efm32tg用户手册第第1章低功耗微控制器

目第1章低功耗微控制 典型应 第2章关于文 相关约 参考文 第3章系统概 简 特 结构框 功耗模 产品综 第4章系统处理 简 特 功能描 中断操 第5章存储与总线系 简 功能描 外 总线矩 访问低功耗外设（异步寄存器 简 第6章DBG调试接 简 特 功能描 调试上锁和设备擦 寄存器示意 寄存器描 i第1EFM32TG（TinyGecko）适合于低功耗的应用场合，可替换对功耗有高要求的8位、EFM32TGCortex-M3内核，嵌入式开发者能够通过现存开发套件快速地学习和使第2章关于文档EFM32TGEFM32其他系列微控制器不具备。关于不TIMERn_CTRL——控制寄存器，“n”代表所属于的功能模块的序号。块寄存器Map）计算得到。RW存器写入时写入数值0。保留位在将来使用中将可能读取数值为1。引脚连接通过使用功能模块前缀和引脚缩写定义：USn_TX（USARTnTX引脚）。关EnergyMirco第3章系统概述EFM32MCU32位ARMCortex-M3内核、创新性的低功耗技术、从低功耗模式中能迅速的唤醒、具有丰富的外设等特性。EFM32TG微ARMCortex-M3（WIC20nA@3V关闭模式（ShutoffMode；Mode52μA/MHz@3V睡眠模式（SleepMode；Mode32/16/8KB4/2/1KB2支持深度模式（DeepSleepMode）DMA216位定时器/3个比较/捕获/PWM24116121Msample/sA/D12500Ksample/sD/A2路单端输出/1模式（EnergyMode）中是否处在工作状态。颜色与功耗模式的关系请参看图3.2。3.1EFM32TG3.23.2所示的颜色上的数值代表着不同功耗模式EMn（EnergyModenEFM32TG5种不同的功耗模式（EnergyModes，EM0-EM4）。EFM32TG可以实表 功耗模式描EM0-EnergyMode0（运行模式耗为EM1-EnergyMode1（睡眠模式EM1功耗模式下，CPUEM232.768KHzRTC使能外设高度自主管理的条件EM3-EnergyMode3（停止模式I2CEM3模式工作，唤醒定时器能EM4-EnergyMode4（关闭模式所有引脚保持复位状态，功耗低至20nA第4Cortex-M3内核设计而来。ARMCortex-M3在低成本、度和更高的32位指令吞吐EFM32TG结合了低功耗的外设设计，并充分发挥了Cortex-M3内核具有的哈佛结构、3级流水线、单周期Thumb-2指令集8位~32位微速的中断响应特性，能很好地满足与低成本和低功耗的应用需求。EFM32TG采用的Cortex-M3版本未r2p1。独立分离的数据和程序存储总线（避免了单总线系统带来的存储速度瓶颈3可参阅《EFM32Cortex-M3ReferenceManual》文档深入了解。4.1EFM32TG微控制器连接到Cortex-M3内核的中断请求线（IRQ）31个。每一个中（IEN寄存器）进行与操作然后产生IRQ请求。高优先级的IRQ请求将置位Cortex-M3内核中NVIC对应的挂起位（pendingbit，挂起位同样也可以通过ISPRO/ICPR0寄存器中的SETPEND/CLRPEND位置位/清零）。挂起位和内核中的中断使能位（ISEPR0/ICER0中的0123456789第5集成低功耗数据保存的FLASHRAM的短延时系统使得功耗RAM保持将降低保存数据到Flash的必要而微控制器能够频繁地工作在极低功耗的EM2和Flash存储器保存着的程序和应用数据能够容易地在系统重编程。低漏电数据RAM在EM0-EM3模式下均保持，减低能够在确定的时间内执行快速上。4个AHB总线主机包括：Cortex-M3ICode：用于从代码存储空间获取指令（0x00000000~0x1FFFFFFF；FFFF；Cortex-M3System:用于从系统地址空间进行指令获取、数据和调试访问（0x20000000~0xDFFFFFFF，0xE0100000~0xFFFFFFFF；FFFF；

5.1EFM32TG5.2SRAM时，Cortex-M3System总线接口进行取指，同时SRAM中有效地执行代码，SRAM0x10000000开始的地址段。当线接口单独用于数据访问，充分发挥Cortex-M3的性能优势。SRAM位带别名和外设位带别名段分别位于0x220000000x42000000。对于SRAM区域Set/ClearBit_address=0x22000000+(address–0x20000000)×32+bitBit_address=0x42000000+(address–0x40005.10x400E0000~0x400E5.25.30x4000E400~0x4000当于4倍的单独AHB总线接口。外设时钟等于或大于HFCORECLKNcycles=2外设时钟等于或大于HFCORECLKNcycles=2+NslaveNcycles=(2+NslaveLCD驱动器-TinyGecko2种不同的同步机制：立即同步和延时注意：在Gecko系列微控制器所有LE外设（低功耗外设）忙标志位将置1。在延时同步的过程中该标志位将一直保持，直到完成后清除。寄存器写入之后，它不要求等待直到SYNCBUSY寄存器相关标志位清除。例如写入寄存器后，微控制器将直接进入EM2模式。5.3它的值总是为0，指示寄存器的写入是安全的。的情况。在读操作前，请先查询SYNCBUSY寄存器中写入低功耗外设操作正确状态标志位。5.4该寄存器包含名为REGFREEZE的位。如果要求精确的同步处理，该位可以被利用上。当REGFREEZE1，同步处理被停止，在同步处理开始前，允许软件写入多个低功耗寄存器，这样就可以提供模块更新处理的精确控制。同步处理通过清除REGFREEZE标志位512字节每页（最小的擦除单位bits；在SRAM、Flash和外设之间执行数据传输。band；5.40x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE0[14:8]:1.25V的参考源增益[6:0]:1.25V0x0FE0[14:8]:2.5V的参考源增益[6:0]:2.5V0x0FE0置0x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE0[22:16]:1.25V参考源增益[13:8]:1.25V0x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE0[7:0]:EFM32系列号码0x0FE0第6章DBGDBG用于编程和调试EFM32TGI/O引脚，使得在线重复编程和更新系统Cortex-M3支持先进的调试特性。EFM32TG2个引脚1线串行观察器，能够用于输出截取信息（profilingInformation）、数据跟踪和软件产生信Flash补丁和断点（FPB）实现观察点、触发源和系统截取信息指令跟踪宏单元TechnicalReferenceManual》和《ARMCoreSightTechnicalReferenceManual》。能，详细情况请参看7.3.2小节。阻止。该访问机制将由AuthenticationAccessPort（AAP）控制，如图6.1所示。6.1AHB-AP40ms内完成。需要注意在设备擦除操作中SRAM内容也将被删除。调试器可以读取AAP_STATUS寄存器的状态。当在AAP_CMD寄存器的DEVICEERASE1之后，ERASEBUSY