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学 姓学 姓 学 共2小时课程名 教 陈 学时 学分教学方式课堂教学 考核日期2012年6 日成绩 (25分) ），单位芯片面积的功耗将 TDDB的中文翻译是（ TEM的中文翻译（ DIBL 热载流子效应的英文翻译为（ ），交叠电容的英文翻译为 如果采用中央禁带金属材料制作栅电极，那么n-MOSFET的阈值电压大概是（）pMOSFET的阈值电压大概是（纳米MOSFET中，采用高K栅介质材料是为了（ ， ，而降低高K材料的缺陷态和固定电荷密 (6)器件，衬底掺杂浓度太小会引起()，最大一般取(6)器件，衬底掺杂浓度太小会引起()，最大一般取()，太大引起((。结深太小引起)，现在最小一般取)、SOIMOSKink3．(20分)MOSHALOMOS器件表面势的示意图，并标出4．(20分)(15分 分析讨

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