大学单片机及接口课程第5章-存储器

第5章：半导体存储器本章基本要求： 1、存储器基本概念 2、RAM、ROM存储器工作原理- 3、51单片机系统外部存储器的连接*概述存储器是计算机的主要组成部分，它使计算机具有记忆功能。能将数据和程序存入计算机，使之脱离人的干预自动工作。70年代的存储器大多采用磁芯存储器，其速度比CPU慢几个数量级。且体积大，成本高。无论是体积上还是成本上，都是计算机的主要组成部分。计算机工作者在存储器的速度、体积、成本和容量上做了大量工作，解决了很多矛盾，成功地研制出今天的半导体存储器。单极性MOS存储器分类双极性存储器有TTL、ECLMOS存储器按工作特点、作用以及制造工艺可分为：MOS存储器RAMROM动态DRAM静态SRAMRandomAccessMemory掩膜ROM—ReadOnlyMemory现场可编程PROM—ProgrammableROM可擦可编程EPROM—ErasablePROM电可擦可编程E2ROM—ElectricallyEPROM闪速存储器—FlashMemory

AT89C51/52AT89C1051/2051易失非易失程序存储器数据存储器MCS-15存储器系统配置一、程序存储器MCS-51最小系统8051/8751内部有4KROM/EPROM8052/8752内部有8KROM/EPROMMCS-51最大系统：可寻址64KB单元容量不够时就要扩展片外程序存储器二、数据存储器MCS-51最小系统MCS-51最大系统：可寻址64KB单元容量不够时就要扩展片外数据存储器RAM（I/O）51子系列内部只有128BRAM52子系列内部只有256BRAM系统的扩展设计:存储器I/O接口5.1 半导体存储器基础5.1.1 存储器的分类5.1.1 存储器的分类1.RAM读/写存储器

SRAM静态随机读/写存储器DRAM动态随机读/写存储器2.ROM

掩模ROM出厂时程序已经写入，不能修改。PROM可编程只读存储器EPROM可擦写PROM3.新型存储器

OTPROM一次可编程只读存储器FLASH存储器快擦写存储器FRAM非易失性铁电存储器5.1 半导体存储器基础5.1.2 存储器的技术指标1、存储容量：是指存储器能够存储信息的容量。可以表示为： 存储容量=字数×字长2、最大存取时间：是指CPU从存储器里读或写一个数据所需要的最大时间。3、存储器功耗4、可靠性和工作寿命5、集成度5.1 半导体存储器基础5.1.3 存储器的结构 可以分为单译码和双译码编址存储器两类。 注意： ① 存储器引脚的种类。 ② 存储器容量与引脚的关系。 ③ 存储器操作的概念：地址信号、地址译码、 数据输入与输出信号。 ④ 存储器读写操作过程。5.1 半导体存储器基础1、单译码编址存储器 如图：注意地址译码器、存储器阵列。5.1 半导体存储器基础2、双译码编址存储器 如图：注意它的译码与选中单元的过程。5.2 只读存储器ROM 特点：存放的信息是固定的，不会随停电而丢失。在使用过程中，其信息只可以读取，不可以改写。 常用的ROM种类有： 1、掩模ROM，由制造厂家写入信息。 2、PROM，由用户一次性写入信息。 3、EPROM，多次可改写ROM，可由用户使用紫外线灯擦除再次写入信息。 4、EEPROM，可用电脉冲擦除，并再次由用户写入信息。5.2 只读存储器ROM ROM应用举例： 以2764为例。 1、内部结构：如下图。 2、引脚分类和功能。强调：CE的作用。常用的EPROM芯片为：276427128272562751212345678914131211102325262728242221201816151719VPPA12A7A6A5A4A3A2A1A0Q0Q1Q2Q3Q4Q5Q6Q7GNDA10A9A8A11NCVCCCEOEPGM地址输入线A0～Ai三态数据线D0～D7片选线读出选通线编程脉冲输入线编程电源线工作电源线2764、27128、27256、27512等地线8K816K832K864K8A0～Ai：地址输入线，i=12～15Q0～Q7：三态数据线，读或编程校验时为数据输出线，编程时为数据输入线。维持或禁止时，呈高阻态

CE：片选线OE：读出选通线PGM：编程脉冲输入线VPP：编程电源线，其值因芯片型号和制造商而异VCC：电源线，接+5VGND:接地线常用D0～D7表示常用EPROM芯片的技术指标：型号2764271282725627512容量（KB）8163264引脚数28282828读出时间200200200200最大工作电流75100100100最大维持电流35404040nSmAmAEPROM的操作方式有：编程方式：把程序代码固化到EPROM中编程校验方式：读出EPROM的内容，校对编程操作的正确性读出方式：CPU从EPROM中读出指令和常数维持方式：数据端呈高阻编程方式：用于多片EPROM并行编程EPROM写入器读

001VCC

5vDOUT禁止输出011VCC

5v高阻维持1

××

VCC5v高阻编程010***DIN编程校验001***DOUT引脚方式CEOEPGMVPPVCCQ0～Q7编程禁止1

××

***高阻2764A和27128A的操作方式5.3 随即存取存储器RAM 1、特点：存储单元的内容可在操作中随时读写操作，其信息会随停电而丢失。 常用的RAM有：动态和静态两类。 2、RAM举例：以6264为例。下图为其内部结构。5.3 随即存取存储器RAM 6264引脚说明：注意CS的作用。常用数据存储器芯片常用的静态RAM芯片为：6264621286225612345678914131211102325262728242221201816151719NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2D3D4D5D6D7GNDA10A9A8A11CS1VCCCEOEWE地址输入线双向三态数据线片选线读出选通线写允许信号输入线电源线静态RAM芯片6116、6264、62128、62256等2KB8KB16KB32KB地线11根13根14根15根D0～D7：三态数据线CE：片选线OE：读出选通线WE：写允许信号输入线VCC：电源线，接+5VGND:接地A0～Ai：地址输入线，i=10（6116），i=12（6264）i=13（62128），i=14（62256）上页下页回目录常用静态RAM芯片的技术指标：型号611662646212862256容量（KB）281632引脚方式CEOEWED0～D76116/6264/62128/62256操作方式读001输出DOUT维持1

××

高阻三态写010输入DIN5.4 51单片机与外部存储器的连接5.4.1 51外扩存储器应注意的问题 这些问题也是连接外部存储器时应很好掌握的重要概念。①选取合适的存储器芯片：芯片的存储性质、芯片的容量、芯片的工作速度等。②存储器空间地址的分配：确定各类芯片在存储空间占用的存储地址。③确定芯片译码方式：片内译码、芯片译码。全译码方式、部分译码方式、线选译码方式。④存储器与单片机连线的种类及要求，重点是三总线的结构。MCS-51系统扩展功能进行系统扩展时，单片机的引脚可构成三总线结构1、片外三总线结构ALEP3.1P3.2P3.3P3.4P3.5P3.6P3.7P3.0EAPSENRST803180518751VccVssP1口P2口P0口373GE+5VA0~A7A8~A15D0~D7I/OXTAL1XTAL2RXDTXDINT0INT1T0T1WRRD控制总线CB数据总线DB地址总线AB上页下页回目录CPU微处理器RAMI/OROMCBUSDBUSABUSCBUS：控制总线，方向不确定DBUS：数据总线，双向三态ABUS：地址总线，单向三态利用三总线可方便的进行系统的扩展设计:……⑴地址总线AB（A0~A15）宽16位片外寻址64KB⑵数据总线DB（D0~D7）宽8位⑶控制总线CB系统扩展用的控制总线有：PSENEAALERESETRDWR地址总线由P0口提供地址低8位。地址总线由P2口提供地址高8位P0口是地址/数据复用线，在地址有效时，ALE↓锁存到片外地址锁存器保存;数据总线由P0口提供，该口为三态双向口。P0的驱动能力：驱动8个TTL门P1

、P2、

P3的驱动能力：驱动4个TTL门2、总线驱动能力单向总线驱动器74LS244双向总线驱动器74LS245当应用系统规模过大，超过总线的驱动能力时，系统不可能可靠工作，此时应加总线驱动器。PSEN片外取指（片外程序存储器读）信号输出端ALE地址锁存信号。用↓锁存P0口的低8位地址RD/WR用于片外RAM的读写控制，执行MOVX时，这两个信号，在P3.7/P3.6上自动产生3、常用的地址锁存器常用的8位地址锁存器有：74LS373、74LS273、828274LS373是一种输出带有三态门的8D锁存器1D～8D1Q～8QGE1Q～8Q74LS373结构原理图输入控制端输出允许端E1Q1D2D2Q3Q3D4DGND4Q74LS37312345678910141617181915131211208Q8D7D7Q6Q6D5DG5QVCC引脚图A0～A7P0.0～P0.7ALE1D～8D1Q～8QGE电路连接图74LS37374LS373的功能表EG功能01直通（Qi=Di）00保持（ Qi保持不变）1×输出高阻工作原理：输入控制端G“1”输出和输入端数据相同“0”（1D～8D）数据锁入（1Q～8Q）三态使能端E“1”三态门输出呈高阻三态门开放,其输出为锁存器的输出“0”4、常用的地址译码器常用的地址译码器是：3-8线译码器74LS138双2-4线译码器74LS13974LS13812345678910141615131211ABCG2AG2BG1GNDY7Y6Y4Y3Y2Y1Y0Y5VCC8个输出端3个选择输入端3个允许输入端Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y7Y6111111111111111111111111111111110111111110111111110111111110111111110111111110110110110100100100100100100XX

000001011010X010101CBAG2BG2AG1100110

11111101100111

11111110输入输出74LS138译码器真值表禁止允许74LS139123456789101416151312111个允许输入端2个选择输入端4个输出端1A1BGND1G1Y31Y21Y11Y02Y32Y22Y12Y0VCC2A2B2G输出输入GB

AY0Y1Y2Y31XX1111000011100110110101101001111074LS139译码器真值表5.4 51单片机与外部存储器的连接使用三总线进行扩展5.4 51单片机与外部存储器的连接

几个重要概念及地址译码方式①分清地址线：片内地址线、片选地址线；②片内地址线的接法：直接与系统的地址线相连。③片选地址线的接法：可用全译码方式、部分译码方式连接。④用地址译码电路产生芯片的选通信号。通常这种选通信号采用集成译码电路产生。5.4.2程序存储器扩展设计一、外部程序存储器操作时序PSEN片外取指（片外程序存储器读）信号输出端ALE地址锁存信号。用↓锁存P0口的低8位地址MCS-51单片机访问外部ROM，使用的控制信号为：操作时序的两种情况：⑴不执行MOVX指令时⑵执行MOVX指令时ALEPSENRD/WRP2PCH输出PCH输出PCH输出PCH输出P0指令输入指令输入指令输入指令输入PCL输出PCL输出PCL输出PCL输出PCL输出有效PCL输出有效PCL输出有效外部程序存储器操作时序（a）

（a）不执行MOVX指令时第一个机器周期第二个机器周期由图可见：P2口用于送出PCH信息P0口用于送出PCL信息和输入指令一个周期内，ALE脉冲两次有效。一个周期内，PSEN脉冲两次有效。PSEN低电平期间将指令读入单片机ALE↓将P0口上的低8位地址锁存到地址锁存器PCL输出有效DPL输出有效PCL输出有效OSCALEPSENP1P2P1P2P1P2P1P2P1P2P1P2S1S2S3S4S5S6机器周期P1P2P1P2P1P2P1P2P1P2P1P2S1S2S3S4S5S6机器周期P2PCH输出DPH或P2输出PCH输出RD/WRP0指令输入指令输入PCL输出地址输出数据输出PCL输出数据输入外部程序存储器操作时序（b）

（b）执行MOVX指令时RDWR由图可见：访问片外RAM不用PSEN改用RD/WR，此时P0口为数据线读到的指令为MOVX指令（单字节双周期指令）时在下一个ALE↓到来时，通过P0口、P2口送出要访问的片外RAM的地址在第二个机器周期，当RD/WR有效时，实现对这一单元的读写ALE↓CPU通过P0口、P2口送出待访问的地址，因P0还要复用为数据总线，低8位地址有地址锁存器锁存P0复用口地址/数据数据地址数据指令PCDPTR三、程序存储器扩展设计程序存储器设计要点：⑴外部程序存储器的操作时序，以及所使用

控制信号的作用⑵找出8031和存储器芯片之间引脚接线的对

应关系，将其相应的数据线、地址线和控

制线正确连接⑶地址译码选择集成度高的芯片，若需多片则应选择容量相同的芯片，以简化电路的设计。选择片选信号A6A7A5A0A1A2A3A4A13A8A9A10A11A12Q1Q0Q2Q7Q6Q5Q4Q3VccGNDVPPOECE271281D2D3D4D6D5D8D7D1Q2Q3Q4Q6Q5Q8Q7QGEVccGND+5V74LS373P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7P2.0P3.1。。。P3.7P3.0P1.1。。。P1.7P1.0XTAL1XTAL2VccEAALEPSEN8031VSS+5V1、线地址译码法扩展16KBEPROM=0线地址0000H3FFFH～4000H7FFFH～=0=1P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7P2.01、线地址译码法扩展16KBEPROMA6A7A5A0A1A2A3A4A13A8A9A10A11A12CE0×000000000000000×11111111111111基本地址范围：0000H～3FFFH重叠地址范围：4000H～7FFFH结构特点：地址范围：⑴EPROM由PSEN进行读选通控制，8031的EA接地⑵

用一根线(P2.7)去选择芯片，P2.7=0，选中该片⑶P2.6悬空产生地址重叠271288031EA。。。P0.7P0.0P2.6P2.5P2.4P2.3P2.2P2.1P2.0P2.7ALEPSEN80311D～8DGE1Q～8Q74LS373Q0～Q7CEOEA0～A122764⑵Q0～Q7CEOEA0～A122764⑴Q0～Q7CEOEA0～A122764⑶74LS1392Y32Y22Y12Y0VCC2A2B2GGND+5VA0～A7A8～A12D0～D7片选0片选1片选20000H～1FFFH2000H～3FFFH4000H～5FFFH2、部分地址译码法扩展24KBEPROM2、部分地址译码法扩展24KBEPROMP2.5P2.6P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.0A6A7A5A0A1A2A3A4A8A9A10A11A12选中地址000110111111111111100000000000001111111111111000000000000000000000000001111111111111片⑴片⑵片⑶0000H1FFFH2000H3FFFH4000H5FFFH地址范围：结构特点：⑴8031内部无ROM，所以EA接地，EPROM由PSEN进行读控制⑶用译码后的部分地址选择芯片，叫部分地址译码⑵用地址译码信号选择某片片选EA。。。P0.7P0.0P2.6P2.5P2.4P2.3P2.2P2.1P2.0P2.7ALEPSEN80311D～8DGE1Q～8Q74LS373Q0～Q7CEOEA0～A122764⑵Q0～Q7CEOEA0～A122764⑴Q0～Q7CEOEA0～A122764⑻A0～A7A8～A12D0～D7片选0片选1片选70000H～1FFFH2000H～3FFFHE000H～FFFFH74LS138VCCABG2BGND+5VY7Y1Y0…G2ACG1…3、全地址译码法扩展64KBEPROM74LS373G

1Q～8QE

1D～8DQ0～Q7OEA0～A12

CE2764（1）Q0～Q7OEA0～A12

CE2764（2）……Q0～Q7OEA0～A12

CE2764（8）74LS138G1

VCCY7┇Y1Y0GNDG2AG2BCBA

P27

P26

P25+5V

8031P0P2ALEPSENEA…D0～D7A0～A12A0～A7ALEPSENRD/WRP2PCH输出PCH输出PCH输出PCH输出P0指令输入指令输入指令输入指令输入PCL输出PCL输出PCL输出PCL输出PCL输出有效PCL输出有效PCL输出有效图5-1外部程序存储器操作时序（a）

第一个机器周期第二个机器周期2、全地址译码法扩展64KBEPROMP2.5P2.6P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.0A6A7A5A0A1A2A3A4A8A9A10A11A12选中地址P2.7000001111111111111100000000000001111111111111000000000000000000000000001111111111111片⑴片⑵片⑻0000H1FFFH2000H3FFFHE000HFFFFH111……………所有地址都参加译码选择芯片，叫作全地址译码地址范围：74LS138CBAA15A14A13A15A14A135.4 51单片机与外部存储器的连接51单片机与外部EPROM的连接 单片机与两片2764相连，如下图。写出各片2764的地址空间。（0000H-1FFFH，2000H-3FFFH）5.4.3数据存储器扩展设计一、外部数据存储器操作时序可寻址256B外部数据存储器可寻址64KB外部数据存储器访问外部RAM用专门指令MOVX，共4条指令符号说明MOVXA，＠RiMOVX＠Ri，AMOVXA，＠DPTRMOVX＠DPTR，A外部数据存储器读时序（a）

PSENP1P2P1P2P1P2P1P2P1P2P1P2S1S2S3S4S5S6机器周期P1P2S1RD/WRP0指令输入悬浮A0～A7悬浮数据输入悬浮ALEP2

地址A8～A15DPL(Ri)DPHMOVXA,@Ri@DPTRA外部数据存储器写时序（b）

PSENP1P2P1P2P1P2P1P2P1P2P1P2S1S2S3S4S5S6机器周期P1P2S1P0指令输入悬浮A0～A7数据输出ALEP2

地址A8～A15RD/WRMOVX，A@Ri@DPTRDPL(Ri)DPH（A）由图可见：S1P2读到的指令为MOVX指令（单字节双周期指令）在S2P1下一个ALE↓到来时，通过P0口、P2口送出要访问的片外RAM的地址当RD/WR有效时，实现对这一单元的读/写1、MCS-51扩展2KBRAMP0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7P2.0A6A7A5A0A1A2A3A4A8A9A100

0

000

0

0000

01

1

111

1

1111

1⑴控制信号使用WR和RD。⑵WR和RD分别与6116的WE和OE端相连结构特点：地址范围：0

0

000

0

0000

1…………0000H0001H07FFH～基本地址范围：0000H07FFH～61168031CE接地1D2D3D4D6D5D8D7D1Q2Q3Q4Q6Q5Q8Q7QGEVccGND+5V74LS373P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7P2.0P3.1。。P3.6P3.7P3.0P1.1。。。P1.7P1.0XTAL1XTAL2VccEAALEPSEN8031VSS+5VA6A7A5A0A1A2A3A4A8A9A10I/O1I/O0I/O2I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3VccVssOECE6116WE+5V二、数据存储器扩展设计1、MCS-51扩展2KBRAM0000H07FFH～1D～8DGE1Q～8Q74LS373A0～A7A8～A14D0～D70000H～7FFFH0000H～7FFFH2、8031扩展32KBEPROM和32KBRAMQ0～Q7CEOEA0～A1427256⑴Q0～Q7CEOEA0～A1462256⑵WEEA。。。P0.7P0.0P2.6P2.5P2.4P2.3P2.2P2.1P2.0P2.7ALEPSEN8031RDWR000000000000000111111111111111基本地址范围：0000H～7FFFH2、8031扩展32KBEPROM和32KBRAMP0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7P2.0A6A7A5A0A1A2A3A4A8A9A10A11A12A13A14结构特点：⑴EPROM和RAM共用地址总线和数据总线⑵控制总线除ALE外，EPROM由PSEN进行读选通，RAM由RD和WR进行读写控制地址范围：1D～8DGE1Q～8Q74LS373A0～A7A8～A14D0～D73、程序存储器空间和数据存储器空间的合并Q0～Q7CEOEA0～A1462256⑵WEEA。。。P0.7P0.0P2.6P2.5P2.4P2.3P2.2P2.1P2.0P2.7ALEPSEN8031RDWRQ0～Q7CEOEA0～A1427256⑴8000H～FFFFH0000H～7FFFH0000000000000000001111111111111111P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P0.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7P2.0A6A7A5A0A1A2A3A4A8A9A10A11A12A13A14结构特点：将PSEN和RD进行读逻辑与产生低电平有效的读选通信号，用于合并外部程序存储器和数据存储器空间地址范围：3、程序存储器空间和数据存储器空间的合并27256地址100000000000000001111111111111111162256地址A150000H7FFFH~8000HFFFFH~5.4 51单片机与外部存储器的连接51单片机与外部RAM的连接 采用三总线的连接；注意芯片的片选地址。（4000H-5FFFH）5.4 51单片机与外部存储器的连接例题：连接三片8K*8RAM和ROM构成外扩存储空间。

要点：三总线的连接、各片存储器的地址空间。ROM空间RAM空间2764-10000H-1FFFH6264-10000H-1FFFH2764-22000H-3FFFH6264-22000H-3FFFH2764-34000H-5FFFH6264-34000H-5FFFH5.4 51单片机与外部存储器的连接课外作业：

设计51单片机与外部存储器扩展系统。 要求： 1 扩展RAM、ROM空间各32K。 2 使用8K×8芯片。 3 完成完整的原理图设计，包含：复位电路、时钟电路、地址锁存电路、电源电路等。安全阀基本知识如果压力容器(设备/管线等)压力超过设计压力…1.尽可能避免超压现象堵塞(BLOCKED)火灾(FIRE)热泄放(THERMALRELIEF)如何避免事故的发生?2.使用安全泄压设施爆破片安全阀如何避免事故的发生?01安全阀的作用就是过压保护!一切有过压可能的设施都需要安全阀的保护!这里的压力可以在200KG以上,也可以在1KG以下!设定压力(setpressure)安全阀起跳压力背压(backpressure)安全阀出口压力超压(overpressure)表示安全阀开启后至全开期间入口积聚的压力.几个压力概念弹簧式先导式重力板式先导+重力板典型应用电站锅炉典型应用长输管线典型应用罐区安全阀的主要类型02不同类型安全阀的优缺点结构简单,可靠性高适用范围广价格经济对介质不过分挑剔弹簧式安全阀的优点预漏--由于阀座密封力随介质压力的升高而降低,所以会有预漏现象--在未达到安全阀设定点前,就有少量介质泄出.100%SEATINGFORCE75502505075100%SETPRESSURE弹簧式安全阀的缺点过大的入口压力降会造成阀门的频跳,缩短阀门使用寿命.ChatterDiscGuideDiscHolderNozzle弹簧式安全阀的缺点弹簧式安全阀的缺点=10090807060500102030405010%OVERPRESSURE%BUILT-UPBACKPRESSURE%RATEDCAPACITY普通产品平衡背压能力差.在普通产品基础上加装波纹管,使其平衡背压的能力有所增强.能够使阀芯内件与高温/腐蚀性介质相隔离.平衡波纹管弹簧式安全阀的优点优异的阀座密封性能,阀座密封力随介质操作压力的升高而升高,可使系统在较高运行压力下高效能地工作.ResilientSeatP1P1P2先导式安全阀的优点平衡背压能力优秀有突开型/调节型两种动作特性可远传取压先导式安全阀的优点对介质比较挑剃,不适用于较脏/较粘稠的介质,此类介质会堵塞引压管及导阀内腔.成本较高.先导式安全阀的缺点重力板式产品的优点目前低压储罐呼吸阀/紧急泄放阀的主力产品.结构简单.价格经济.重力板式产品的缺点不可现场调节设定值.阀座密封性差,并有较严重的预漏.受背压影响大.需要很高的超压以达到全开.不适用于深冷/粘稠工况.几个常用规范ASMEsectionI-动力锅炉(FiredVessel)ASMEsectionVIII-非受火容器(UnfiredVessel)API2000-低压安全阀设计(LowpressurePRV)API520-火灾工况计算与选型(FireSizing)API526-阀门尺寸(ValveDimension)API527-阀座密封(SeatTightness)介质状态(气/液/气液双相).气态介质的分子量&Cp/Cv值.液态介质的比重/黏度.安全阀泄放量要求.设定压力.背压.泄放温度安全阀不以连接尺寸作为选型报价依据!如何提供高质量的询价?弹簧安全阀的结构弹簧安全阀起跳曲线弹簧安全阀结构弹簧安全阀结构导压管活塞密封活塞导向不平衡移动副(活塞)导管导阀弹性阀座P1P1P2先导式安全阀结构先导式安全阀的工作原理频跳安全阀的频跳是一种阀门高频反复开启关闭的现象。安全阀频跳时，一般来说密封面只打开其全启高度的几分只一或十几分之一，然后迅速回座并再次起跳。频跳时，阀瓣和喷嘴的密封面不断高频撞击会造成密封面的严重损伤。如果频跳现象进一步加剧还有可能造成阀体内部其他部分甚至系统的损伤。安全阀工作不正常的因素频跳后果1、导向平面由于反复高频磨擦造成表面划伤或局部材料疲劳实效。2、密封面由于高频碰撞造成损伤。3、由于高频振颤造成弹簧实效。4、由频跳所带来的阀门及管道振颤可能会破坏焊接材料和系统上其他设备。5、由于安全阀在频跳时无法达到需要的排放量，系统压力有可能继续升压并超过最大允许工作压力。安全阀工作不正常的因素A、系统压力在通过阀门与系统之间的连接管时压力下降超过3%。当阀门处于关闭状态时，阀门入口处的压力是相对稳定的。阀门入口压力与系统压力相同。当系统压力达到安全阀的起跳压力时，阀门迅速打开并开始泄压。但是由于阀门与系统之间的连接管设计不当，造成连接管内局部压力下降过快超过3%，是阀门入口处压力迅速下降到回座压力而导致阀门关闭。因此安全阀开启后没有达到完全排放，系统压力仍然很高，所以阀门会再次起跳并重复上述过程，既发生频跳。导致频跳的原因导致接管压降高于3%的原因1、阀门与系统间的连接管内径小于阀门入口管内径。2、存在严重的涡流现象。3、连接管过长而且没有作相应的补偿（使用内径较大的管道）。4、连接管过于复杂（拐弯过多甚至在该管上开口用作它途。在一般情况下安全阀入口处不允许安装其他阀门。）导致频跳的原因B、阀门的调节环位置设置不当。安全阀拥有喷嘴环和导向环。这两个环的位置直接影响安全阀的起跳和回座过程。如果喷嘴环的位置过低或导向环的位置过高，则阀门起跳后介质的作用力无法在阀瓣座和调节环所构成的空间内产生足够的托举力使阀门保持排放状态，从而导致阀门迅速回座。但是系统压力仍然保持较高水平，因此回座后阀门会很快再次起跳。导致频跳的原因C、安全阀的额定排量远远大于所需排量。

由于所选的安全阀的喉径面积远远大于所需，安全阀排放时过大的排量导致压力容器内局部压力下降过快，而系统本身的超压状态没有得到缓解，使安全阀不得不再次起跳频跳的原因阀门拒跳：当系统压力达到安全阀的起跳压力时，阀门不起跳的现象。安全阀工作不正常的因素1、阀门整定压力过高。2、阀门内落入大量杂质从而使阀办座和导套间卡死或摩擦力过大。3、弹簧之间夹入杂物使弹簧无法被正常压缩。4、阀门安装不当，使阀门垂直度超过极限范围（正负两度）从而使阀杆组件在起跳过程中受阻。5、排气管道没有被可靠支撑或由于管道受热膨胀移位从而对阀体产生扭转力，导致阀体内机构发生偏心而卡死。安全阀拒跳的原因阀门不回座或回座比过大：安全阀正常起跳后长时间无法回座，阀门保持排放状态的现象。安全阀工作不正常的因素1、阀门上下调整环的位置设置不当。2、排气管道设计不当造成排气不畅，由于排气管道过小、拐弯过多或被堵塞，使排放的蒸汽无法迅速排出而在排气管和阀体内积累，这时背压会作用在阀门内部机构上并产生抑制阀门关闭的趋势。3、阀门内落入大量杂质从而使阀瓣座和导套之间卡死后摩擦力过大。安全阀不回座或回座比过大的因素：4、弹簧之间夹入杂物从而使弹簧被正常压缩后无法恢复。5、由于对阀门排放时的排放反力计算不足，从而在排放时阀体受力扭曲损坏内部零件导致卡死。6、阀杆螺母（位于阀杆顶端）的定位销脱落。在阀门排放时由于振动使该螺母下滑使阀杆组件回落受阻。安全阀不回座或回座比过大的因素：7、由于弹簧压紧螺栓的锁紧螺母松脱，在阀门排放时由于振动时弹簧压紧螺栓松动上滑导致阀门的设定起跳值不断减小。

8、阀门安装不当，使阀门垂直度超过极限范围（正负两度）从而使阀杆组件在回落过程中受阻。

9、阀门的密封面中有杂质，造成阀门无法正常关闭。

10、锁紧螺母没有锁紧，由于管道震动下环向上运动，上平面高于密封面，阀门回座时无法密封安全阀不回座或回座比过大的因素：谢谢观看癌基因与抑癌基因oncogene&tumorsuppressorgene24135基因突变概述.癌基因和抗癌基因的概念.癌基因的分类.癌基因产物的作用.癌基因激活的机理主要内容疾病：

——是人体某一层面或各层面形态和功能（包括其物质基础——代谢）的异常，归根结底是某些特定蛋白质结构或功能的变异，而这些蛋白质又是细胞核中相应基因借助细胞受体和细胞中信号转导分子接收信号后作出应答（表达）的产物。TranscriptionTranslationReplicationDNARNAProtein中心法规Whatisgene?基因：

—是遗传信息的载体

—是一段特定的DNA序列（片段）

—是编码RNA或蛋白质的一段DNA片段

—是由编码序列和调控序列组成的一段DNA片段基因主宰生物体的命运：微效基因的变异——生物体对生存环境的敏感度变化关键关键基因的变异——生物体疾病——死亡所以才有：“人类所有疾病均可视为基因病”之说注：如果外伤如烧伤、骨折等也算疾病的话，外伤应该无法归入基因病的行列。Genopathy问：两个不相干的人，如果他们患得同一疾病，致病基因是否相同？再问：同卵双生的孪生兄弟，他们患病的机会是否一样，命运是否相同？┯┯┯┯

ＡＴＧＣ

ＴＡＣＧ

┷┷┷┷┯┯┯┯┯

ＡＴＡＧＣ

ＴＡＴＣＧ

┷┷┷┷┷┯┯┯┯

ＡＴＧＣ

ＴＡＣＧ

┷┷┷┷┯┯┯

ＡＧＣ

ＴＣＧ

┷┷┷┯┯┯┯

ＡＣＧＣ

ＴＧＣＧ

┷┷┷┷┯┯┯┯

ＡＴＧＣ

ＴＡＣＧ

┷┷┷┷增添缺失替换DNA分子(复制)中发生碱基对的______、______

和

，而引起的

的改变。替换增添缺失基因结构基因变异的概念：英语句子中的一个字母的改变，可能导致句子的意思发生怎样的变化？可能导致句子的意思不变、变化不大或完全改变THECATSATONTHEMATTHECATSITONTHEMATTHEHATSATONTHEMATTHECATONTHEMAT同理：替换、增添、缺失碱基对，可能会使性状不变、变化不大或完全改变。基因的结构改变,一定会引起性状的改变??原句：1.基因多态性与致病突变基因变异与疾病的关系2.单基因病、多基因病3.疾病易感基因

基因多态性polymorphism是指DNA序列在群体中的变异性（差异性）在人群中的发生概率>1%（SNP&CNP)<1%的变异概率叫做突变基因多态性特定的基因多态性与疾病相关时，可用致病突变加以描述SNP:散在单个碱基的不同，单个碱基的缺失、插入和置换。

CNP:DNA片段拷贝数变异，包括缺失、插入和重复等。同义突变、错义突变、无义突变、移码突变

致病突变生殖细胞基因突变将突变的遗传信息传给下一代(代代相传),即遗传性疾病。体细胞基因突变局部形成突变细胞群（肿瘤）。受精卵分裂基因突变的原因物理因素化学因素生物因素基因突变的原因（诱发因素）紫外线、辐射等碱基类似物5BU/叠氮胸苷等病毒和某些细菌等自发突变DNA复制过程中碱基配对出现误差。UV使相邻的胸腺嘧啶产生胸腺嘧啶二聚体,DNA复制时二聚体对应链空缺，碱基随机添补发生突变。胸腺嘧啶二聚体胸腺嘧啶胸腺嘧啶紫外线诱变物理诱变(physicalinduction)

5溴尿嘧啶(5BU)与T类似，多为酮式构型。间期细胞用酮式5BU处理，5BU能插入DNA取代T与A配对；插入DNA后异构成烯醇式5BU与G配对。两次DNA复制后,使A/T转换成G/C，发生碱基转换,产生基因突变。化学诱变(chemicalinduction)碱基类似物(baseanalogues)诱变AT5-BUA5-BUAAT5-BU5-BU(烯醇式)

(酮式)GGC1.生物变异的根本来源，为生物进化提供了最初的原始材料,能使生物的性状出现差别，以适应不同的外界环境，是生物进化的重要因素之一。2.致病突变是导致人类遗传病的病变基础。基因突变的意义概述：肿瘤细胞恶性增殖特性（一）肿瘤细胞失去了生长调节的反馈抑制正常细胞受损,一旦恢复原状，细胞就会停止增殖，但是肿瘤细胞不受这一反馈机制抑制。（二）肿瘤细胞失去了细胞分裂的接触抑制。正常细胞体外培养，相邻细胞相接触，长在一起，细胞就会停止增殖，而肿瘤细胞生长满培养皿后，细胞可以重叠起生长。（三）肿瘤细胞表现出比正常细胞更低的营养要求。（四）肿瘤细胞生长有一种自分泌作用，自己分泌生长需要的生长因子和调控信号,促进自身的恶性增殖。Whatisoncogene?癌基因——是基因组内正常存在的基因，其编码产物通常作为正调控信号，促进细胞的增殖和生长。癌基因的突变或表达异常是细胞恶性转化（癌变）的重要原因。——凡是能编码生长因子、生长因子受体、细胞内信号转导分子以及与生长有关的转录调节因子等的基因。如何发现癌基因的呢?11910年，洛克菲勒研究院一个年轻的研究员Rous发现，鸡肉瘤细胞裂解物在通过除菌滤器以后，注射到正常鸡体内，可以引起肉瘤，首次提出鸡肉瘤可能是由病毒引起的。0.2m孔径细菌过不去但病毒可以通过从病毒癌基因到细胞原癌基因的研究历程：Roussarcomavirus,RSVthefirstcancer-causingretrovirus1958年，Stewart和Eddy分离出一种病毒，注射到小鼠体内可以引起肝脏、肾脏、乳腺、胸腺、肾上腺等多种组织器官的肿瘤，因而把这种病毒称为多瘤病毒。50年代末、60年代初，癌病毒研究成了一个极具想像力的研究领域，主流科学家开始进入癌病毒研究领域polyomavirus这期间，Temin发现RSV有不同亚型，且引起细胞恶变程度不同，推测RNA病毒将其遗传信息传递给了正常细胞的DNA。这与Crick提出的中心法则是相违背的让事实屈从于理论还是坚持基于实验的结果？VSTemin发现逆转录酶，1975年获诺贝尔奖TeminCrickTemin的实验设计：实验设计简单而巧妙：将合成DNA所需的“原料”，即A、T、C、G四种脱氧核苷酸，与破坏了外壳的RSV一起在体外40℃的条件下温育一段时间结果在试管里获得了一种新合成的大分子，它不能被RNA酶破坏，但却可以被DNA酶所分解，证明这种新合成的大分子是DNA用RNA酶预先破坏RSV的RNA，再重复上述的试验，则不能获得这种大分子，说明这个DNA大分子是以RSV的RNA为模板合成的1969年，一个日本学者里子水谷来到Temin的实验室，这是一个非常擅长实验的年轻科学家。按Temin的设想，他们开始寻找RSV中存在“逆转录酶”的证据DNA

RNA

ProteinTranscriptionTranslationReplicationReplicationRe-Transcription修正中心法规据说，1975年Temin因发现逆转录酶而获诺贝尔奖时，Bishop懊恼不已，因为早在1969年他就认为Temin的RNADNA的“前病毒理论”有可能是正确的，并且也进行了一些实验，但不久由于资深同事的规劝而放弃了这方面的努力。但Bishop马上意识到：逆转录酶的发现为逆转录病毒致癌的研究提供了一条新途径。一个RSV，三个诺贝尔奖！！！1989年，UCSF的Bishop和Varmus根据逆转录病毒的复制机制发现了细胞癌基因，并获诺贝尔奖。Cellularoncogene启示：Perutz说:“科学创造如同艺术创造一样，都不可能通过精心组织而产生”Bishop说:“许多人引以为豪的是一天工作16小时，工作安排要以分秒计……可是工作狂是思考的大敌，而思考则是科学发现的关键”Perutzsharedthe1962NobelPrizeforChemistrywithJohnKendrew,fortheirstudiesofthestructuresofhemoglobinandglobularproteins科学的本质和艺术一样，都需要直觉和想像力请给自己一些思考的时间吧！癌基因的分类目前对癌基因尚无统一分类的方法，一般有下面3种分类方法：一、按结构特点分（6）类（一）src癌基因家族（二）ras癌基因家族（三）sis癌基因家族（四）myc癌基因家族（五）myb癌基因家族（六）其它：如fos，erb－A等。三、按细胞增殖调控蛋白特性分成（4）类（一）生长因子（二）受体类（三）细胞内信号转换器（四）细胞核因子二、按产物功能分（8）类（一）生长因子类（二）酪氨酸蛋白激酶（三）膜相关G蛋白（四）受体，无蛋白激酶活性（五）胞质丝氨酸-苏氨酸蛋白激酶（六）胞质调控因子（七）核反式调控因子（八）其它:db1、bcl－2癌基因产物参与信号转导

胞外信号作用于膜表面受体→胞内信使物质的生成便意味着胞外信号跨膜传递的完成。胞内信使至少有：cAMP（环磷酸腺苷）IP3（三磷酸肌醇）PG（前列腺素）cGMP（环磷酸鸟苷）DG（二酰基甘油）Ca2＋（钙离子）CAM（钙调素）主要机制是通过蛋白激酶活化引起底物蛋白一连串磷酸化的生物信号反应过程,跨膜机制涉及到：（一）质膜上cAMP信使系统（二）质膜上肌醇脂质系统这两个系统都是由受体鸟苷酸调节蛋白（GTP-regulatoryprotein，G蛋白）和效应酶（腺苷酸环化酶磷脂酶等）组成，有相似的信号转导过程：即受体活化后引起GTP与不同G蛋白结合活化和抑制效应酶从而影响胞内信使产生而发生不同的调控效应。（三）受体操纵的离子通道系统（四）受体酪氨酸蛋白激酶的转导

（一）获得性基因病

(acquiredgeneticdisease)例如：病毒感染激活原癌基因癌基因活化的机制

（二）染色体易位和重排使无活性的原癌基因转位至强启动子或增强子附近而被活化。与基因脆性位点相关。（三）基因扩增（四）点突变三、癌基因的产物与功能（一）癌基因产物作用的一般特点1.目前发现c-onc均为结构基因.2.癌基因产物可分布在膜质核也可分泌至胞外.（二）癌基因产物分类1.细胞外生长因子：TGF-b2.跨膜生长因子受体:MAPK3.细胞内信号转导分子:Gprotein/Ras4.核内转录因子

（三）癌基因产物的协同作用实验证明，用ras或myc分别转染细胞，可使细胞长期增殖，但不能转化成癌细胞，在裸鼠体内也不能形成肿瘤。但用ras+myc同时转染细胞，则使细胞转化成癌细胞。说明：致癌至少需要2种或以上的onc协同作用，2种onc在2条通路上发挥作用，由于细胞增殖调控是多因子，多阶段影响的结果。而影响增殖分化的onc达几十种之多，所以大多数人认为：癌发生是多阶段多步骤的。Whatistumorsuppressorgene?肿瘤抑制基因（抗癌基因、抑癌基因）——是调节细胞正常生长和增殖的基因。当这些基因不能表达，或其产物失去活性时，细胞就会异常生长和增殖，最终导致细胞癌变。反之，若导入或激活它则可抑制细胞的恶性表型。——癌基因与抑癌基因相互制约，维持细胞增殖正负调节信号的相对稳定。影响1岁的儿童“二次打击”学说两个等位基因同时突变视网膜母细胞瘤（Retinoblastoma）RB基因变异(13号染色体)

(1)脱磷酸化Rb蛋白（活性）与转录因子E2F结合，抑制基因的转录活性(2)磷酸化Rb蛋白（失活）与E2F解离，释放E2F(3)E2F启动基因转录(4)细胞进入增生阶段(G1S)因此，Rb蛋白在控制细胞生长方面发挥重要作用一旦Rb基因突变可使细胞进入过度增生状态RB基因的功能等位基因(allele)例如：花颜色基因位于一对同源染色体的同一位置上、控制相对性状的两个的基因叫等位基因(allele)一对相同的等位基因称纯合等位基因

一对不同的等位基因称杂合等位基因

显性基因隐性基因完全显性不完全显性共显性问：女性的两条X染色体基因应如何表达？拓展知识：X染色体基因中，有65%完全处于“休眠”状态，20%仅在部分女性身上“休眠”，15%则完全逃离“休眠”状态一旦其中一条X染色体被损坏，还可以由另一条X染色体来纠正男性却只有一条X染色体，一旦它遭到破坏，男性就会患上血友病、色盲以及肌肉萎缩症等各种遗传病以前人们一直认为，在女性的两条X染色体中，有一条染色体是完全不起作用或是处于“休眠”状态的在Y染色体中，目前仍在“工作”的基因只剩下不到100个X染色体中“工作”的基因>1000个有一个这样的故事：20年前一次意外事故，三个工人遭受钴60（Co60)放射性核素的照射结果：一名工人不久死亡一名工人几年后死于白血病最后一名工人20年后患糖尿病就诊你知道医生在为病人检查时发现了什么吗？锁骨骨折肋骨串珠样X光片发现广泛性骨质缺损骨髓检查——浆细胞比例为30%左右（正常为0.6-1.3%）(多发性骨髓瘤）因此，多基因病涉及遗传因素和环境因素物理因素化学因素生物因素自发因素2.多基因病(polygenicdisease)：性状或疾病的遗传方式取决于两个以上微效基因的累加作用，同时还受环境因素的影响，因此这类性状也称为复杂性状或复杂疾病（complexdisease）也叫：“复杂性状疾病”近视(myopia)高血压(hypertension)糖尿病(diabetes)精神分裂症(schizophrenia)哮喘(asthma)肿瘤或癌

(tumororcancer)多基因病的遗传要点数量性状的遗传基础是两对以上基因。这些基因之间没有显,隐性的区别,而是共显性。每个基因对表型的影响很小,称为微效基因。微效基因具有累加效应,即一个基因对表型作用很小,但若干个基因共同作用,可对表型产生明显影响。不仅遗传因素起作用,环境因素具有明显作用。例如：结肠癌（Coloncancer)相关基因：NGX6，SOX7，ITGB1，HSPA9B，MAPK8，PAG，

RANGAP1，SRC和CDC2等。相关信号通路：ras/MEK/ERK，JNK，Rb/E2F，PI3K/AKT及受体相互作用相关通路，免疫反应相关通路以及细胞黏附相关通路等。①早期原发癌生长②肿瘤血管形成③肿瘤细胞脱落并侵入基质④进入脉管系统⑤癌栓形成⑥继发组织器官定位生长⑦转移癌继续扩散例如：糖尿病(diabetes)依赖胰岛素型糖尿病在位于第6号染色体上可能包含至少一个对I型糖尿病敏感的基因在人类基因组中，大约10个位点现在被发现似乎对I型糖尿病敏感其中：1)11号染色体位点IDDM2上的基因

2)葡萄糖激酶基因高血压(hypertension)目前最受关注的是ATP2B1基因编码一种膜蛋白，具有钙泵特性能将高浓度细胞内钙泵出细胞外。精神神经性疾病精神分裂症基因表达改变/诱导增强家族史家暴基因本质：基因组变异惊吓—？—基因突变——精神病多基因病的遗传：易患性(liability)易感性(susceptibility)发病阈值(threshold)易患性(liability)——在多基因病发生中，遗传因素和环境因素共同作用决定一个个体患某种遗传病的可能性。possibility遗传因素(hereditaryfactors)环境因素(environmentalfactor)易感性(susceptibility)——特指由遗传因素决定的患病风险，仅代表个体所含有的遗传因素，易感性完全由基因决定。——在一定的环境条件下，易感性高低可代表易患性高低。riskwithdisease发病阈值(threshold)——当一个个体易患性高到一定限度就可能发病——这种由易患性所导致的多基因病发病最低限度称为发病阈值minimum例如：三核苷酸拷贝数变异CGG(精氨酸)重复：——重复5-54次，正常——重复6-230次，携带者（敏感体质）——重复230-4000次，发病

如：脆性X染色体综合征智力低下患者细胞在缺乏胸腺嘧啶或叶酸的环境中培养时往往出现X-染色体发生断裂男性发病1/1200-2500，女性发病1/1650-5000FragileXsyndrome阈值效应举例：长脸，耳外凸智力低下语言障碍对外界反应迟钝Copynumbervariation问：为什么是三核苷酸重复而不是4、5个？提示：三核苷酸处于阅读框架内，不容易破坏原有基因的开放阅读框架(ORF)4、5个核苷酸不在ORF内，变化容易对原有基因造成很大的影响，一般不容易积累保留癌蛋白抗原癌基因抑癌基因P53蛋白积聚，细胞周期变化P53等位基因丢失、点突变肿瘤形成肿瘤促进因子细胞表型变化相关基因作用P53基因阻滞细胞周期：G1和G2/M期

促进细胞调亡：bax/bcl2

维持基因组稳定：核酸内切酶活性

抑制肿瘤血管生成：Smad4P53基因可否用于治疗癌症？P53基因功能基因治疗：是指以改变人类遗传物质为基础的生物医学治疗。通过将人的正常基因或有治疗作用的DNA导入人体靶细胞，去纠正基因的缺陷或者发挥治疗作用。抑癌基因P53载体P53基因治疗第三节分析文体特征和表现手法2大考点书法大家启功自传赏析中学生，副教授。博不精，专不透。名虽扬，实不够。高不成，低不就。瘫偏‘左’，派曾‘右’。面微圆，皮欠厚。妻已亡，并无后。丧犹新，病照旧。六十六，非不寿。八宝山，渐相凑。计平生，谥曰陋。身与名，一起臭。【赏析】寓幽默于“三字经”，名利淡薄，人生洒脱，真乃大师心态。1.实用类文本都有其鲜明的文体特征，传记的文体特征体现为作品的真实性和生动性。传记的表现手法主要有以下几个方面：人物表现的手法、结构技巧、语言艺术和修辞手法。2.在实际考查中，对传记中段落作用、细节描写、人物陪衬以及环境描写设题较多，对于材料的选择与组织也常有涉及。3.考生复习时要善于借鉴小说和散文的知识和经验，同时抓住传记的主旨、构思以及语言特征来解答问题。传记的文体特点是真实性和文学性。其中，真实性是传记的第一特征，写作时不允许任意虚构。但传记不同于一般的枯燥的历史记录，它具有文学性，它通过作者的选择、剪辑、组接，倾注了爱