第七章-金属和半导体的接触教学课件_第1页
第七章-金属和半导体的接触教学课件_第2页
第七章-金属和半导体的接触教学课件_第3页
第七章-金属和半导体的接触教学课件_第4页
第七章-金属和半导体的接触教学课件_第5页
已阅读5页，还剩68页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

第七章金属和半导体的接触Metal-SemiconductorContact主要内容(三大点,约10课时)1、金属与半导体形成的肖持基接触和欧姆接触,阻挡层与反阻挡层的形成;2、肖特基接触的电流一电压特性扩散理论和热电子发射理论,即肖特基势垒的定量特性;(详细阐述)3、欧姆接触的特性。§771金属半导体接触和能级图概述:1在微电子和光电子器件中,半导号体材料和金的,如MOS器件、肖特基二极管、气体传感器等。薄膜技术及纳米技术的发展,使得界面接触显得更加重要。2MESFET(metal-semiconductorfield-effecttransistor)具有与MOSFET相似的电流一电压特性,但在器件的栅(gate上电极部分利用金属半导体的整流接触取代了MOSFET的MOS结构;用欧姆接触取代MOSFET的p-n结。3、第一个实际的半导体器件就是点接触整流性的金半接触,就是将细须状金属压在半导体表面。从1904年起,该器件有许多不同的应用。1938年,Schottky提出其整流作用,可能由半导体中稳定的空间电荷区所产生的电势能差引起的由此所建立的模型称肖特基势垒(Schottkybarrier).4、两个要点:①功函数和禁带宽度的不同金属/半导体接触能带图的变化②肖特基接触的整流特性即电流一电压IV特性二、金属和半导体的功函数WmW、金属的功函数Wm表示一个起始能量等于费米能级的电子,由金属内部逸出到表面外的真空中所需要的最小能量甲:W=E-(EEE0为真空中静止电子的w能量,又称为真空

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论