常用温度加速模型计算_第1页
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文档简介

,,,,,,一般器件失效类型以及活化能参考,,,

,Items,Vaule,Units,,,设备名称,失效类型,失效机理,活化能（eV）

,"HighestTemperature,TH=",150,°C,,,IC,断开,Au-Al金属间产生化合物,1

,"NominalTemperature,TN=",25,°C,,,IC,断开,Al的电迁移,0.6

,"TemperatureinKelvin,TH=",423,K,,,IC（塑料）,断开,Al腐蚀,0.56

,"TemperatureinKelvin,TN=",298,K,,,MOSIC（存贮器）,短路,氧化膜破坏,0.3～0.35

,"ActivationEnergy,EA=",0.35,eV,,,二极管,短路,PN结破坏（Au-Si固相反应）,1.5

,"Boltzman'sConstant,K=",8.61739E-05,eVK-1,,,晶体管,短路,Au的电迁移,0.6

,"UnknownNonthermalConstant,A=",1,,,,MOS器件,阈值电压漂移,发光玻璃极化,1

,"ArrheniusReactionRate,R(TH)=",6.76076E-05,,,,MOS器件,阈值电压漂移,Na离子漂移至Si氧化膜,1.2～1.4

,"ArrheniusReactionRate,R(TN)=",1.20457E-06,,,,MOS器件,阈值电压漂移,Si-Si氧化膜的缓慢牵引,1

,"AccelerationFactor,AF=",56.12583736,,,,,,,

,,,,,,,,,,

,Arrhenius加速模型,,,,,,,,

,,,,,,,,,,

,"温度的加速因子由Arrhenius模型计算：

其中，Lnormal为正常应力下的寿命，Lstress为高温下的寿命，Tnormal为室温绝对温度，Tstress为高温下的绝对温度，Ea为失效反应的活化能（eV），k为Boltzmann常数，8.62×10－5eV/K，实践表明绝大多数电子元器件的失效符合Arrhenius模型。

一般电子产品在早夭期失效之Ea为0.2~0.6eV,正常有用期失效之Ea趋近于1.0eV;衰老期失效之Ea大於1.0eV.根据Compaq可靠度工程部(CRE)的测试规范,Ea是机台所有零件Ea的平均值.如果新机种的Ea无法计算,可以將Ea设为0.67eV,做常数理.目前,Dell和HP,Motorola等机种的Ea设为0.6eV.后续将统一设定为0.67eV.

",,,,,

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