硅材料的分类与制备课件

13九月2023硅材料的分类与制备31七月2023硅材料的分类与制备1固体材料：超导体:大于106(cm)-1 导体:106~104(cm)-1半导体:104~10-10(cm)-1

绝缘体:小于10-10(cm)-1？什么是半导体从导电特性和机制来分：不同电阻特性不同输运机制半导体掺入某些元素的微量原子能灵敏改变其导电性。温度、光照、压力等外界因素会使其导电能力大增。2固体材料：超导体:大于106(cm)-1？什么是半导体从2硅的原子最外层有四个电子，每个原子和邻近的四个原子以共价键结合，组成一个正四面体。每个硅原子可以看成是四面体的中心（金刚石结构）。金刚石结构2.1重要的半导体材料——硅3硅的原子最外层有四个电子，每个原子和邻近的四个原子以共价键结3

用扫描隧道显微镜观察到的硅晶体表面的原子排列

硅材料是当代电子工业中应用最多的半导体材料，它还是目前可获得的纯度最高的材料之一，其实验室纯度可达12个“9”的本征级，工业化大生产也能达到7～11个“9”的高纯度。

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硅材料是当代电子工业中应用最多42.2硅材料的分类1、按形态分：薄膜型：淀积在玻璃、钢片、铝片等廉价衬底上，所用的硅材料很少。体材料（块状硅）：通常以硅片形式出现单晶硅片（晶圓）52.2硅材料的分类1、按形态分：单晶硅片（晶圓）552、按纯度分：名称英文缩写杂质总含量主要用途合金级硅AG-Si1N炼合金冶金级硅MG-Si2N炼合金及化工等太阳级硅SOG-Si～6N太阳能电池等半导体级硅（电子级）SEG-Si（EG-Si）＞9N半导体芯片等随着纯度上升，成本呈指数上升62、按纯度分：名称英文缩写杂质总含量主要用途合金级硅AG-S63、按结构分：单晶硅：所有的硅原子按一定规律整齐排列，结构完全是金刚石型的。长程有序多晶硅：有众多小晶粒，排列方向不同。非晶硅：短程有序，长程无序各种硅材料的电子迁移率73、按结构分：单晶硅：所有的硅原子按一定规律整齐排列，结构完7单晶硅锭及硅片非晶硅及多晶硅8单晶硅锭及硅片非晶硅及多晶硅88上述3种分类一般要综合，例如：非晶硅薄膜多晶硅薄膜单晶硅锭（片）多晶硅锭（片）半导体级的硅才能制成单晶硅，太阳级硅则只能制成多晶硅锭，非晶硅一般以薄膜形式出现。9上述3种分类一般要综合，例如：99

2.3硅材料的制备由于硅的纯度对芯片或太阳电池有很重大的影响，所以工业生产要求使用高纯硅，以满足器件质量的需求。在硅材料的提纯工艺流程中，一般说来，化学提纯在先，物理提纯在后。原因是：一方面化学提纯可以从低纯度的原料开始，而物理提纯必须使用具有较高纯度的原料；另一方面是化学提纯难免引入化学试剂的污染，而物理提纯则没有这些污染。概况由硅石粗硅高纯多晶硅（纯度在99.9999999％以上）单晶硅10

2.3硅材料的制备10101．粗硅的制备

粗硅又称工业硅或结晶硅（冶金级硅），纯度在95％99％。这种硅是石英砂在电炉中用碳还原方法冶炼而成的。反应要点：高温1600℃1800℃原因：SiO2(s)十2C(s)＝Si(s)十2CO(g)粗硅中杂质多，主要有Fe、Al、C、B、P、Cu等，其中Fe含量最多。可用酸洗法初步提纯，高纯硅还需进一步提纯。111．粗硅的制备11112．多晶硅的制备

由粗硅合成SiHCl3（改良西门子法）或SiCl4或SiH4中间体，精馏提纯后，用氢气还原或热分解而制得多晶硅

三种方法各有特点，改良西门子法是当前制取多晶硅的主要方法

SiHCl3的制备多用粗硅与干燥氯化氢在200℃以上反应Si十3HCl==SiHCl3+H2

除生成SiHCl3外，还可能生成SiH4、SiH3Cl、SiH2Cl2、SiCl4等各种氯化硅烷，其中主要的副反应是2Si十7HCl＝SiHCl3十SiCl4十3H2122．多晶硅的制备1212

SiHCl3性质又称硅氯仿，结构与SiCl4相似，为四面体型。SiHCl3稳定性稍差，易水解SiHCl3十2H2O==SiO2十3HCl十H2

注意要点(1)合成温度宜低，温度过高易生成副产物。常加少量铜粉或银粉作为催化剂(2)反应放热，常通入Ar或N2带走热量以提高转化率(3)须严格控制无水无氧。因SiHCl3水解产生的SiO2会堵塞管道造引起事故。而氧气则会与SiHCl3或H2反应，引起燃烧或爆炸13SiHCl3性质又称硅氯仿，结构与SiCl4相似，为13

SiHCl3的提纯精馏利用杂质和SiHCl3沸点不同用精馏的方法分离提纯多晶硅的制备精馏提纯后的SiHCl3用高纯氢气还原得到多晶硅SiHCl3十H2==Si十3HCl上述反应是生成SiHCl3的逆反应。反应得到的多晶硅还不能直接用于生产电子元器件，必须将它制成单晶体并在单晶生长过程中“掺杂”，以获得特定性能的半导体。14SiHCl3的提纯14143、单晶硅的制备

多晶硅主要产品有棒状和粒状两种。制备单晶硅，一方面是晶化（让硅原子排成金刚石结构），另一方面也有提纯作用（分凝效应）。区熔(FZ)法直拉法(CZ)：将多晶硅融解后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的8寸硅晶棒，约需2天半时间长成。区熔单晶硅(FZ-Si)主要用于制作电力电子器件(SR、SCR、GTO等)、射线探测器、高压大功率晶体管等；直拉单晶硅(CZ-Si)主要用于制作LSI、晶体管、传感器及硅光电池等。

浇注多晶硅、淀积和溅射非晶硅主要用作各种硅光电池等。153、单晶硅的制备1515拉单晶16拉单晶16162.4多晶硅材料相关产业链产品

金属硅三氯氢硅多晶硅单晶硅棒硅片半导体产品

有机硅高纯氯硅烷四氯化硅高纯石英

硅酸乙酯

气相白碳黑

光纤棒

太阳能电池用硅片太阳能电池

光纤改良西门子法多晶硅铸锭副产品芯片制造及封装172.4多晶硅材料相关产业链产品金属硅三氯氢硅多晶硅单晶17半导体用硅材料产业链

电子级高纯多晶硅单晶硅硅圆片硅抛光、外延片IC芯片电子整机产品IC封装18