第三章 三极管及放大电路基础

第三章三极管及放大电路基础第一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.1.1BJT的结构简介4.1半导体三极管（BJT）4.1.2BJT的电流分配与放大原理4.1.3BJT的特性曲线4.1.4BJT的主要参数第二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.1.1BJT的结构简介半导体三极管的结构示意图如图04.1.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管发射结(Je)

集电结(Jc)

基极，用B或b表示（Base）

发射极，用E或e表示（Emitter）；集电极，用C或c表示（Collector）。

发射区集电区基区三极管符号第三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四

结构特点：•发射区的掺杂浓度最高；•集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；•基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图第四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.1.2BJT的电流分配与放大原理1.内部载流子的传输过程

三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子

（以NPN为例）

以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT(BipolarJunctionTransistor)。

IC=InC+ICBOIE=IB+IC第五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四2.三极管的三种组态共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；BJT的三种组态第六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四3.电流分配关系根据传输过程可知IC=InC+ICBO通常IC>>ICBO

为电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般

=0.90.99IE=IB+IC载流子的传输过程第七页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四根据

是另一个电流放大系数，同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般

>>1IE=IB+ICIC=InC+ICBO且令ICEO=(1+)ICBO（穿透电流）3.电流分配关系第八页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四可见，无论哪种连接方式，BJT在发射结正偏，集电结反偏且电流放大系数不变时，输出电流都正比与输入电流。如果能控制输入电流，就能控制输出电流，因此BJT为电流控制器件。由前可知，IE受VBE控制，所以IC和IB也受VBE控制，称之为BJT的正向受控特性。3.电流分配关系第九页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四RLecb1k图03.1.05共基极放大电路4.放大作用若vI=20mV使当则电压放大倍数VEEVCCVEBIBIEIC+-vI+vEBvO+-+iC+iE+iBiE=-1mA，iC=iE=-0.98mA，vO=-iC•

RL=0.98V，=0.98时，第十页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。4.1.2BJT的电流分配与放大原理第十一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四vCE=0V+-bce共射极放大电路VBBVCCvBEiCiB+-vCE

iB=f(vBE)

vCE=const(2)当vCE≥1V时，vCB=vCE

-vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。vCE=0VvCE

1V(1)当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。1.输入特性曲线4.1.3BJT的特性曲线（以共射极放大电路为例）第十二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四(3)输入特性曲线的三个部分①死区

②非线性区③线性区

1.输入特性曲线4.1.3BJT的特性曲线第十三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。iC=f(vCE)

iB=const2.输出特性曲线输出特性曲线的三个区域:4.1.3BJT的特性曲线截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，vBE小于死区电压。放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。第十四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。放大截止饱和-+正偏反偏-++-正偏反偏+-放大Vc>Vb>Ve放大Vc<Vb<Ve发射结和集电结均为反偏。发射结和集电结均为正偏。例1：第十五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.1.4BJT的主要参数(1)共发射极直流电流放大系数

=（IC－ICEO）/IB≈IC/IBvCE=const1.电流放大系数

第十六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四(2)共发射极交流电流放大系数

=IC/IBvCE=const4.1.4BJT的主要参数1.电流放大系数

第十七页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四(4)共基极交流电流放大系数α

α=IC/IE

VCB=const当ICBO和ICEO很小时，≈、≈，可以不加区分。4.1.4BJT的主要参数1.电流放大系数

第十八页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四

(2)集电极发射极间的反向饱和电流ICEO

ICEO=（1+）ICBO

2.极间反向电流ICEO (1)集电极基极间反向饱和电流ICBO

发射极开路时，集电结的反向饱和电流。

4.1.4BJT的主要参数即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。第十九页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四(1)集电极最大允许电流ICM(2)集电极最大允许功率损耗PCM

PCM=ICVCE

3.极限参数4.1.4BJT的主要参数第二十页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四(3)反向击穿电压

V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。V(BR)EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。

V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。几个击穿电压有如下关系

V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO

3.极限参数4.1.4BJT的主要参数第二十一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四

由PCM、ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。

输出特性曲线上的过损耗区和击穿区（思考题）end第二十二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四半导体三极管的型号国家标准对半导体三极管的命名如下:3

D

G110B

第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、

C硅PNP管、D硅NPN管

第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、

G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管材料器件的种类同种器件型号的序号同一型号中的不同规格三极管第二十三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四双极型三极管的参数参

数型

号

PCMmWICMmAVRCBOVVRCEO

VVREBO

VICBO

μAfT

MHz3AX31D1251252012≤6*≥83BX31C1251254024≤6*≥83CG101C10030450.11003DG123C5005040300.353DD101D5A5A3002504≤2mA3DK100B100302515≤0.13003DKG23250W30A4003258注：*为f

第二十四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.1BJT1.既然BJT具有两个PN结，可否用两个二极管相联以构成一只BJT，试说明其理由。？思考题2.能否将BJT的e、c两个电极交换使用，为什么？3.BJT是电流控制器件，还是电压控制器件？end4.放大电路输出端增加的能量是从哪里来的？第二十五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.2共射极放大电路电路组成

简化电路及习惯画法

简单工作原理

放大电路的静态和动态

直流通路和交流通路第二十六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.2共射极放大电路1.电路组成输入回路（基极回路）输出回路（集电极回路）第二十七页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四2.简化电路及习惯画法习惯画法共射极基本放大电路4.2共射极放大电路第二十八页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四3.简单工作原理Vi=0Vi=Vsint4.2共射极放大电路电容的阻抗：设Cb1=10uF，f=1kHz。第二十九页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.放大电路的静态和动态

静态：输入信号为零（vi=0或ii=0）时，放大电路的工作状态，也称直流工作状态。

动态：输入信号不为零时，放大电路的工作状态，也称交流工作状态。电路处于静态时，三极管各电极的电压、电流在特性曲线上确定为一点，称为静态工作点，常称为Q点。一般用IB、IC、和VCE

（或IBQ、ICQ、和VCEQ）表示。#

放大电路为什么要建立正确的静态？4.2共射极放大电路第三十页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.2共射极放大电路工作点合适工作点偏低第三十一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.2共射极放大电路5.直流通路和交流通路直流通路耦合电容：通交流、隔直流直流电源：内阻为零直流电源和耦合电容对交流相当于短路共射极放大电路end（思考题）交流通路第三十二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四(a)(b)(c)(d)(f)(e)4.2

？思考题1.下列a~f电路哪些具有放大作用？end第三十三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.3图解分析法用近似估算法求静态工作点用图解分析法确定静态工作点

交流通路及交流负载线输入交流信号时的图解分析

BJT的三个工作区输出功率和功率三角形

4.3.1静态工作情况分析

4.3.2动态工作情况分析第三十四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四共射极放大电路

4.3.1静态工作情况分析1.用近似估算法求静态工作点根据直流通路可知：采用该方法，必须已知三极管的值。一般硅管VBE=0.7V，锗管VBE=0.2V。直流通路+-第三十五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四采用该方法分析静态工作点，必须已知三极管的输入输出特性曲线。共射极放大电路2.用图解分析法确定静态工作点首先，画出直流通路直流通路IBVBE+-ICVCE+-

4.3.1静态工作情况分析4.3图解分析法第三十六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四直流通路IBVBE+-ICVCE+-列输入回路方程：

VBE=VCC－IBRb列输出回路方程（直流负载线）：

VCE=VCC－ICRc在输入特性曲线上，作出直线VBE=VCC－IBRb，两线的交点即是Q点，得到IBQ。在输出特性曲线上，作出直流负载线VCE=VCC－ICRc，与IBQ曲线的交点即为Q点，从而得到VCEQ和ICQ。第三十七页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四

4.3.2动态工作情况分析由交流通路得纯交流负载线：

共射极放大电路交流通路icvce+-vce=-ic(Rc//RL)因为交流负载线必过Q点，即vce=

vCE-VCEQ

ic=

iC-ICQ

同时，令RL=Rc//RL1.交流通路及交流负载线则交流负载线为vCE-VCEQ=-(iC-

ICQ)RL

即iC

=(-1/RL)vCE+(1/RL)VCEQ+

ICQ4.3图解分析法过输出特性曲线上的Q点做一条斜率为-1/RL直线，该直线即为交流负载线。R'L=RL∥Rc，是交流负载电阻。

交流负载线是有交流输入信号时Q点的运动轨迹。

第三十八页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.3图解分析法2.输入交流信号时的图解分析

4.3.2动态工作情况分析共射极放大电路通过图解分析，可得如下结论：

1.vivBEiBiCvCE|-vo|

2.vo与vi相位相反；3.可以测量出放大电路的电压放大倍数；4.可以确定最大不失真输出幅度。#动态工作时，iB、iC的实际电流方向是否改变，vCE的实际电压极性是否改变？第三十九页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四

4.3.2动态工作情况分析3.BJT的三个工作区4.3图解分析法当工作点进入饱和区或截止区时，将产生非线性失真。饱和区特点：

iC不再随iB的增加而线性增加，即此时截止区特点：iB=0，iC=ICEOvCE=VCES，典型值为0.3V第四十页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.输出功率和功率三角形

要想PO大，就要使功率三角形的面积大，即必须使Vom和Iom都要大。功率三角形放大电路向电阻性负载提供的输出功率在输出特性曲线上，正好是三角形ABQ的面积，这一三角形称为功率三角形。

4.3.2动态工作情况分析4.3图解分析法（思考题）第四十一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四共射极放大电路放大电路如图所示。已知BJT的ß=80，Rb=300k，Rc=2k，VCC=+12V，求：（1）放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？（2）当Rb=100k时，放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？（忽略BJT的饱和压降）解：（1）（2）当Rb=100k时，静态工作点为Q（40uA，3.2mA，5.6V），BJT工作在放大区。其最小值也只能为0，即IC的最大电流为：所以BJT工作在饱和区。VCE不可能为负值，此时，Q（120uA，6mA，0V），例题end第四十二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.3

（2）增大Rb时，负载线将如何变化？Q点怎样变化？（3）减小VCC时，负载线将如何变化？Q点怎样变化？？思考题1.试分析下列问题：共射极放大电路（1）增大Rc时，负载线将如何变化？Q点怎样变化？（4）减小RL时，负载线将如何变化？Q点怎样变化？第四十三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四共射极放大电路4.3

？思考题2.放大电路如图所示。当测得BJT的VCE接近VCC的值时，问管子处于什么工作状态？可能的故障原因有哪些？截止状态答：故障原因可能有：•Rb支路可能开路，IB=0，IC=0，VCE=VCC-IC

Rc=VCC。•C1可能短路，

VBE=0，IB=0，IC=0，VCE=VCC-IC

Rc=VCC。end第四十四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.4小信号模型分析法4.4.1BJT的小信号建模4.4.2共射极放大电路的小信号模型分析

H参数的引出H参数小信号模型模型的简化H参数的确定（意义、思路）利用直流通路求Q点画小信号等效电路求放大电路动态指标第四十五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四建立小信号模型的意义建立小信号模型的思路当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件做线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。4.4.1BJT的小信号建模第四十六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四1.H参数的引出在小信号情况下，对上两式取全微分得用小信号交流分量表示vbe=hieib+hrevceic=hfeib+hoevce4.4.1BJT的小信号建模对于BJT双口网络，我们已经知道输入输出特性曲线如下：iB=f(vBE)

vCE=constiC=f(vCE)

iB=const可以写成：vBEvCEiBcebiCBJT双口网络第四十七页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.4.1BJT的小信号建模输出端交流短路时的输入电阻；输出端交流短路时的正向电流传输比或电流放大系数；输入端交流开路时的反向电压传输比；输入端交流开路时的输出电导。其中：四个参数量纲各不相同，故称为混合参数（H参数）。1.H参数的引出vbe=hieib+hrevceic=hfeib+hoevce第四十八页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.4.1BJT的小信号建模2.H参数小信号模型根据可得小信号模型BJT的H参数模型vbe=hieib+hrevceic=hfeib+hoevcevBEvCEiBcebiCBJT双口网络H参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数。H参数与工作点有关，在放大区基本不变。H参数都是微变参数，所以只适合对交流信号的分析。第四十九页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.4.1BJT的小信号建模3.模型的简化hfeibicvceibvbehrevcehiehoe即rbe=hie

=hfe

uT=hre

rce=1/hoe一般采用习惯符号则BJT的H参数模型为ibicvceibvbeuT

vcerberce

uT很小，一般为10-310-4，

rce很大，约为100k。故一般可忽略它们的影响，得到简化电路

ib

是受控源

，且为电流控制电流源(CCCS)。电流方向与ib的方向是关联的。

第五十页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.4.1BJT的小信号建模4.H参数的确定

一般用测试仪测出；

rbe与Q点有关，可用图示仪测出。一般也用公式估算rbe

rbe=rb+(1+

)re其中对于低频小功率管rb≈200

则

而

(T=300K)

（思考题）第五十一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.4.2用H参数小信号模型分析共射极基本放大电路

共射极放大电路1.利用直流通路求Q点一般硅管VBE=0.7V，锗管VBE=0.2V，已知。第五十二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四2.画出小信号等效电路RbviRbRbviRc4.4.2小信号模型分析共射极放大电路icvce+-交流通路RbviRcRLH参数小信号等效电路第五十三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四3.求电压增益根据RbviRcRL则电压增益为4.4.2小信号模型分析（可作为公式）第五十四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.求输入电阻4.4.2小信号模型分析RbRcRLRi5.求输出电阻令Ro=Rc所以第五十五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四1.电路如图所示。试画出其小信号等效模型电路。解：例题第五十六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四例题解：（1）（2）2.放大电路如图所示。试求：（1）Q点；（2）、、。已知=50。end第五十七页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.4

？思考题1.BJT小信号模型是在什么条件下建立的？受控源是何种类型的？2.若用万用表的“欧姆”档测量b、e两极之间的电阻，是否为rbe?end第五十八页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.5放大电路的工作点稳定问题温度变化对ICBO的影响温度变化对输入特性曲线的影响温度变化对的影响稳定工作点原理放大电路指标分析固定偏流电路与射极偏置电路的比较4.5.1温度对工作点的影响4.5.2射极偏置电路第五十九页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.5.1温度对工作点的影响1.温度变化对ICBO的影响2.温度变化对输入特性曲线的影响温度T输出特性曲线上移温度T输入特性曲线左移3.温度变化对的影响温度每升高1°C，要增加0.5%1.0%温度T输出特性曲线族间距增大总之：

ICBO

ICEOT

VBE

IB

IC

第六十页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.5.2射极偏置电路1.稳定工作点原理目标：温度变化时，使IC维持恒定。如果温度变化时，b点电位能基本不变，则可实现静态工作点的稳定。T稳定原理：

ICIEIC

VE、VB不变

VBE

IB（反馈控制）b点电位基本不变的条件：I1>>IB，此时，不随温度变化而变化。VB>>VBE且Re可取大些，反馈控制作用更强。一般取I1=(5~10)IB，VB=3V~5V

第六十一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.5.2射极偏置电路2.放大电路指标分析①静态工作点第六十二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.5.2射极偏置电路2.放大电路指标分析②电压增益输出回路：输入回路：电压增益：<A>画小信号等效电路<B>确定模型参数已知，求rbe<C>增益第六十三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.5.2射极偏置电路2.放大电路指标分析③输入电阻根据定义由电路列出方程则输入电阻放大电路的输入电阻不包含信号源的内阻第六十四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.5.2射极偏置电路2.放大电路指标分析④输出电阻输出电阻求输出电阻的等效电路网络内独立源置零负载开路输出端口加测试电压对回路1和2列KVL方程rce对分析过程影响很大，此处不能忽略其中则当时，一般（）第六十五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.5.2射极偏置电路3.固定偏流电路与射极偏置电路的比较

共射极放大电路静态：第六十六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.5.2射极偏置电路3.固定偏流电路与射极偏置电路的比较固定偏流共射极放大电路电压增益：RbviRcRL固定偏流共射极放大电路输入电阻：输出电阻：Ro=Rc#射极偏置电路做如何改进，既可以使其具有温度稳定性，又可以使其具有与固定偏流电路相同的动态指标？第六十七页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.5.2射极偏置电路第六十八页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四14.5.2射极偏置电路end第六十九页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.6共集电极电路和共基极电路电路分析复合管

静态工作点动态指标

三种组态的比较4.6.1共集电极电路4.6.2共基极电路第七十页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.6.1共集电极电路1.电路分析共集电极电路结构如图示该电路也称为射极输出器①求静态工作点由得第七十一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四②电压增益输出回路：输入回路：电压增益：<A>画小信号等效电路<B>确定模型参数已知，求rbe<C>增益4.6.1共集电极电路1.电路分析其中一般，则电压增益接近于1，即电压跟随器第七十二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四③输入电阻根据定义由电路列出方程则输入电阻当，时，4.6.1共集电极电路1.电路分析输入电阻大④输出电阻由电路列出方程其中则输出电阻当，时，输出电阻小共集电极电路特点：◆电压增益小于1但接近于1，◆输入电阻大，对电压信号源衰减小◆输出电阻小，带负载能力强#既然共集电极电路的电压增益小于1（接近于1），那么它对电压放大没有任何作用。这种说法是否正确？第七十三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.6.1共集电极电路2.复合管作用：提高电流放大系数，增大电阻rbe复合管也称为达林顿管第七十四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.6.2共基极电路1.静态工作点直流通路与射极偏置电路相同第七十五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.6.2共基极电路2.动态指标①电压增益输出回路：输入回路：电压增益：第七十六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.6.2共基极电路#共基极电路的输入电阻很小，最适合用来放大何种信号源的信号？2.动态指标②输入电阻③输出电阻第七十七页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四3.三种组态的比较电压增益：输入电阻：输出电阻：4.6.2共基极电路第七十八页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四例题1.放大电路如图所示。试求。已知=50。解：两者比较可看出增益明显提高end第七十九页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.7.1单时间常数RC电路的频率响应4.7.2单极放大电路的高频响应

RC低通电路的频率响应

RC高通电路的频率响应4.7放大电路的频率响应4.7.3单极放大电路的低频响应4.7.4多级放大电路的频率响应多级放大电路的增益多级放大电路的频率响应低频等效电路低频响应研究放大电路的动态指标（主要是增益）随信号频率变化时的响应。第八十页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.7.1单时间常数RC电路的频率响应1.RC低通电路的频率响应（电路理论中的稳态分析）RC电路的电压增益（传递函数）：则且令又电压增益的幅值（模）（幅频响应）电压增益的相角（相频响应）①增益频率函数第八十一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四最大误差-3dB②频率响应曲线描述4.7.1RC电路的频率响应幅频响应0分贝水平线斜率为-20dB/十倍频程的直线相频响应1.RC低通电路的频率响应表示输出与输入的相位差高频时，输出滞后输入因为所以第八十二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.7.1RC电路的频率响应2.RC高通电路的频率响应RC电路的电压增益：幅频响应相频响应输出超前输入第八十三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.7.2单极放大电路的高频响应1.BJT的高频小信号建模◆

模型的引出◆

模型简化◆

模型参数的获得◆

的频率响应2.共射极放大电路的高频响应◆

型高频等效电路◆

高频响应3.共基极放大电路的高频响应◆

增益-带宽积◆

高频等效电路◆

高频响应◆

几个上限频率的比较第八十四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.7.2单极放大电路的高频响应1.BJT的高频小信号建模①模型的引出rb'e---发射结电阻re归算到基极回路的电阻

---发射结电容---集电结电阻---集电结电容

rbb'---基区的体电阻，b'是假想的基区内的一个点。互导第八十五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.7.2单极放大电路的高频响应1.BJT的高频小信号建模②模型简化混合型高频小信号模型第八十六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期四4.7.2单级高频响应又因为所以③模型参数的获得（与H参数的关系）1.BJT的高频小信号建模低频时