芯片粘接的装料过程中，哪一步是需要参照键合图的。（）A、装引线框架B、装引线框架盒C、安装银浆D、装晶圆花篮答案：A129.装片后进行外观检查时，如图不良现象为（）。

A、芯片倾斜B、框架变形C、焊料氧化D、框架镀银区域氧化答案：D130.装片后进行外观检查时，图中箭头所指的不良现象是（）。

A、支架生锈、沾污B、缺（崩）角C、碎片D、银胶胶量不足答案：D131.如图，进入的是（）车间。

A、晶圆测试B、封装前段C、封装后段D、成品测试答案：B132.减薄机的砂轮轴向进给速度是指（）。A、砂轮旋转的速度，一般以每分钟所转圈数表示B、砂轮按旋转轴的方向，向下移动的速度C、晶圆旋转的速度，也就是载台的转速D、晶圆每转一圈去除的硅厚度答案：B133.装片机安装完银浆后，点击（）可以确认完成，退回银浆模组。A、BondB、SetupC、ConfirmD、Autobond答案：C134.下图为某减薄机的操作盘（局部）示意图，若需要暂停运行中的减薄机应按（）按键。

A、①B、②C、③D、④答案：A135.下列情况比较可能会导致晶圆减薄过程中碎片的是（）。A、磨头尺寸不对B、磨头目数大C、晶圆正面没有贴膜D、作业参数设置不良答案：D多选题1.在使用导电胶工艺过程中，由于芯片放置不当会导致（）。A、空洞造成高应力B、环氧黏着在引脚上造成搭桥现象，引起内连接问题C、在引线键合时造成框架翘曲D、引线键合的生产率降低，成品率下降答案：ABCD2.下列说法中正确的有（）。A、作业人员作业前必须进行安全教育，防止其不清楚现场危险状况B、要经常保持设备内部的清洁，不得一直敞开C、洁净车间内可以携带餐巾纸和食物D、戴发罩时，若女生头发较长，允许露出一部分头发在外部答案：AB3.常见的半导体材料有（）A、硅B、碳C、锗D、镓答案：AC4.晶圆减薄后，晶圆可能出现的质量问题有（）。A、厚度不均匀B、厚度未达到要求C、划痕D、裂片答案：ABCD5.对于芯片外观，装架后要求（）。A、芯片电极清晰B、表面无损伤C、背部需有蓝膜残留D、无斜片、倒片等现象答案：ABD6.合格的晶圆贴膜应满足以下要求（）。A、平整B、无污点C、无气泡D、无毛边答案：ABCD7.从显微镜下观察，装架合格的芯片（）。A、电极清晰完整B、芯片表面无损伤C、芯片表面无粘胶D、芯片背面无蓝膜残余答案：ABCD8.下列关于导电胶在使用过程中可能会产生的问题描述正确的是（）。A、高温存储时的短期降解B、界面处形成空洞会引起芯片的开裂C、空洞处的电阻会造成局部温度升高D、吸潮性导致模块开裂答案：BD9.芯片粘接领取框架、吸嘴等物料后，需要确认的内容有（）。A、晶圆是否裂片B、引线框架的表面质量C、点胶头规格、质量D、芯片吸嘴尺寸答案：BCD10.芯片粘接的晶圆在领料时应与随件单进行以下几方面的确认：（）。A、产品名称B、数量C、键合线材料D、批号答案：ABD11.下列属于点胶头的针头形状的是（）。A、矩形：X型B、矩形：双Y型C、菱形D、圆形答案：ABD12.集成电路芯片封装实现的主要功能有（）。A、电能传输B、信号传输C、散热D、结构保护与支撑答案：ABCD13.封装工艺中，在塑封体上进行激光打字时，打标内容可以有（）。A、产品名称B、产品使用说明C、生产批次D、商标答案：ACD14.在进行芯片的推力测试时，以下那种情况可以认定为质量不合格？（）A、芯片断裂，此时的推力值大于最小值B、芯片被推起，此时的推力值小于最小值C、芯片和银胶被推起，此时的推力值大于芯片被推起的最小值D、芯片和银胶被推起，此时的推力值小于芯片被推起的最小值答案：BCD15.划片的方法常有下列几种（）。A、金刚刀B、砂轮C、激光D、横向拉力答案：ABC16.如下选项中，属于银浆配置时所需的材料有（）。A、氧化铋B、氧化银C、松香D、松节油答案：ABCD17.本征半导体的导电性很差，只有在硅片中加入少量杂质，使其结构和电导率发生改变，才能成为一个有用的半导体，这个过程叫做掺杂。掺杂通常有哪些掺杂方式？（）A、离子注入B、热氧化C、扩散D、淀积答案：AC18.四边扁平封装引脚中心距有（）等规格。A、0.4B、0.65C、1.0D、2.0答案：ABC19.自动装片机进行日常的维护保养时，以下选项中哪些部件需要清洗？（）A、胶盘B、吸嘴C、顶针D、点胶头答案：ABCD20.芯片粘接作业时，以下哪些情况需要进行首检？（）A、更换品种或人员B、开班前C、停机超过规定时间D、作业时的补料后答案：ABC21.下列属于表面贴装型芯片的有（）。A、PGAB、SOPC、QFPD、DIP答案：BC22.下列属于封装后道工序的有（）。A、引线键合B、电镀C、芯片粘接D、激光打标答案：BD23.晶圆背面减薄工艺对表面光洁度没有像正面抛光要求那么严格，它的技术难点是精确地控制晶圆的（）。A、厚度B、均匀度C、洁净度D、平行度答案：ABD24.以下属于装架时的异常情况的有（）。A、首检不合格B、来料框架变形、发黄C、芯片推力不合格D、键合线拉力不合格答案：ABC25.银浆固化性能包括（）。A、点胶位置应在芯片座中央B、获得固化所需的温度和时间C、固化后需要一定粘结强度和仅可能小的收缩率，以减少应力产生D、固化时不应有气体放出，避免产生针孔答案：BCD26.芯片粘接工序中涉及的工具或材料有（）。A、点胶头B、空引线框架C、银浆D、引线框架盒答案：ABCD27.共晶粘贴法中的预型片为纯金材料时，优点包括（）。A、不发生氧化反应B、减少了磨除氧化层的步骤C、较低温度就能形成共晶粘贴D、成本低答案：AB28.下列选项中，（）属于“8S管理”的内容。A、整顿B、清洁C、素养D、安全答案：ABCD29.下列说法正确的有（）。A、操作人员无法处理的设备问题，需要请调机人员或设备维护人员处理B、电源插座、电热源周边不可堆放易燃易爆品C、银胶沾到皮肤无需清洗D、框架送入高温烘箱时，需佩戴好防护手套，避免烫伤答案：ABD30.崩边晶圆划片时比较常见的异常现象，包括（）等A、正崩B、背崩C、掉角D、裂痕答案：ABCD31.烘箱清洁时，需要清洗烘箱的（）等部位。A、内壁B、支撑架C、进/出气孔D、高温手套答案：ABC32.下列关于划片的表述，正确的有（）。A、划片机运行过程中，切割路径和切割通道可以不重合B、激光切割后，必须配合机械切割做进一步处理C、机械划片常用的圆形砂轮刀，是一种很薄的、刃口有金刚石颗粒的砂轮刀片D、划片机的对刀界面中，屏幕图像中间的绿线为法线（即基准线）答案：CD33.晶圆贴膜遇见哪些情况时需要重新贴膜，以保证贴膜正常。（）A、晶圆划伤B、贴膜气泡C、蓝膜起皱D、蓝膜破损答案：BCD34.芯片粘接工序常见的芯片废弃情况有（）。A、污染B、错位C、缺失D、堆叠答案：ABCD35.DIP封装的特点有（）A、合适在PCB上穿孔焊接，操作便利B、适合高频运用C、由于芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大D、芯片面积与封装面积非常相近答案：AC36.操作员在每批次装架作业前需检查投料芯片是否与领料信息一致，包括（）等。A、产品名称B、产品批号C、数量D、作业时长答案：ABC37.焊接粘贴法所使用的材料可以区分为硬质焊料与软质焊料两大类，下列属于硬质焊料的有（）。A、铅-锡B、金-硅C、金-锡D、铅-银-铟答案：BC38.按照引脚分布形态区分，封装元器件有（）。A、单边引脚B、双边引脚C、四边引脚D、底部引脚答案：ABCD39.芯片粘接时，质量合格的点胶要求有（）。A、芯片表面洁净B、芯片底部胶质地均匀C、胶有明显颗粒D、无胶高低不均现象答案：ABD40.在导电胶粘贴法中，使用自动装片机将芯片精准放置到焊盘的黏着剂上时，对于大芯片，误差应小于（）μm，角误差小于（）度。A、25B、2C、10D、0.3答案：AD判断题1.切割不同的晶圆时要根据实际情况更换不同型号的划片刀。A、正确B、错误答案：A2.芯片粘接时，芯片应位于粘结胶的中心位置，芯片必须四面包胶。A、正确B、错误答案：A3.引线框架未装料到设备上时，允许徒手接触其表面。A、正确B、错误答案：B4.擦拭设备时，应使用干净的餐巾纸。A、正确B、错误答案：B5.在电路中任意两点之间的电位差称为这两点的电压。A、正确B、错误答案：A6.划片作业结束后，晶圆表面的蓝膜或UV膜无需去除，结批后放到对应位置。A、正确B、错误答案：A7.装架后制品进行高温固化，烘烤结束需冷却一段时间，再取出制品。A、正确B、错误答案：A8.常规的晶圆花篮有25个晶圆槽，可以对应25片晶圆。A、正确B、错误答案：A9.导电胶领取后，需要在常温下行醒料后方可投入使用。A、正确B、错误答案：A10.芯片装架作业时，首检通过后方可继续批量生产。A、正确B、错误答案：A11.封装架使用的、未过期失效的导电胶，在不用时也应及时送入冰箱贮存。A、正确B、错误答案：A12.晶圆减薄后测量厚度，测量时通常会在晶圆上选取几个采样点。A、正确B、错误答案：A13.减薄过程中，磨削砂轮的转速越大越好，可以提高晶圆平整度和工作效率。A、正确B、错误答案：B14.减薄作业结束后，晶圆表面的蓝膜或UV膜无需去除，直接将物料回库后放至待划片氮气柜中。A、正确B、错误答案：B15.UV照射机作业过程中，允许强行打开机顶盖。A、正确B、错误答案：B16.芯片粘接时，对于粘接胶同时使用了导电胶和绝缘胶的产品，必须先装架粘接胶为绝缘胶的芯片，并在烘烤之后继续装架粘接胶为导电胶的芯片。A、正确B、错误答案：B解析：粘接胶同时使用了导电胶和绝缘胶的产品，必须先装架粘接胶为导电胶的芯片，并在烘烤之后继续装架粘接胶为绝缘胶的芯片。17.导电银膏价格低，常用于民用小功率的器件和电路中，它适用于不同的固化温度和固化条件。A、正确B、错误答案：A18.装片机取芯过程中，会吸取每一颗芯片，对于不合格的芯片，会利用吸嘴放置在不合格的相关区域。A、正确B、错误答案：B19.芯片粘接时，点胶头越大越好，可以使粘接牢固。A、正确B、错误答案：B20.导电胶粘贴法去除有机成分和溶剂需要完全，否则易对封装结构及其可靠性有损害。A、正确B、错误答案：B21.薄型四边扁平封装（TQFP）封装体厚度一般为2.0~3.6mmA、正确B、错误答案：B22.芯片粘接作业时，点胶头只要没有损坏，就可以一直使用。A、正确B、错误答案：B23.GaAs场效应晶体管的芯片烧结通常用金锡共晶焊料片，为防止金中锡的氧化，必须在纯氮保护气氛下加热操作。A、正确B、错误答案：A24.晶圆贴膜是在晶圆表面贴上保护膜的过程，主要应用于固晶和键合环节。A、正确B、错误答案：B25.生产时，一般先由设备人员改机并调试好设备，再交付给产线，有操作人员进行批量生产。A、正确B、错误答案：A26.芯片的推力测试只需通过显微镜即可完成。A、正确B、错误答案：B27.绝缘胶的存放温度较低，其取出后需要在50℃条件下行醒料。A、正确B、错误答案：B解析：常温下醒料。28.在点胶过程中，当引线框架的芯片座大小相差不大时，可选用相同点胶头。A、正确B、错误答案：A29.封装工艺中，电镀是为了防止晶圆生锈或受到其他污染。A、正确B、错误答案：B30.芯片粘接生产时，刚开始作业操作员需要对装架后的制品进行检查，假设检查了20颗，只有1颗装架不合格，则可以继续生产。A、正确B、错误答案：B解析：检查有问题时，需要反馈、确认，处理正常后方可继续生产。31.使用显微镜时，应用小倍数镜头开始调整，然后换成大倍数镜头A、正确B、错误答案：A32.芯片不用时，应及时放入氮气柜内妥善保存。A、正确B、错误答案：A33.在恒温控制中，热偶短路，显示为超温。A、正确B、错误答案：B34.清理工作台面时，需要使用干净的无尘布擦拭。A、正确B、错误答案：A35.工具、物品、及文件须放置规定区域，不可任意摆放。A、正确B、错误答案：A36.集成电路设计、制造、封装与测试都属于集成电路产业链中的环节。A、正确B、错误答案：A37.UV膜的粘性主要受温度的影响。A、正确B、错误答案：B38.当机台运行时，禁止身体的任何部位进入设备运行机构的活动区域以防止意外的发生。A、正确B、错误答案：A39.氮气柜中通过氮气控制其氧含量，柜体内保持一定的温湿度，可以保护存储在其中的晶圆。A、正确B、错误答案：A40.划片前贴膜时，覆膜完成，操作人员沿着晶圆边缘将蓝膜切断。A、正确B、错误答案：B41.芯片粘接作业时，每次更换粘接胶的种类或是型号，必须进行点胶头的清洗。A、正确B、错误答案：A42.QFP是一种无引脚封装，呈正方形或矩形，封装四周配有电极触点。A、正确B、错误答案：B43.使用显微镜时，直接用大倍数镜头观察A、正确B、错误答案：B44.激光划片属于非接触式切割，对晶圆表面的影响较小。A、正确B、错误答案：A45.在导电胶粘贴工艺中，银浆可以实现芯片在引线框架上的固定，使用之前需要回温，除去气泡。A、正确B、错误答案：A46.集成电路是将一些常用的电子元器件，比如说电阻、电容、晶体管等，以及它们之间的布线，通过半导体工艺集成在一起，形成的一个具有特定功能电路的微型电子器件。A、正确B、错误答案：A47.芯片粘接后检查，发现管芯的定向和定位不符合装配图时，判断该管芯的方位不合格。A、正确B、错误答案：A48.利用静电测试仪进行防静电点检时，双脚需要站立在仪器指定的站立区域。A、正确B、错误答案：A49.光刻是指用化学或物理的方法，将晶圆表面上淀积的各种绝缘介质膜、金属薄膜等按照掩膜版的图形结构选择性的去除，以便形成各种器件结构和电路互连。A、正确B、错误答案：B50.对于半自动贴膜机，在放置晶圆贴片环时，需要使其定位缺口与贴膜盘的定位钉一致。A、正确B、错误答案：A51.根据芯片大小选择单PIN或多PIN顶针，单PIN顶针应用于较小的芯片尺寸；多PIN顶针应用于较大的芯片尺寸。A、正确B、错误答案：A52.如图所示的磨轮，其磨削环包含了结合剂和磨料。

A、正确B、错误答案：A53.划片刀需要定期磨刀或换刀，保证划片质量。A、正确B、错误答案：A54.生产时，操作员从物料区随机领取物料进行作业即可。A、正确B、错误答案：B55.料盒在传送过程中要平拿平放，避免引线框架滑落或使芯片倾斜。A、正确B、错误答案：A56.银浆烧结是一种流传较广的方法，它适用于大功率晶体管。A、正确B、错误答案：B57.在恒温控制中，热偶断了，显示为超温。A、正确B、错误答案：A58.为了提高效率，可以一次性取出多个批次的框架。A、正确B、错误答案：B59.减薄作业过程中，当操作员发现减薄参数有问题时，可以直接通过显示界面进行修改。A、正确B、错误答案：B60.对于窄切割道一般是尽可能选择最薄的刀片。A、正确B、错误答案：A61.为提高效率，磨削深度越大越好。A、正确B、错误答案：B62.芯片粘接工序时，核对物料和随件单信息一致需要通过显微镜检查。A、正确B、错误答案：B63.一般情况下，同一产品作业时不会更改划片刀型号，但如果更换了不同外径的划片刀，必须保持原来的转速，以保证切割质量及稳定性。A、正确B、错误答案：B64.减薄机砂轮转速的单位一般为μm/minA、正确B、错误答案：B65.如图为某装片机的界面局部视图，根据产品型号，装片位置原则上不能超出红线区域（特殊工艺除外）。

A、正确B、错误答案：A66.软刀是一种圆形薄片的砂轮刀。A、正确B、错误答案：A67.软刀安装时，无需刀盘即可直接安装在划片机上。A、正确B、错误答案：B68.切割道宽度是划片刀厚度选择依据之一。A、正确B、错误答案：A69.在相同转速下，划片刀外径不同，外圆线速度也是不同的。A、正确B、错误答案：A填空题1.操作人员进入划片作业的车间，如下图是其换好衣服的状态，着装是否正确？（）（填写“正确”或“不正确”）

答案：正确2.一般情况下，整个划片生产过程会用到以下哪些设备？（）（填写大写英文字母，如“ABC”）

答案：ACDFG3.进行晶圆厚度测量时，测厚仪的显示数值如图，假设UV膜厚度为70μm，则此时的晶圆厚度为（）μm。

答案：2504.识读流程卡，FD152Y47整批次中的物料数量有（）只。

答案：692385.如图为某型号减薄机，欲使其上料区的花篮下降应按红框中的（）按键。

答案：DOWN6.如图为晶圆外观示意图，晶圆正面为（）。（填写大写英文字母）

答案：A项7.如图为贴膜不良，该不良现象是UV膜（）。

答案：褶皱8.减薄准备时，下列物料中需要在减薄机装料的是（）。（填写大写英文字母，如“ABC”）

答案：AE9.本次作业键合图如下左图，检查右图装片情况，可知该装片是否合格。（）（填写“合格”或“不合格”）

答案：合格10.操作人员更换着装后进行静电检测，如图为静电检测仪的界面显示，表示该人员静电检测是否通过？（）（填写“通过”或“不通过”）

答案：通过11.如图为贴膜不良，该不良现象是UV膜（）。

答案：破损12.核对下图中晶圆实物信息和随件单信息，判断信息是否一致。（）（填写“一致”或“不一致”）

答案：一致13.如图所示为某产品封