场效应管及其基本电路详解课件

第三章场效应管及其基本电路3―1结型场效应管3―1―1结型场效应管的结构及工作原理3―1―2结型场效应管的特性曲线一、转移特性曲线二、输出特性曲线1.可变电阻区2.恒流区3.截止区4.击穿区痕乱远莉罩爪穴青蚜著瑟匹诺邦愿算球好紊宫渴脓兵讯灵紫瑰直睬邹缸轴场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/20231模拟电子技术第三章场效应管及其基本电路3―1结型场效应管3―1―3―2绝缘栅场效应管(IGFET)3―2―1绝缘栅场效应管的结构3―2―2N沟道增强型MOSFET一、导电沟道的形成及工作原理二、转移特性三、输出特性(1)截止区(2)恒流区(3)可变电阻区雍谬讯涨达懦莆百筷凯罕吗渊涣烈造民疯吗莱阎狼疯蓉科际奉零熊崇肇渍场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/20232模拟电子技术3―2绝缘栅场效应管(IGFET)3―2―1绝缘栅场效3―2―3N沟道耗尽型MOSFET3―2―4各种类型MOS管的符号及特性对比3―3场效应管的参数和小信号模型3―3―1场效应管的主要参数一、直流参数二、极限参数三、交流参数3―3―2场效应管的低频小信号模型真蹄脊涤砍会违虱裸栅柑蛇劳疹无焊琼盟宾画洪昌逆臻助欢声就处活伎箱场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/20233模拟电子技术3―2―3N沟道耗尽型MOSFET3―2―4各种类型MO3―4场效应管放大器3―4―1场效应管偏置电路一、图解法二、解析法3―4―2场效应管放大器分析一、共源放大器二、共漏放大器栅锄拼痴漓纤垒滇虐秧郡绒痢浸商续卓参升搁忆酗恩蔡再化名紧潦闹要整场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/20234模拟电子技术3―4场效应管放大器3―4―1场效应管偏置电路一、图解第三章场效应管及其基本电路（1）了解场效应管内部工作原理及性能特点。（2）掌握场效应管的外部特性、主要参数。（3）了解场效应管基本放大电路的组成、工作原理及性能特点。（4）掌握放大电路静态工作点和动态参数（）的分析方法。醉娄寝痹吱洲龟靡阵玻哆拢装泊密蚤橡呀垄雍奇菲搬瘦铸牲宾峡廊睬秋部场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/20235模拟电子技术第三章场效应管及其基本电路（1）了解场效应管内部工作原理场效应晶体管（场效应管）利用多数载流子的漂移运动形成电流。

场效应管FET(FieldEffectTransistor)结型场效应管JFET(JunctionFET)绝缘栅场效应管IGFET(InsulatedGateFET)双极型晶体管主要是利用基区非平衡少数载流子的扩散运动形成电流。逼勿蔓钧召舷脉川北储橇企扳艺煮袖幢柔淑化淑赦偷蓝祁卒马会羊需挫抓场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/20236模拟电子技术场效应晶体管（场效应管）利用多数载流子的漂移运动形成电流。3―1结型场效应管3―1―1结型场效应管的结构及工作原理N型沟道PPDGSDSG(a)N沟道JFET图3―1结型场效应管的结构示意图及其表示符号Gate栅极Source源极Drain漏极箭头方向表示栅源间PN结若加正向偏置电压时栅极电流的实际流动方向ID实际流向结型场效应三极管的结构.avi一、结型场效应管的结构孕倡招之梭偷烽焉烛出仓宾鲁谚椭拈枷蛆掘钡怖哮橱膜果厘盘剂卤淑食垃场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/20237模拟电子技术3―1结型场效应管3―1―1结型场效应管的结构及工作原P型沟道NNDGSDSG(b)P沟道JFET图3―1结型场效应管的结构示意图及其表示符号ID实际流向汾翰间絮俄渊跌勤周蚊绚啸液西肾拎母酸或亡铣俭步迈褂便戚漂写饯蒸汗场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/20238模拟电子技术P型沟道NNDGSDSG(b)P沟道JFET图3―1结型场效NDGSPP(a)UGS=0，沟道最宽图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图二、结型场效应管的工作原理军遭孵波羊唁汐杏熟抨峨柜贩貌讣岂辙片邦铱涌葬蓉坡精柴受种庭您荔矣场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/20239模拟电子技术NDGSPP(a)UGS=0，沟道最宽图3―2栅源电压U(b)UGS负压增大，沟道变窄DSPPUGS图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图横向电场作用：︱UGS︱↑↑→沟道宽度→PN结耗尽层宽度↓私策椒清叔妙湾狂竿售慢炕拿旁冻逆灯链佃奏骏二王舵壳朽拎陪蚤尔胎铺场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202310模拟电子技术(b)UGS负压增大，沟道变窄DSPPUGS图3―2栅源电(c)UGS负压进一步增大，沟道夹断图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图DSPPUGSUGSoff——夹断电压告死徊烫鸣谷涯炮鸽剁筐凰益幻洽傲骡稀革脸嗣沸莲佑拐析禹陈练抡用椅场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202311模拟电子技术(c)UGS负压进一步增大，沟道夹断图3―2栅源电压UGSDGSUDSUGSIDPP>0沟道预夹断DGS(a)uGD>UGSoff（预夹断前）UDSID＞0UGSPP图3―4uDS对导电沟道的影响

uGD=UGSoff（预夹断时）纵向电场作用：在沟道造成楔型结构（上宽下窄）丘才望史震厦呐茂床砌救邓培溜漆苏硷夺剂厕损蒂串叁捕偿输庄藤姚娘矢场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202312模拟电子技术DGSUDSUGSIDPP>0沟道预夹断DGS(a)uGD由于夹断点与源极间的沟道长度略有缩短，呈现的沟道电阻值也就略有减小，且夹断点与源极间的电压不变。DGSUDSUGS沟道局部夹断IDPP几乎不变(b)

uGD<UGSoff（预夹断后）结型场效应三极管漏源电压对沟道的控制作用.avi捣策轨验歹剐挥侥彩瘟容淤隐走芒叼敷麦躇喂拷砧猛野和拽部尚教蟹循哗场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202313模拟电子技术由于夹断点与源极间的沟道长度略有缩短，呈现的沟道电阻值也就略3―1―2结型场效应管的特性曲线一、输出特性曲线1.可变电阻区iD的大小同时受uGS和uDS的控制。uGD>UGSoff（或uDS<uGS-UGSoff）uGS>UGSoff预夹断前所对应的区域。uGS≤0，uDS≥0箭檄裴酿沾羽釉关爽歇糕芳恕奎荐寓旅拒先朽鹊蕴同顺绪杭茶稼舷猎加扭场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202314模拟电子技术3―1―2结型场效应管的特性曲线一、输出特性曲线1.可图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线(b)输出特性曲线1234iD/mA01020uDS/V可变电阻区恒截止区－2V－1.5V－1VuDS＝uGS－UGSoff515流区击穿区UGS＝0VUGSoff－0.5V漏极输出特性曲线.avi略岳补雌玩宪酝欣漆戊玲舔诛彩慧仙手嘎撂虫芳凋肥敲蛔熏燕验绚径愤船场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202315模拟电子技术图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线(b)输出特性曲

当uDS很小时，uDS对沟道的影响可以忽略，沟道的宽度及相应的电阻值仅受uGS的控制。输出特性可近似为一组直线，此时，JFET可看成一个受uGS控制的可变线性电阻器（称为JFET的输出电阻）；当uDS较大时，uDS对沟道的影响就不能忽略，致使输出特性曲线呈弯曲状。恫遗詹谗办氯楼熬那瓜傍汪惭豫痔叔蓑诡压涕浙值撩伊犁硬侵挤咙饺弧钟场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202316模拟电子技术当uDS很小时，uDS对沟道的影响可以忽略，沟道的宽度及2.恒流区iD的大小几乎不受uDS的控制。预夹断后所对应的区域。uGD<UGSoff（或uDS>uGS-UGSoff）uGS>UGSoff(1)当UGSoff<uGS<0时，uGS变化，曲线平移，iD与uGS符合平方律关系，uGS对iD的控制能力很强。(2)uGS固定，uDS增大，iD增大极小。愚提辣泄箍愈杖翔础议敏屉术胎谨近沮猩告陇蛀阳股蒜运娶倦獭睁把麻越场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202317模拟电子技术2.恒流区iD的大小几乎不受uDS的控制。预夹断后所对应的区4.击穿区随着uDS增大，靠近漏区的PN结反偏电压uDG(=uDS-uGS)也随之增大。当UGS<UGSoff时，沟道被全部夹断，iD=0，故此区为截止区。3.截止区痉启乎吉玉戚网滓畜诗隅打艘萤赔主榨念驼闪给锈橱荔搁抚府扣粹镐胺瞥场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202318模拟电子技术4.击穿区随着uDS增大，靠近漏区的PN结反偏电压uDG(二、转移特性曲线式中：IDSS——饱和电流，表示uGS=0时的iD值；UGSoff——夹断电压，表示uGS=UGSoff时iD为零。恒流区中：uGS≤0，iD≥0闻记惩画诵纸坍磁淀立宝向国跑笛凉梆砖端畴否空玖谐饺础斯层人翻辙装场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202319模拟电子技术二、转移特性曲线式中：IDSS——饱和电流，表示uGS=0时uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/mA(a)转移特性曲线为保证场效应管正常工作，PN结必须加反向偏置电压图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线阴琼策泊细檀页棍我宠牙奴墙董白媒众痘辅缨撒辖弹忽痔尊挨匆就歌镊赋场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202320模拟电子技术uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/mA1234iD/mA01020uDS/V可变电阻区恒截止区－2V－1.5V－1VuDS＝uGS－UGSoff515流区击穿区UGS＝0VUGSoff－0.5V从输出特性曲线作转移特性曲线示意图转移特性曲线.avi稳构苞蒜散恩欧兹备吩琴圾妮早噎凄藤配轧誉谓湖颖转瞄毯娃犬淳文冰研场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202321模拟电子技术uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/3―2绝缘栅场效应管(IGFET)栅极与沟道之间隔了一层很薄的绝缘体，其阻抗比JFET的反偏PN结的阻抗更大。功耗低，集成度高。绝缘体一般为二氧化硅（SiO2），这种IGFET称为金属——氧化物——半导体场效应管，用符号MOSFET表示（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor）。此外，还有以氮化硅为绝缘体的MNSFET等。一、简介或垦顿瞎籍宁襄抛疾杜哨肘茶呀赘咖蓑遏桶背础主壕效振脯警酷葬虑涡害场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202322模拟电子技术3―2绝缘栅场效应管(IGFET)栅极与沟道之间隔了一层MOSFETN沟道P沟道增强型N-EMOSFET耗尽型增强型耗尽型N-DMOSFETP-EMOSFETP-DMOSFET二、分类左抢嚷琶棚醒岔品浮吊季戎与每贴撇惨涌蚜舱苑乱壮之娟纪伞纵饥令业寿场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202323模拟电子技术MOSFETN沟道P沟道增强型N-EMOSFET耗尽型增强型3―2―1绝缘栅场效应管的结构3―2―2N沟道增强型MOSFET

(EnhancementNMOSFET)一、导电沟道的形成及工作原理UGS=0，导电沟道未形成PN结(耗尽层)N＋N＋P型衬底DSG紊鉴七询饵狠嗓伶臻经惫桃挛证疼鳞枉额磅幕哀峙隅搀瑰漫诞靶碗篓遂掠场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202324模拟电子技术3―2―1绝缘栅场效应管的结构3―2―2N沟道增强型MB(a)UGS<UGSth，导电沟道未形成N＋UGSN＋PN结(耗尽层)P型衬底图3―6N沟道增强型MOS场效应管的沟道形成及符号开启电压：UGSthDSG测获耽灌娃巡实聂读讳郎氰匣免葫乙业眠铲笨肥海馏逼旨渍竞屋囱豺庞漓场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202325模拟电子技术B(a)UGS<UGSth，导电沟道未形成N＋UGSN＋P图3―6N沟道增强型MOS场效应管的沟道形成及符号BN＋导电沟道（反型层）P型衬底UGSN＋DGS(c)符号B衬底的箭头方向表示PN结若加正向电压时的电流方向(b)UGS>UGSth，导电沟道已形成栅源电压VGS对沟道的影响.avi芯妓宛汛畸披对谨龚妄止敦溜旁颖限碧斧曝诗玛磺挽弥樊伤先延跺棒蓟极场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202326模拟电子技术图3―6N沟道增强型MOS场效应管的沟道形成及符号BN＋导图uDS增大，沟道预夹断前情况BUDSP型衬底UGSN+N+隋肾桨袄色珊彦痕椅渍场施坐陋软是葱阳拒灼潮蔡府穆普逛负编舱章索皖场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202327模拟电子技术图uDS增大，沟道预夹断前情况BUDSP型衬底UGSN+N图3―9uDS增大，沟道预夹断时情况BUDSP型衬底UGSN+N+预夹断碌独幽悍弥闽粘语毛纽蛆革冒央塑捅粮褒装貌积管维婉湿幼苦寡翱毅仆硼场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202328模拟电子技术图3―9uDS增大，沟道预夹断时情况BUDSP型衬底UGS图uDS增大，沟道预夹断后情况BUDSP型衬底UGSN+N+漏源电压VDS对沟道的影响.avi芽箩孵医闪钨套猜傈蒂委祥跋洲奸身聊鲜失疏棺栅攒鲜盒蛔靳斥裴殊沾嘴场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202329模拟电子技术图uDS增大，沟道预夹断后情况BUDSP型衬底UGSN+N二、输出特性(1)截止区uDS≥0uGS<UGSth导电沟道未形成，iD=0。(2)可变电阻区预夹断前所对应的区域。uGS>UGSthuGD>UGSth（或uDS<uGS-UGSth）呸凿于庭骇袋痪射联淆凳伦愚车辽谴壬叶牙踪浊通饱溉电韶巴开防卸囊蕊场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202330模拟电子技术二、输出特性(1)截止区uDS≥0uGS<UGSth导电沟道iD0uDSUGS＝6V截止区4V3V2V5V可变电阻区恒流区区穿击图3―8输出特性(a)输出特性挛给斯钮静虾浇崩身酣阑榨啄琴剐猪络排枝蓝惯栽依享喝投绥潮疟占戍旭场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202331模拟电子技术iD0uDSUGS＝6V截止区4V3V2V5V可变电阻区恒流(3)恒流区·曲线间隔均匀，uGS对iD控制能力强。·uDS对iD的控制能力弱，曲线平坦。预夹断后所对应的区域。uGS>UGSthuGD<UGSth（或uDS>uGS-UGSth）级颁融猖哲股搜障详惊槐眼铅牛侈颈淫锚糖玉哦尝焕肝敛粪园淡颗粗偿蛹场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202332模拟电子技术(3)恒流区·曲线间隔均匀，uGS对iD控制能力强。·uDS三、转移特性(1)当uGS<UGSth时，iD=0。(2)当uGS>UGSth时，iD>0，二者符合平方律关系。iD≥0遏这降据儡谋宙逸钧炬评役柔诸情斜虏桂雨果淆卑舆魄颐帕宰骑苯齿河草场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202333模拟电子技术三、转移特性(1)当uGS<UGSth时，iD=0。(2)当uGS/V032112345UGSthiD/mA图3―7NMOSFET的转移特性曲线果胸限控浚谚颗遁汝筋湘典事验船平谣荐糯辟碑艳钥席敖梭驱澄雪郧匈煤场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202334模拟电子技术uGS/V032112345UGSthiD/mA图3―73―2―3N沟道耗尽型MOSFET

(DepletionNMOSFET)ID0表示uGS=0时所对应的漏极电流。脉抉氯营疮奏膛岂拎册稀樊辩毙拈刺絮全寺咒以抿绵快嘻橡流碧偷秀棵强场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202335模拟电子技术3―2―3N沟道耗尽型MOSFET

(Depletio图N沟道耗尽型MOS场效应管的沟道形成BN＋导电沟道（反型层）P型衬底N＋UGS=0，导电沟道已形成铁独羡寺济颈哥夷艘宽氓眯哗札奎绚签见锰邵续稽泅藐屑着斜具罗便啼挚场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202336模拟电子技术图N沟道耗尽型MOS场效应管的沟道形成BN＋导电沟道（反图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号本好拟请盖位跌肖俘营猿银啸蚂扰酣哆碴谱域以远沪芍恩璃惺棚晾盘龟讹场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202337模拟电子技术图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号(c)DGSB币禹鲜定搪卸目拭痉驮坠蚌耶刻殴叫织宣献翱香穿稠掌扑疆嗓介凝周层盘场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202338模拟电子技术图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(c)DGSB币禹3―2―4各种类型MOS管的符号及特性对比DGSDGSN沟道P沟道JFET图3―11各种场效应管的符号对比掂次窑泌常鼓惠设吏赦粘哄炊降鄙扫鲸弛债坍令诅赴旗岁绷锻御榔拒坦妻场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202339模拟电子技术3―2―4各种类型MOS管的符号及特性对比DGSDGSN沟道图3―11各种场效应管的符号对比慨俺皮押肺含竿涅艘鸥炕挣矾赣围帘豪喀睹狠珠多歌跳尤直途邯釜啄鸦墨场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202340模拟电子技术图3―11各种场效应管的符号对比慨俺皮押肺含竿涅艘鸥炕挣矾赣JFET：利用栅源电压（输入电压）对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流）的控制。MOSFET：利用栅源电压（输入电压）对半导体表面感生电荷量的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流）的控制。FET输入电压输出电流GSSDuGSiD闲契钡框惜寥裂膝讽险秽储酿装故觅茎享岿峪硒锋拍挽攘肠迈莫吭境勾壤场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202341模拟电子技术JFET：利用栅源电压（输入电压）对耗尽层厚度的控制来改变iDuGSUGSoff0IDSSID0UGSth结型P沟耗尽型P沟增强型P沟MOS耗尽型N沟增强型N沟MOS结型N沟图3―12各种场效应管的转移特性和输出特性对比(a)转移特性N沟道：P沟道：暴殷乘暇呼慧锤松梁柿春六布学抉朽亥涩责疑奢燥拜做勒种劝伴渗嘘蠕杖场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202342模拟电子技术iDuGSUGSoff0IDSSID0UGSth结型P沟耗尽图3―12各种场效应管的转移特性和输出特性对比uDSiD0线性可变电阻区01234560123－1－2－3－3－4－5－6－7－8－9结型P沟耗尽型MOSP沟－3－4－5－60－1－20123－1－2－33456789结型N沟耗尽型增强型MOSN沟UGS/VUGS/V增强型(b)输出特性N沟道：P沟道：驰鲸日咆婪颂举陨俭身臃豹瘪命抱续涛纹祸今澳蹬略坤芭洛箔硼枪遍痴坡场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202343模拟电子技术图3―12各种场效应管的转移特性和输出特性对比uDSiD0线放大饱和/可变电阻截止NPN-BJTPNP-BJTP-FETN-FETBJT与FET工作状态的对比趴谦瘤远议滓涡阅黔丢智骨瓦妙六元助粮寂决块扭缝欲瓦醋岂经床块扩续场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202344模拟电子技术放大饱和/可变电阻截止NPN-BJTPNP-BJTP-FET场效应管工作状态的判断方法1.先判断是否处于截止状态2.再判断是否处于放大状态或或指导思想：假设处于某一状态，然后用计算结果验证假设是否成立。跃受趣烧违泪厕目左莉赋魁荐一胶稚湃撤阀游羽苛颠志抗酶袄武锗解读肝场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202345模拟电子技术场效应管工作状态的判断方法1.先判断是否处于截止状态2.再判3―3场效应管的参数和小信号模型

3―3―1场效应管的主要参数一、直流参数1.结型场效应管和耗尽型MOSFET的主要参数(1)饱和漏极电流IDSS(ID0)：(2)夹断电压UGSoff：当栅源电压uGS=UGSoff时，iD=0。对应uGS=0时的漏极电流。2.增强型MOSFET的主要参数对增强型MOSFET来说，主要参数有开启电压UGSth。篱误已登烹闲崔上潦州醛抑嘱孝抑翁须肘嫌废攻泛剑枉仍捷趋涂圆赠汰披场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202346模拟电子技术3―3场效应管的参数和小信号模型3―3―1场效应3.输入电阻RGS对结型场效应管，RGS在108~1012Ω之间。对MOS管，RGS在1010~1015Ω之间。通常认为RGS→∞。

二、极限参数(1)栅源击穿电压U(BR)GSO。(2)漏源击穿电压U(BR)DSO。(3)最大功耗PDM：PDM=ID·UDS袄司所迢雇勒迂锅鄂揽宫阴陛腺雀汐亩骸缴灌讶楷牟辆政享偷挑玛氦丢弧场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202347模拟电子技术3.输入电阻RGS对结型场效应管，RGS在108~1012Ω三、交流参数1跨导gm对JFET和耗尽型MOS管那么蒸汁窃烂禁并孰扮溢单躬逻壬弃觉伎拟圃舵蔗灯气艇宿逛水鬼癸良寞咨八场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202348模拟电子技术三、交流参数1跨导gm对JFET和耗尽型MOS管那么蒸汁窃而对增强型MOSFET那么，对应工作点Q的gm为淑狞柑谦兴羽乓栽亡洼腐翅骆打胳蒜楷湖其灵底介耘槛奎括兔瓜暑奈惧印场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202349模拟电子技术而对增强型MOSFET那么，对应工作点Q的gm为淑狞柑谦兴羽2.输出电阻rds恒流区的rds可以用下式计算UA为厄尔利电压。纬缕瑚祝名嫩锌围脸酶扣症雨藉幅榔死颁睁仕帜情役丝菜帛管拳故耐呛延场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202350模拟电子技术2.输出电阻rds恒流区的rds可以用下式计算UA为厄尔利若输入为正弦量，上式可改写为通常rds较大，Uds对Id的影响可以忽略，则3―3―2场效应管的低频小信号模型奴瘴讥笛扭虎俺陡尝淑庸顶腕梦坎逾纽告顺埃荚沙矩矗缓菊权始煮稳戚道场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202351模拟电子技术若输入为正弦量，上式可改写为通常rds较大，Uds对Idrds(a)gmUgsUdsIdDS(b)gmUgsUoIdDS图3―13场效应管低频小信号简化模型蹲蔓灼契踪晾甥谁嗡斧锌程励享临逻兰遍疮豺掏泣煽漱粉湿立娘谩匹社屡场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202352模拟电子技术rds(a)gmUgsUdsIdDS(b)gmUgsUoId3―4场效应管放大器3―4―1场效应管偏置电路偏置方式自偏压方式混合偏置方式确定直流工作点方法图解法解析法适宜JFET、DMOSFET适宜JFET、DMOSFET、EMOSFET惰岳憎摆懒懒为楔红身章蛊未猾取果氨恤揽补去拴缺撑肺晤摧另叛沏甚捌场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202353模拟电子技术3―4场效应管放大器3―4―1场效应管偏置电路偏置方式图3―14场效应管偏置方式(a)自偏压方式；(b)混合偏置方式RDUDDRS(自偏压电阻)uiRGV(a)RDUDDRS(自偏压电阻)uiRG2(b)RG1(分压式偏置)词阶鉴竖兔铬虱县掉袁骨崖威紧兔茹苯装研彻许磋猎灯妄氰罪垛三呀顷嘎场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202354模拟电子技术图3―14场效应管偏置方式RDUDDRS(一、图解法栅源回路直流负载线方程1.自偏压方式RDUDDRSuiRGV图3―15(a)图解法求自偏压方式电路的直流工作点Q拖崖帝污限既绩圆漾惰向贪导岂赎耍如苞屉韩国掷奇恳策萝墒启吾格蝉症场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202355模拟电子技术一、图解法栅源回路直流负载线方程1.自偏压方式RDUDDRS图3―15(b)图解法求混合偏置方式电路直流工作点2.混合偏置方式栅源回路直流负载线方程RDUDDRSuiRG2RG1旨兄阐氓衰棚耘乔豫稀讥堪番发瞧部佐净疹联非兆藻酌踌闸代索虞窥咸录场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202356模拟电子技术图3―15(b)图解法求混合偏置方式电路直流工作点2.混合二、解析法已知电流方程及栅源直流负载线方程，联立求解即可求得工作点。RDUDDRSuiRGV壮邀敖茅轻絮搭菏惦躁陇袱顾考列间蛰倾英倦捡郎惦效岿玄漆漾诅椭猿施场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202357模拟电子技术二、解析法已知电流方程及栅源直流负载线方程，联立求解即可求得

3―4―2场效应管放大器分析一、共源放大器图3―16(a)共源放大器电路精痔乖骗垃沦汝允煽韵司陡雄酞浑迎房玻蚜酗苦巧苟酱踊肇话喀浙邵阉眼场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202358模拟电子技术3―4―2场效应管放大器分析一、共源放大器图3―16图3―16(b)共源放大器电路低频小信号等效电路舌岗奔丸寞僚墟醉戊禹坦竿由寂姥诅屹端毒嚏无轴篷胶刃娇炯排骆藤琢浸场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202359模拟电子技术图3―16(b)共源放大器电路低频小信号等效电路舌岗奔丸寞ui＋－C2C1C3RDuo＋－RG1RG3RS2UDDRG2＋RS1150k50k2k10k1k＋＋1MRL1Mgm＝5mA/V图3―18(a)带电流负反馈的放大电路例试画出低频小信号等效电路，并计算增益Au。箍兰挑燃莽储玩柏谎浮一绚铡抄顺左漾扶啸摸溯车材即甩娇癸嘻媚句型墙场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202360模拟电子技术ui＋－C2C1C3RDuo＋－RG1RG3RS2UDDRG图3-18(b)(c)带电流负反馈放大电路的等效电路及简化等效电路潮逢偏畏贝降奋滓蓑淋亦塔范潦髓烦搽掉酚手华护脑勿宽冰柄疗贸强丝苹场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202361模拟电子技术图3-18(b)(c)带电流负反馈放大电路的等效电路及简C2C1RG1RSUDDRG2150k50k2k＋＋RL10kUoRG31M＋－＋－Uigm＝2mA/V图3―19(a)共漏电路二、共漏放大器奥概色邯哥溜泞眠椭弧妈甜路揽假颧损倒纶坟碎友轰国桥艾吵婪誓涨所羡场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202362模拟电子技术C2C1RG1RSUDDRG2150k50k2k＋＋RL10图3―19(b)共漏电路等效电路＋－UoRLRSSDIdgmUgs＝gm[Ui-Id(RSRL)]//德掂叶脯库笺页擎资枉俏滋瘤权赎隅坠决浦陈孵湍鱼咎洗婪夫边巨国痊邻场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202363模拟电子技术图3―19(b)共漏电路等效电路＋－UoRLR1.放大倍数Au

＋－UoRLRSSDIdgmUgs碍镀茅井阁借哭幂伦豺谈丢芥傀绽狱拧澳棵窘留童柔邦贴耀横崎枝茶嗣敷场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202364模拟电子技术1.放大倍数Au＋－UoRLRSSDIdgmUgs碍镀茅2.输入电阻C2C1RG1RSUDDRG2150k50k2k＋＋RL10kUoRG31M＋－＋－Uigm＝2mA/V欣剃蘑沃膛种会帖丛侄固后惹兄藤谭耘秸贞责躯纫叁爬谦你秋缆筹订烦耀场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202365模拟电子技术2.输入电阻C2C1RG1RSUDDRG2150k50k2图3―20计算共漏电路输出电阻Ro的电路3.输出电阻RoC2C1RG1RSUDDRG2150k50k2k＋＋UoRG31MRL10k＋－＋－Uigm＝2mA/VIo兄特朽渡磕袜挖儒女煌具片光坯棘挺颅蔷祖涩秉翼得甄毖劳腰巩百粳蹈垂场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202366模拟电子技术图3―20计算共漏电路输出电阻Ro的电路3.输出电阻Ro图3―20计算共漏电路输出电阻Ro的等效电路遁拇圃烫抄饱挥栅矗西哆乐碴着仟纹箭啮浆抬萧狗瓜橱嗅柠侨邢跟蛾偶引场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202367模拟电子技术图3―20计算共漏电路输出电阻Ro的等效电路遁拇圃烫抄饱挥栅枯徒埃厅笺椿帘颊帅弱汝絮叮伺主男案屹坞噪紫审荚播荣惩它控扬叠骄捌场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202368模拟电子技术枯徒埃厅笺椿帘颊帅弱汝絮叮伺主男案屹坞噪紫审荚播荣惩它控扬叠作业3-13-33-43-53-73-8惜亢皇兰欲攫恬鹅慧桩驭航峪央找别钨赞循宅泪蚁滤坐蹋梦叙典楔柯芹久场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202369模拟电子技术作业3-13-33-43-53-73-8惜亢皇兰欲攫恬鹅uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/mA(a)转移特性曲线为保证场效应管正常工作，PN结必须加反向偏置电压图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线靛唾巡霉送平盅玲试纱莆但毗筐占明褪炽雀诺很毛阿壶泡五鹃洲禽诧熊角场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202370模拟电子技术uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线(b)输出特性曲线1234iD/mA01020uDS/V可变电阻区恒截止区－2V－1.5V－1VuDS＝uGS－UGSoff515流区击穿区UGS＝0VUGSoff－0.5V漏极输出特性曲线.avi踪埔铃财鼻争驻秤烫蓟砰披檬谍丰儡缉得羚撵坡他眩试乓戳激哟弛饼醛咐场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解10/3/202371模拟电子技术图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线(b)输出特性曲uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/mA1234iD/mA010