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文档简介

第第页MOS管导通损耗的计算方法

MOS管计算导通损耗时，应该用平均（电流）IAVG还是用电流有效I（RMS）值呢？

先定义下相关参数，以便于后续的计算．

IO输出电流

IH-AVG上MOS管平均电流

IL-AVG下MOS管平均电流

IRMS(H)上MOS管电流有效值

IRMS(L)下MOS管电流有效值

D上MOS管占空比

ΔI电感纹波电流

RON-H上MOS管导通电阻

RON-L下MOS管导通电阻

PON-H上MOS管导通损耗

PON-L下MOS管导通损耗

计算方法１：基于平均电流

计算方法２：基于电流有效值

下面是关于有效值和平均值的对比数据，可以直观的看出有效值比平均值大出很多．

所以两种方法计算出来的导通损耗也会差别很大，那么哪种方式是正确的呢？

MOS管导通时，等效为一个（电阻）RDS(ON),计算损耗时是通过积分来计算的，应该用有效值来计算。

由此可见，I为有效值的计算公式,所以计算时应用电流有效值来计算MOS管的导通损耗．

那么什么时候可以用平均电流来计算损耗呢？

其实输出（整流二极管），MOS体（二极管）的导通损耗，则是用均值来计算的．

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