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文档简介
金属化与平坦化概述金属化将晶片上制成的各种元器件用互连盒属线连接起来枘成具有各种功能的杗成电路的工艺。是芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜,通过光刻形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。互连金属GlobalinterconnectstudLanlntercnuedt钝化层压点金属DILDILD-3ID-I多晶杷L氧化石p-外延层P硅衬底图7.41整个0.18Hm的cMOS剖面在集成电路中金属薄膜主要用于1.欧姆接触(OhmicContact2肖特基接触(SchottkyBarrierContact3低阻栅电极(GateE|ectrode)4.器件间互联(interconnect)金属化的几个术语接触(contact):指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接互连(interconnect):由导电材料,(如铝,多晶硅或铜)制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分通孔(via):通过各种介质层从某一金属层到相邻的另金属层形成电通路的开口“填充薄膜”:是指用金属薄膜填充通孔,以便在两金属层之间形成电连接。层间介质(ILD:InnerLayerDielectric):是绝缘材料,它分离了金属之间的电连接。ILD一旦被淀积,便被光刻刻蚀成图形,以便为各金属层之间形成通路。用金属(通常是钨W)填充通孔,形成通孔填充薄膜。对IC金属化系统的主要要求(1)低阻互连(2)金属和Highspeed(3)与下面Highreliability4)对台阶的Highdensity(5)结构稳定(6)易刻蚀(7)制备工艺简单为了将半导体器件与外部有效地联系起来,必须首先在半导体和互连线之间制作接触。AluminumOxide早期结构是简单的AL/Si接触Earlystructuresweresimpleal/sicontacts.金属层和硅衬底形成什么接触?金属层和硅衬底的接触,既可以形成整流接触也可以形成欧姆接触,主要取决于半导体的掺杂浓度及金一半接触的势垒高度OhmicSchottymetalmetalContactContactHeavilydopedN-SiN+S金属/半导体的
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