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文档简介

Word简单的NPN晶体管电路设计NPN晶体管的工作模型和结构三极管引脚由基极(B)，集电极(C)和发射极(E)组成。

简单的NPN（晶体管）电路

理解集电极电路路径和基级电路路径

1.小基极（电流）控制高集电极电流。S1开关闭合时。电流流经R1，（二极管）LED1到达晶体管的

基极。LED1亮起但非常暗淡。然后晶体管将放大低电流，以使电流流过集电极(C)到发射

极(E)。该集电极电流足够高，以使发光二级管LED2非常明亮。

2.当S1开关断开时。没有基级电流流动。因此，晶体管将切断集电极电流。两个LED都将熄灭。

NPN晶体管的工作模型和结构

NPN晶体管的内部结构，将其与二极管和可变（电阻器）进行比较。它可以帮助我们更轻松地理解

基级电流控制可变电阻

基极-发射极接头就像一个二极管。

仅当基极-发射极之间的VBE电压为0.7V(硅管)或更高时，基极电流IB才流动。

微小的基极电流(IB)控制着高集电极电流。

IC=hFE×IB

hFE(或者叫β，是一样的)，被称为共发射极电流放大系数，我们可以理解为是将基极电流的多少倍变成集电极电流的控制系数(因为是比率，所以没有单位)

集电极-发射极(RCE)之间的电阻由基础电流(IB)控制，

截至状态时：IB=0，RCE=无限值。晶体管(关闭)

饱和状态时：RCE=0。晶体管完全(导通)(饱和)运行

补充说明：

必须在基极上连接一个串联电阻。限制IB基极电流并防止损坏晶体管。

当晶体管饱和时，发射极-集电极电压VCE降至0V。

晶体管饱和，集电极电流IC由集电极电路中的电压，（电源）和外部电阻确定。

与晶体管电流增益无关。因此，饱和晶体管的IC/IB之比小于hFE电流增益。

发射极电流为IE=IC+IB，但IC远大于IB。

达林顿晶体管

如图所示，连接了两个晶体管。

这导致被第一个晶体管放大的电流被第二个晶体管放大。

当前增益等于它们各自的增益相乘：

达林顿晶体管对的电流增益hFE=hFE1×hFE2

(hFE1和hFE2是每个晶体管的增益)。

因此，达林顿晶体管具有很高的电流增益

因为达林顿对对流过我们皮肤的小电流非常敏感。因此，能够用于制造如图所示的触摸开关电路。对于此电路，请使用两个低功耗通用晶体管。当我们触摸它时，LE

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