第三讲器件仿真

光电子器件综合设计器件仿真本讲主要内容器件结构材料特性物理模型计算方法特性获取和分析2器件仿真流程00:13Silao学习3器件结构器件结构•怎样得到器件的结构？、工艺生成、TLAS描述、Dvdit编辑• 需要注意的情况除了精确定义尺寸外也需特别注意网格电极的定义（器件仿真上的短接和悬空）金属材料的默认特性devedit：thena之外的另一种可以生成器件信息的工具。功能:（1）勾画器件。（2）生成网格。(修改网格)既可以对用devedit画好的器件生成网格，或对athena工艺仿真生成含有网格信息的器件进行网格修改。为什么要重新定义网格？工艺仿真中所生成的网格是用来形成精确度掺杂浓度分布、结的深度等以适合于工艺级别的网格，这些网格某些程度上不是计算器件参数所必需的。例如在计算如阈值电压、源/漏电阻，沟渠的电场效应、或者载流子迁移率等等。Devedit可以帮助在沟渠部分给出更多更密度网格而降低其他不重要的区域部分，例如栅极区域或者半导体/氧化物界面等等。以此可以提高器件参数的精度。简单说就是重点区域重点给出网格，不重要区域少给网格。和工艺仿真的区别：devedit-考虑结果他不考虑器件生成的实际物理过程，生成器件时不需要对时间、温度等物理量进行考虑。athena-考虑过程必需对器件生成的外在条件、物理过程进行描述。TLAS描述器件结构TLAS描述器件结构的步骤meshegoneletodedoping材料特性材料的参数有工艺参数和器件参数材料参数是和物理模型相关联的软件自带有默认的模型和参数可通过实验或查找文献来自己定义参数物理模型物理模型物理量是按照相应的物理模型方程求得的物理模型的选择要视实际情况而定所以仿真不只是纯粹数学上的计算计算方法计算方法在求解方程时所用的计算方法计算方法包括计算步长、迭代方法、初始化策略、迭代次数等计算不收敛通常是网格引起的特性获取和分析特性获取和分析不同器件所关注的特性不一样，需要对相应器件有所了解 不同特性的获取方式跟实际测试对照来理解从结构或数据文件看仿真结果了解一下了解一下TLASTLAS仿真框架及模块仿真输入和输出Mesh物理模型数值计算二、半导体器件仿真软件使用本章介绍TLAS器件仿真器中用到语句参数。具体包括：1.语句的语法规则2.语句名称3.语句所用到的参列表，包括类型，默认值及参的描述4.正确使用语句的例学习重点（1）语法规则（2）用TLAS程序语言编写件结构1.语法规则规则1：语句和参数是不区分大小写的。A=a可以在大写字母下或小写字母下编写。abc=Abc=aBc规则2：一个语句一般有以下的定义格式：其中：

<语句><参数>=<值><语句>表示语句名称<参数>表示参数名称<值>表示参数的取值。间隔符号是被用来分离语句中的多个参数。解析：在一个语句后的参数可以是单词或者数字。单词可由字母和数字所组成的字符串。由空格（space）或回车araetun来终止。例：egon(K)egon(ong)数字可以是数字也可以是字符串也是由空格（space）或回车araetun来终止。例:3.16(K)3.16(ong)数字的取值范围可以从1e-38到1e38数字可以包含符号+或–或（十进制）例：-3.1415（OK）规则3:参数有4种类型aamerDescriptionalueequiredEampleaaerAyaaertrigeserial=silionrAywholersgio1LogialAreoralseonitionNoassianealAyealneresx.in0.1任何没有逻辑值的参数必须按AA=AL的形式定义这里ARA表示参数名称，AL表示参数值。包括：特性型，整数型，实数型参数（Chaace,Ieger，eal）而逻辑型参数必须和其他参数加以区分。例如，在语句：DINGUNIOMONCENTTION=1E16TYE中解析：Dopng是语句名称Unorm和pte是两个逻辑型参数，在程序内部对应了逻辑值OCENTIO=1E16对应的是一个实数型参数。每一个语句对应多个参数，这些参数代表了这个语句的某种属性，但都包含在4中参数之中。温馨提示：（1）命令缩减没有必要输入一个语句或参数名的全称。TLAS只需要用户输入足够的字符来区分于其他命令或参数。例：命令语句DP等同于doping，可以作为其命令简写。但建议不要过度简单，以免程序含糊不清，不利于将来调用时阅读。（2）连续行有的语句超过256个字符，为了不出现错误，TLAS语序定义连续行。将反斜线符号\放在一条语句的末尾，那么程序每当遇到\都会视下一行为上一行的延续。实例语句.通过实例学语句实例简介：此实例演示了肖特基二极管正向特性。大致分为三个部分（1）用tas句法来形成一个二极管结构（2）为阳极设置肖特基势垒高度（3）对阳极正向偏压#调用tas器件仿真器otas#网格初始化meshspae.mut=1.0#x方向网格定义x.mesho=0.00spac=0.5x.mesho=3.00spac=0.2x.mesho=5.00spa=0.25x.mesho=7.00spac=0.25x.mesho=9.00spac=0.2x.mesho=12.00spac=0.5#y方向网格定义.mesho=0.00spac=0.1.mesho=1.00spac=0.1.mesho=2.00spac=0.2.mesho=5.00spac=0.4#定义区域egonnum=1sion#定义电极elecrname=anodex.min=5enth=2elecrname=thodebot#....N-epidoping定义初始掺杂浓度dopingntypeon=5.e16unorm#....Guadrngdoping定义p环保护掺杂dopingptypeon=1e19x.min=0x.ma=3jun=1t=0.6aussdopingptypeon=1e19x.min=9x.ma=12junc=1t=0.6auss#....N+dopingdopingntypeon=1e20x.min=0x.mx=12op=2.boo=5uniomseoutf=diode.troyplotdiode.tr-setdiode.st#物理模型定义modelonmobfldmobsrhaugerbgn#定义接触电极类型oactname=anodeorf=4.97#偏压初始化solenit#数值计算方法mthodnwonogoutfie=diodex01.log#设置偏压求解soleanode=0.05ep=0.05vfinal=1name=anodeoyplotdiodex01.log-setdiodex01_log.stqut解析：（1）第一部分语句用来描述件，括网参数msh）,电极设置（eectodeltin）以及掺杂分布dopingditrbutio）这是一个具有重掺杂的浮动环状护区的二n类器件它分布在结构的左右两边。肖基阳在器顶端重掺的阴位于底端。（2）在器件描述之后，模型句被来定下列型：流子度、迁率场迁移、隙变窄、RH激发复模、Auer复合模型、双流子型（aris=2）。关键语句是设置肖特基触oactnam=<char>(char表示接触的名称，用英文符来示比如anodethode)orfa>(a表示变量参数，用来设置功函大小)这个语句是用来设置肖基电的功数的。在这个例子里面，因为底是和能41的类型，所定的功函数为4.9，这提供一个特基垒的度为..默认的势垒高度是0.（一个完美的欧姆接触）个条是为极假的。（3）电学仿真简单将阳电压间隔005V升10.语句和参数详解语句和参数详解主要包括三大部分内容（1）器件编辑语句egion、eectode、doping等（2）模型与环境设语句odesthod等（3）电学特性仿真句soe等#语句1仿真器调用命令语句调用tla器件仿真器需要用到o语句：otls解析：o用来退出和重新启动tla仿真器注意：这个命令是通过deckbuid来执行的meshmesh• 语句#2meh语句功能：esh定义网格信息。似于ten仿真中的e.语法规则：<n>SHOCTION=<n>[SCING=<n>]语句解析：此语句定义了网格线的位和间。状有esxesh.meselimine等参数解析：参数#1mesh：MSHINF=<trctuefilenae>导入由Dvdit创建器件构例如：mshifie=nmos.trmshspace.mult=<AUE>,网格控制,默认为1。定义网格时必须先使用句来始化格。参数#2：x.mesh和.me定网格置及间隔lie)x.eshloc=0.1spac=0.05•参数#3Elimine可以在TLAS生成的mesh基础上消除掉一些网格线，消除方式为隔一条删一条•可用参数有olmns,s,ix.l,ix.hih,i.l.l.hgh,x.min,x.mx,.in,.mx例如：Elmneolumnsx.in=0.2x.x=1.4.mn=0.2.mx=0.7Emine前Emne后#例1设置初始网格均匀分布，为微米meshspace.mult=1.0#例2设置x方向网格，从以间隔的x=00的位置渐变过渡到以为间隔的x=30的位置。这样可以根据需要设置多个网格。x.meshloc=0.0spac=0.5x.meshloc=300spac=02x.meshloc=5.0spac=0.5x.meshloc=7.0spac=0.5x.meshloc=9.0spac=0.2x.meshloc=1.0spac=05#例3设置y方向网格信息.meshloc=0.0spac=0.1.meshloc=1.0spac=0.1.meshloc=200spac=02.meshloc=5.0spac=0.4解析：以上建立了一个含有网格信息的微米×微米大小的区域。<n>.MSH定义沿着<n>方向的网格位置。注意：x,,z方向上定义是等价的。语法结构如下：X.MSHOCTO=<数值>SCING=<数值>Lotio定义了网格线的位置，Spacing定义了网格间隔。#语句3区域定义语句egionnu=1slon解析:egion语句定义了材料位置每一个三角形都必须定成一材料。语法结构如下：RGIONNUMBER=<n><eral>[<postion>]Number=<n>定义了一个区域的序，它以从到00.具有同一个区域序号的多重区域线条可以来定一个有多矩形征的域。<eral>是一种或多种材料的名字如slonsio2polslon等。<postion>是一个或多个位置参数。egionnu=1siionx.in=1.0x.x=12.in=0.5.m=5对于一个区域，可以指定其材料属性和位置坐标meshegionnu=1siionx.in=1.0x.=12.in=0.5.=5eginnu=2so2xin=0.0x=1.in=0.定义多个区域，可使用多个egon语句来完成。meshegionnu=1siionx.in=1.0x.=12.in=0.5.=5egionnu=2sio2x.in=0.0x.=1.in=0.=5egionnu=2sio2x.in=0.0x.=12.in=0.=1定义每个区域可以使用多条egon语句，只要保证区域标号一致即可。MTERIALS#语句3erals语句功能：语法规则：MTERIAL<区域参数><材料名称>材料参数>例句：mpactsebmeral=InGaAsan2=5.15e7ap2=9.69e7bn2=1.95e6\bp2=2.27e6mpactsebmeral=InPan2=1e7ap2=9.36e6bn2=3.45e6bp2=2.78e6meralmera=InGaAsagn=0.36eg30=0.75nc00=2.1e17\v300=7.7e18o=9.6e-11meralmeral=InPfinty=4.4algn=0.36eg300=1.35\nc300=5.7e17v300=1.1e19o=1.2e-10meralegon=1aun0=5.0e-10aup0=1.0e-9stn=2.5e7\mun0=4000mup0=200Meralaun0=1.e-9aup0=1.e-9.onmun=hex01_ierp.lbmeralalgn=0.6可选的材料材料参数材料参数•材料参数和物理模型的取有，常的参数及说明如下：373800:133900:13Silao学习40#语句4电极定义语句，其基本格式是#ELCTOENAME=<en>[UBER=<n>]<p>电极语句电极名称电极编号电极位置electrname=anodex.min=5lenth=2electrname=thodebt(系统默认是电极位置为opx.min=0x.mx=x.m)eectrnameanodexin=5lnth=2.in=0.=0.5eectrname=thodeboteectrnam=anodexin=5lnth=2.i=0.=0.5eectrname=thode.in=4.5.=5掺杂定义#语句5掺杂定义语句doping<ditrbutiontype><dopattype><oncettion><postion>掺杂语句掺杂形态定义掺杂类型定义掺杂浓度定义掺杂位置分布：unior,aussan,erc，具体设置还分为组1，Concettinandjunction2，Doseandchaacertic3，Concettionandchaacertic杂质类型：ntype,type位置：egion,x.mn,x.x,.in,.x,peak,junctio…例：#ptypedopingdopingptypeonc=1e19x.in=0x.=3junc=1t=0.6auss注：Doping句是来定器件构中掺杂布。对于一组dopin语句，每一语句都是在前语句的基上给出的，有叠加的效果。Dopin语句参数详解：1.解析分布类型参数介绍这些参数语句定义了tla将如从解函数生成个掺分布.（1）Gausian类型解析分布Gausian定义了高斯解析函数的使用来生一个杂分。如果ausin被定义了，那么下面的参数须被义。()极性参数Ntypetype(ii)下列分布定义之一：oncettion和junction浓度和结深oncention和chaactetic浓度和特性dos和chaacertic剂量和特性长度（2）Unior定义了使用常作为析函来生掺杂布。掺杂会通过边界参数被定在一b中这个的默值是个区域。同样如Unior被定义，那Ntpetype以及浓度参数都必须定义。2.掺杂物类型参数绍Atioy锑Asenc砷Boon硼Indium铟Phosphorus磷E.LEVEL设置了分立陷阱能级的能。对于acceos，是对应于导带边缘的。对于donos，是对应于带边的。NypeDonor定义了一n类型或oo类的掺物。此参数可以ausin或unior分布型联用。ypeAccepor定义一个p类型或accoer类型的掺物。参数可以与aussan或unior分布类型联合用。ap定义了掺杂浓度被处理陷阱密度。XChae定义了一个固定的氧化电荷布。化物荷只在任何绝缘物区域使用。3.垂直分布参数Concttion浓度定义了峰值浓度当高斯分布被使用时。如果此参数未被定义，峰值浓度会从极性参数，边界条件，计量，或电阻率，特征浓度中计算出来。当uniorm分布被定义，oncettion参数被定义为均匀掺杂浓度的值，浓度必须是正的。Dose剂量只适于高斯分布，定义了斯分布的剂量。Juntion结深定义了高斯分布的硅区域内p-n结的位置。juncion被定义了，caaceriticlet会通过在常数矩形区域的终点之间的一个迭代中点检测掺杂浓度而计算出来。Juntion的位置只是通过考虑所有前面掺杂语句信息来估算的，这意味着某些情况下，doping语句的顺序是很重要的。CHARCTERISIC定义了注入物的基本特征长。如此参未被义，本特征长度可以从极性参数边界件参、浓和结数中得。dopingntypeonc=5.e16uniormdopingptypeonc=1e19.i=0.=0char30aussdopingntypeonc=1e19.in=300.m=300char=30aussDoping例句Doping例句均匀掺杂dopinguniormonc=1e16ntypeegion=1高斯分布dopingegion=1aussanonc=1e18peak=0.1chaacertic=0.05\ptypex.ft=0.0x.igt=1.0dopingegion=1aussonc=1e18peak=0.2junct=0.15从文件导入杂质分布dopingxin0.0xx1.0.in0.0.x1.0ntypeasci\ifie=oncdaotlasmshspace.mul=1.0x.eshloc=0.00spac=5x.eshloc=12.00spac=5.eshloc=0.00spac=1.eshloc=30pace=5.eshloc=270.00spac=5.ehlc=300.00spacegionnu=1siionx.in=0.0x.=12.in=0.0.=300eectrname=anodeopeectrname=thodebotdopingntypeonc=5.e16uniormdopingptypeonc=1e19.in=0.=0char=30aussdopingntypeonc=1e19.in=300.x=300char=30aussseoutf=diodex01_3.trsoeinitmthodnwonlogoutfie=diodex01_1.lgsoeanode=0.0ep=0.5vfinal=100nam=anodequitDoping例句eak定义了高斯分布中峰浓度深度置。dopingntypeonc=5.e16uniormdopingptypeonc=1e19peak=20char=30aussdopingntypeonc=1e19peak=280char=30aussDoping例句Doping例句4.水平方向扩展参数类型X.MinX.Mx.Min.xZ.MinZ.Mx用以定义矩形边界。X.LftX.mn用以定义左侧边界X.RigtX.Mx用以定义右侧边界op..Min用以定义上方边界.Boom.Mx用以定义下方边界Z.BackZ.Min用以定义后方边界Z.FotZ.Mx用以定义前方边界5.水平方向分布参数类型LtChar定义水平（x方向）特征长度，如果不定义此长度则通过下列公式计算LtChar=Rto.Leal*Char其中Char是y方向上的特征长度，Rto.Leal是x方向与y方向的特征长度比例系数）dopingntypeonc=5.e16uniormdopingptypeonc=1e19x.in=0x.=3char=20lt.char=0.1auss改变lt.char分别为0.1、1、5、12对水平方向掺杂分布的影响如图所示6.ap（陷阱）参数GION指定对哪个区域进行陷阱参数设置，系统默认对所有区域进行设置。E.LEVEL设置分立陷阱能级，对于aceos,E.LEVEL在导带附近对于donos，E.LVL在共价带附近。DGEN.C定义了陷阱能级的退化因子，用来计算密度。SIGN、SIGP定义了对于电子或空穴的陷阱捕获横截部分（atueossseton）UNU定义了陷阱能级中的电子寿命和空穴寿命。#语句6se输结构结果保存语句，其基本格式为VEOTFLE=<filename>seotf=diodex0_0tr#语句7oyplot输出文件绘制语句oyplot*trst*st界面特性语句#7界面特性定义语句Ierac定义界面电荷密度m-）和表面复合速率，sn和sp分别为电子和空穴的表面复合速率。（1）界面默认类型为半导体-绝缘体界面，或半导体-半导体之间的区域、半导体的边界区域（2）S.S，S.M，SC，为界面模型应用在半导体-半导体界面，半导体-金属界面，半导体-导体界面ierace.=0.1qf=−1e11ieracex.in=−4x.x=4.in=−0.25.x=0.1qf=1e11\s.n=1e4.p=1e4•界面定ieace*界面态的定义（必须ierace与itap一起使用）eraces.shae=-5e14therminictunnelx.min=9x.ma=14.min=2.5\.min=2.502taps.se.el=1.61aceordensty=5e14deen=1sgn=7e-16\sigp=6e-16上例erace语句定义了在指定的半导体异质结界面存在5e14的界面电荷，其电子输运机制为thermion&tunne两个模型。tap语句定义了在指定的半导体异质结界面的界面电荷起受主作用在禁带中引入的能级位置在导带下1.61eV处，且该受主能级的简并度为1，对电子和空穴的俘获截面各为7e-16和6e-16。aceo—-5e14—e.el以导带为参考donor—+5e14—e.el以价带为参考*界面固定电荷的定义INTECEQF=3e10X.MIN=1.0X.MAX=2.MIN=0.0.MAX=0.5•体内陷阱的定taptapmeral=Sione.el=0.9donordensty=1e13deen=1sgn=5e-13\sigp=5e-13物理模型#语句8模型选择语句物理模型分为五大类：1.迁移率模型2.复合模型3.载流子统计模型4.碰撞离化模型5.隧道模型物理模型由状态modes和mpat指定• 推荐的模型MOSFEs类型：h，cvt，bgnBJ，tyros等：Klarh，kaaug，ka，bgn击穿仿真：Ipact，seb例句：ModelbgnfldmobModelsconmobfldmobsrhaugertemp=300printIpactsebCoact• #语句9接触特性定义oact默认情况下：金属半体接为欧接触所以需要姆接特性电极需定义接触特性。只要定义了功函数则为是特基触（者功数相时变欧姆触）eg：ONCTNAM=eORKFUNCTION=4.8用户可以用材料名来代功函的定（AIU,N.POSILON,.POSILIO,TUNGTN,和T.DISIICD）：eg：ONCTNAM=eN.POSILIONAUINU和重S的触为姆接，此若定功函则是误的：eg：ONCTNAM=eAUINUM/*wong*/定义肖特基接触的势垒和极子低的垒高：eg：ONCTNAM=anodeORKFUNCIO=49ARIERLPA=1.0e7势垒降低系数设为1m•设置电流边界条件oacte：oactname=thoecuret\主要用在击穿特性的模拟中•外部电阻，电感和电容定义oacteg：ONCTNAME=dainRSISANCE=00\CACIANCE=0e-2INDUCANCE=1e-6在漏极并联一个5Ω的阻，pF的容和H的电感注意：在二维模拟器中由于方向默认为1，所以默认的电阻位Ω∙，单位为/，电感单为：H∙。g：ONCTNAME=ouceON.RSIANE=.1。定义了电极接触的分布电阻001Ω∙c2。

ON.RSANE和RSISANCE时使。•浮动接触定义oact应用于两种情况1EEO和其编程件；、功器件的浮动场板eg：ONCTNAME=eFTING将名为e的电极定义为浮动电，并将在电极默认用电荷边界条件。eg：OCTNAM=danCENT对于直接金半接触的浮动电极，不能用参数”FTING“，这种情形需要将该电极定义为电流边界条件，并在之后的oe语句中将其电流设0。eg：ONCTNAME=dainRSIT=1e20在电极上设置一个很大的电阻，这样一来流过该电极的电流会非常小，也就相当于浮动电极。•电极短路oact除了定义同样的电极名外oactname=base1ommon=base是电极短接的另一种办法。eg：ONCTname=base1OMN=baseCO=0.5上例中Vbase1=Vbase+0.5eg：ONCTname=base1OMN=basemultCO=0.5上例中Vbase1=Vbase0.5注意：以上两例对电流边界条件不适用如果从ANTHENA或DVEIT导入的结构中已有电极名称的定义，TLAS将会自动对其进行短接，并沿用已有的电极名。•电极开路oact1、删除要开路的电极2、在需要开路的电极上并接一个极大的外电阻3、先将需要开路的电极有设成电流边界条件，然后再将流过该电极的电流值设得很小或为0。#语句10命令执行语句sole语句介绍：sole是命令tas在一个或多个偏压点（biaspoit）进行求解的语句solenit解析：ni是初始化（nia）参数，表示将所有电压归零。对于指定结构，如果在初始偏置点没有标明这个参数，系统将自动赋予这个参数。求解方法•#语句11数值方法选择语句mthod解析：TLAS仿真半导体器件是基于对~6相互联的线性微分方程的求解TAS在每格点这组程进数值算得器件特性。1、gumelGume迭代法收敛慢，但能容忍粗糙的始假值；Gume迭代法不能用于含有集总元或电边界件情的求；默的Gume迭代式阻尼的，可将参数li设置成负值或零让代成非阻的；Gume迭代时的线性oison求解的数目限制，这导致势更新时的弛豫不足。“sngl-oison”求解模式扩展Gmme迭代方法的应用范围,这在小电流ipoa仿真和MOS饱区的真上有用。使用方法thodsngleposon求解方法求解方法2、nonNwon迭代法每一次的迭代将线性问题性化理，散化的“尺寸”较大，则需的间也变长如果始假很成功的话，就能很快得到收，且果比满意。Non迭代法是TAS计算漂-扩散默认。外还其他的计算需要采用Nwon迭法，如扫描，瞬态描curetacing，频域的小信号分。Nwon-Richadson迭代法是Nwon迭法的体，收敛慢时它会计算新的系数矩。Mthd的数设为auor时会自采用Nwon-Richadson迭代法。如果经过很多步才能收敛，题可来自：网定义高宽比或宽高比很大的三角太多，耗区扩到已义为姆接触的地方，初始假设值很。3、block在含有晶格加热或能量平衡程lock迭法很用。lock迭代法计算一些由不同程按通顺组成子方组。在不等温的漂-扩散仿真时指lock迭代，则won迭代法将更新电势和掺杂浓，去之后算热方程。都包含热流方程和载流子温方程lock迭代将首计算最初的温度，然后将晶温度耦之进行代。4、组合迭代有时需要nwon迭代、guml迭代和block迭组合用。可以先用gume迭代法，一定计步数不收时再为采用nwon迭代或block迭代计算Gume迭代的次数由数gum.nit设定。在包含晶格加热或能量平衡算时可以采lock迭法，然后用nwon迭代法，block代的数上用nbockit设置。5、例句基本漂移扩散计算：Mthodgumelnwon晶格加热时的漂移扩散算：Mthodblocknwon能量平衡计算：Mthodblocknwon计算的载流子数，默认2也可是或。载子类eec和hole分别表示电子和空穴载流类型置为时可以设为eec或hol。载流子类型设置0，将要得电势布的仿真结果。Mthodaris=2Mthodaris=1eec或Mthodaris=1holeMthodaris0求解求解•Sole、log和oyplot初始化偏置：soeinit设置偏压：soeanode=10使用前面的最终结果：soepvous电压扫描：soeanode=0vfinal=10ep=0.1name=anode电流扫描：soeinode=0ifna=10iep=0.1nameanode还有瞬态，交流小信号特性扫描。Curtace扫描，用于多值特性的扫，二击穿pnp栓锁特性等。curtaceanodebegal=0ep.init=1\nxtt.ti=1.39incur=1e-12enda=1e-2cur.otlogoutfil=t.logsoecurtaceoyplotlt.log结构文件的保存：outputband.paambandepon.bandal.bandsoeinitoutf=lt.trmaer/保存tla标准文件格式oyplotlt.tr#sleanode=0.5ep=0.5vfinal=1name=anodeoyplotdiodex01logstdiodex01_lo.etquit结果保存结果保存#语句13运行数据结果保存语句语句介绍：输出结构结果保存语句lo是来将序运后所算的有结果数据保存到一个以log扩展名结尾文件中的一语句。soe语句中运算后所得到的果都保存其中。logoutfil=diode01.lgLoad从中导入前结果作后的或其点初始假值。Se将所有结点的信息保存到输出文。ladin1fiefienaein2fi=flnamesoeoutfil=so.trmaer语句汇总语句汇总语句汇总：Coact设置接触类型Dopng设置掺杂类型Eectode设置电极Go仿真器调用Log定义输出数据文件语句Meral定义材料类型Mesh定义初始化网格信息Mthod设置数值方法Mobty设置迁移率模型Models选取仿真模型Quit程序退出语句egon定义区域语句Se结构文件保存语句Soe求解语句oyplot绘图语句X.MSH.MSHZ.SH定义x,方向网格语句光电特性仿真光电特性仿真#语句：BAM光电特性仿真主要是要加光照，定义光束用BAM其主要参数有，方向参数、波长、