常见存储器辨析

常见存储器辨析常见存储器辨析/NUMPAGES36常见存储器辨析常见存储器辨析有关各种存储器速度性能的资料大收集，RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、FRAM

最后面重点搜集了NORFLASH存储器的资料。

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常见存储器概念辨析：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、

常见存储器概念辨析：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器可以分为很多种类，其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM（随机存取存储器）和ROM（只读存储器），其中RAM的访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而ROM掉电后数据不会丢失。

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是ReadOnlyMemory的缩写，RAM是RandomAccessMemory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。RAM又可分为SRAM（StaticRAM/静态存储器）和DRAM（DynamicRAM/动态存储器）。SRAM是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丢失的。DRAM是利用MOS（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息，所以DRAM的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。而通常人们所说的SDRAM是DRAM的一种，它是同步动态存储器，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在嵌入式系统中经常使用。ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。Flash也是一种非易失性存储器（掉电不会丢失），它擦写方便，访问速度快，已大大取代了传统的EPROM的地位。由于它具有和ROM一样掉电不会丢失的特性，因此很多人称其为FlashROM。FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。目前Flash主要有两种NORFlash和NADNFlash。NORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NANDFlash上的代码，因此好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlah以外，还作上了一块小的NORFlash来运行启动代码。一般小容量的用NORFlash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NANDFLASH，最常见的NANDFLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（DiskOnChip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的FLASH主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NANDFlash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝转自：FLASH存储器和EEPROM存储器的区别1、首先从IO引脚占用方面比较，EEPROM只需占用两个IO引脚，时钟（clk）和数据（data）引脚，外加电源三个引脚即可，符合I2C通讯协议。而FLASH需要占用更多IO引脚，有并行和串行的，串行的需要一个片选（cs）引脚（可用作节电功耗控制），一个时钟（clk）引脚，FLASH读出和写入引脚各一个，也就是四个。并行的需要8个数据引脚，当然比串行的读写速度要快。

2、从功能方面比较，EEPROM可以单字节读写，FLASH部分芯片只能以块方式擦除(整片擦除),部分芯片可以单字节写入(编程),一般需要采用块写入方式；FLASH比EEPROM读写速度更快，可靠性更高。但比单片机片内RAM的读写还要慢。

3、价格方面比较，FLASH应该要比EEPROM贵。

另供参考：EEPROM,EPROM,FLASH都是基于一种浮栅管单元(Floatinggatetransister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating-gatetunelingoxidetransister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。技术上，FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheimtuneling。但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要EEPROM单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。其实对于用户来说，\o"EEPROMPDF资料和全国供应商"EEPROM和FLASH的最主要的区别就是1。\o"EEPROMPDF资料和全国供应商"EEPROM可以按“位”擦写，而FLASH只能一大片一大片的擦。2。\o"EEPROMPDF资料和全国供应商"EEPROM一般容量都不大，如果大的话，\o"EEPROMPDF资料和全国供应商"EEPROM相对与FLASH就没有价格上的优势了。市面上卖的standalone的EERPOM一般都是在64KBIT以下，而FLASH一般都是8MEGBIT以上（NOR型）。3。读的速度的话，应该不是两者的差别，只是EERPOM一般用于低端产品，读的速度不需要那么快，真要做的话，其实也是可以做的和FLASH差不多。4。因为\o"EEPROMPDF资料和全国供应商"EEPROM的存储单元是两个管子而FLASH是一个（SST的除外，类似于两管），所以CYCLING的话，\o"EEPROMPDF资料和全国供应商"EEPROM比FLASH要好一些，到1000K次也没有问题的。总的来说，对与用户来说，\o"EEPROMPDF资料和全国供应商"EEPROM和FLASH没有大的区别，只是\o"EEPROMPDF资料和全国供应商"EEPROM是低端产品，容量低，价格便宜，但是稳定性较FLASH要好一些。但对于\o"EEPROMPDF资料和全国供应商"EEPROM和FLASH的设计来说，FLASH则要难的多，不论是从工艺上的还是从外围电路设计上来说。Flashmemory指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格)，而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上，用来保存BIOS程序，便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点，但是将其用来取代RAM就显得不合适，因为RAM需要能够按字节改写，而FlashROM做不到。ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是ReadOnlyMemory的缩写，RAM是RandomAccessMemory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

RAM有两大类，一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(DynamicRAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDRRAM。DDRRAM(Date-RateRAM)也称作DDRSDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-RambusDRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDRRAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。

举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中)，因为当时有很重要工作(通话)要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。

FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势)，U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。

目前Flash主要有两种NORFlash和NADNFlash。NORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NANDFlash上的代码，因此好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlah以外，还作上了一块小的NORFlash来运行启动代码。

一般小容量的用NORFlash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NANDFLASH，最常见的NANDFLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(DiskOnChip)和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。目前市面上的FLASH主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NANDFlash的主要厂家有Samsung和Toshiba。SRAM是StaticRandomAccessMemory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。"静态"是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM(DRAM)不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。然后，我们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和FlashMemory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。"随机访问"是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。

SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。

SRAM不应该与SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM(SynchronousDRAM)，这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。

从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝

HYPER并行NORFlash存储器概述NORFlash是一种非易失性的存储器，具有存储容量大，数据保存时间长的特点，其擦写次数多达10万次，数据更新速度比EEPROM要快很多，在断电的情况下也能保存数据，常用来保存一些重要的配置信息。应用程序可以直接在NORFlash内运行，用户不必把代码再读到RAM中运行。NORFlash的传输效率很高，在小容量时具有很高的成本效益。

NORFlash根据数据传输的位数可以分为并行NORFlash和串行NORFlash，并行NORFlash每次传输多个bit位的数据；而串行NORFlash每次传输一个bit位的数据。并行NORFlash比串行NORFlash具有更快的传输速度。

旺宏电子提供了低价格、高性能、高可靠性的NORFlash产品。包括很多3V的并行NORFlash产品，其容量从4Mb到512Mb不等。此外，针对4Mb和8Mb的产品，旺宏电子还提供了4mm×6mm的BGA封装，非常适合于用在空间要求严格的场所。并行NORFlash分类标准读访问系列

标准读访问系列并行NORFlash有MX29F、MX29LV和MX29SL。它提供8位、16位、8位/16位可选的数据传输方式。电源电压有5V，3V和1.8V。

页面模式读访问系列

MX29GL系列产品提供先进的页模式接口，在读访问和编程操作上都进行了优化，用户可以使用页模式连续读取多个数据。应用命名规则选型表标准读访问系列名称存储密度组织访问时间（ns）封装电压特性5V系列MX29F200CT/B2Mb×8/×1670/9044-SOP,48-TSOP5V装载扇区MX29F040C4Mb×870/9032-TSOP,32-PLCC5V引导扇区MX29F400CT/B4Mb×8/×1670/9048-TSOP,44-SOP5V装载扇区MX29F800CT/B8Mb×8/×1670/9044-SOP,48-TSOP，48-TFBGA5V装载扇区3V系列MX29LV004CT/B4Mb×855R/70/9032-TSOP,32-PLCC3V装载扇区MX29LV040C4Mb×855R/70/9032-TSOP,32-PLCC3V引导扇区MX29LV400CT/B4Mb×8/×1655R/70/9048-SOP,48-TSOP,48-WFBGA,

48-TFBGA,48-LFBGA,48-XFLGA3V装载扇区MX29LV800CT/B8Mb×8/×1655R/70/9048-SOP,48-TSOP,48-WFBGA,

48-TFBGA,48-LFBGA,48-XFLGA3V装载扇区MX29LV160DT/B16Mb×8/×1655R/70/9048-SOP,48-TSOP,48-WFBGA,

48-TFBGA,48-LFBGA,48-XFLGA3V装载扇区MX29LV161DT/B16Mb×169048-TSOP,48-WFBGA,48-TFBGA,48-XFLGA3V装载扇区I/O口电压1.8~3.6VMX29LV320ET/B32Mb×8/×167048-TSOP,48-TFBGA,48-LFBGA,44-SOP3V装载扇区MX29LV321DT/B32Mb×169048-TSOP,48-TFBGA3V装载扇区I/O口电压1.8~3.6VMX29LV640ET/B64Mb×8/×167048-TSOP,48-LFBGA3V装载扇区MX29LV128DT/B128Mb×8/×1690/12048-TSOP,56-TSOP,70-SSOP3V装载扇区1.8V系列MX29SL402CT/B4Mb×8/×169048-TSOP,48-WFBGA,48-TFBGA,48-LFBGA1.8V装载扇区MX29SL800CT/B8Mb×8/×169048-TSOP,48-WFBGA,48-TFBGA,48-LFBGA1.8V装载扇区

页模式读访问系列名称存储密度组织访问时间（ns）封装电压特性MX29GL320EH/L32Mb×8/×167056-TSOP,64-FBGA3V引导扇区MX29GL320ET/B32Mb×8/×167048-TSOP,48-LFBGA3V装载扇区MX29GL640EH/L64Mb×8/×169056-TSOP,64-FBGA3V引导扇区MX29GL640ET/B64Mb×8/×169048-TSOP,48-LFBGA3V装载扇区MX29GL128EH/L128Mb×8/×169056-TSOP,64-FBGA,70-SSOP3V引导扇区MX29GL128EU/D128Mb×8/×1611056-TSOP,64-FBGA3VI/O口电压1.8VMX29GL256EH/L256Mb×8/×1690R56-TSOP,64-FBGA,70-SSOP3V引导扇区MX29GL256EU/D256Mb×8/×1611056-TSOP,64-FBGA3VI/O口电压1.8VMX29GL512EH/L**512Mb×8/×16110R56-TSOP,64-FBGA,70-SSOP3V引导扇区资料下载

\o"旺宏并行/串行NORFlash对比参考指南(英)"旺宏并行/串行NORFlash对比参考指南(英)[694KPDF2009-12-8:2889次]

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MX(旺宏)SPI(串口)NORFLASH

型号

容量

频率

封装

温度MX25L512

512K

85MHZ

SOP-8

-40Cto+85CMX25L1005

1M

85MHZ

SOP-8

-40Cto+85CMX25L2005

2M

85MHZ

SOP-8

-40Cto+85CMX25L4005

4M

85MHZ

SOP-8

-40Cto+85CMX25L8005

8M

85MHZ

SOP-8

-40Cto+85C

MX25L1605

16M

86MHZ

SOP-8

-40Cto+85CMX25L3205

32M

86MHZ

SOP-8

-40Cto+85CMX25L6405

64M

86MHZ

SOP-8

-40Cto+85C

MX(旺宏)Parallel(并口)NORFLASH

型号

容量

读取速度

封装

温度MX29LV002C

2M

70ns

TSOP

-40Cto+85CMX29LV400C、MX29LV040C

4M

70ns

TSOP

-40Cto+85CMX29LV800C、MX29SL800C

8M

70ns

TSOP

-40Cto+85CMX29LV160D

16M

70ns

TSOP

-40Cto+85CMX29LV320D

32M

70ns

TSOP

-40Cto+85CMX29LV640D/E

64M

110ns

TSOP

-40Cto+85CMX29LV128D/E

128M

130ns

TSOP

-40Cto+85CMX29LV256EH/LT2I

256M

150ns

TSOP

-40Cto+85C

ST(意法)SPI(并口)NORFLASH

型号

容量

频率

封装

温度M25P05A

512K

33MHZ

SOP-8

-40Cto+85CM25P10、M25PE10、M45PE10

1M

33MHZ

SOP-8

-40Cto+85CM25P20、M25PE20、M45PE20

2M

33MHZ

SOP-8

-40Cto+85CM25P40、M25PE40、M45PE40

4M

50MHZ

SOP-8

-40Cto+85CM25P80、M25PE80、M45PE80

8M

50MHZ

SOP-8

-40Cto+85CM25P16、M25PE16、M45PE16

16M

50MHZ

SOP-8

-40Cto+85CM25P32、M25PE32、M45PE32

32M

66MHZ

SOP-8

-40Cto+85C

M25P64

64M

80MHZ

SOP-8

-40Cto+85C

SST(超捷)SPI(串口)NORFLASH型号容量频率封装温度SST25VF512A512K33MHZSOP-8-40Cto+85CSST25LF010A、SST25VF010A1M33MHZSOP-8-40Cto+85CSST25LF020A、SST25VF020B2M40MHZSOP-8-40Cto+85CSST25LF040A、SST25VF040B4M50MHZSOP-8-40Cto+85CSST25LF080A、SST25VF080B8M50MHZSOP-8-40Cto+85CSST25VF016B16M50MHZSOP-8-40Cto+85CSST25VF032B32M66MHZSOP-8-40Cto+85CSST(超捷)Parallel(并口)NORFLASH型号容量读取速度封装温度SST39VF0101M70nsTSOP-40Cto+85CSST39VF0202M70nsTSOP-40Cto+85CSST39VF0404M70nsTSOP-40Cto+85CSST39VF1601、SST39VF160216M70nsTSOP-40Cto+85CSST39VF1681、SST39VF168216M70nsTSOP-40Cto+85CSST39VF3201、SST39VF320232M70nsTSOP-40Cto+85CSST39VF6401B、SST39VF6402B64M70nsTSOP-40Cto+85C

Spansion(飞索)Parallel(并口)NORFLASH

型号

容量

读取速度

封装

温度S29AL008D70TFI020

8M

70ns

TSOP-48

-40Cto+85C

S29AL016D70TFI020

16M

70ns

TSOP-48

-40Cto+85C

S29GL032N90TFI040

32M

90ns

TSOP-48

-40Cto+85C

S29GL064N90TFI040

64M

110ns

TSOP-48

-40Cto+85C

S29GL128P10TFI010

128M

130ns

TSOP-56

-40Cto+85C

Winbond(华邦)SPI(串口)NORFLASH

型号

容量

频率

封装

温度

W25P10、W25X10、W25Q10

1M

33MHZ

SOP8

-40Cto+85C

W25P20、W25X20、W25Q20

2M

40MHZ

SOP-8

-40Cto+85CW25P40、W25X40、W25Q40

4M

50MHZ

SOP-8

-40Cto+85CW25P80、W25X80、W25Q80

8M

50MHZ

SOP-8

-40Cto+85CW25P16、W25X16、W25Q16

16M

50MHZ

SOP-8

-40Cto+85CW25P32、W25X32、W25Q32

32M

66MHZ

SOP-8

-40Cto+85CW25P64、W25X64、W25Q64

64M

80MHZ

SOP-8

-40Cto+85C

===========================================================================================并行NORFlash在SOPC开发中的应用类别：嵌入式系统

随着FPGA技术的发展，出现了一种新概念的嵌入式系统，即SOPC（SystemOnProgrammableChip）。SOPC技术融合了SoC和FPGA的优点，将处理器、片上总线、片上存储器、内部外设、I/O接口以及自定义逻辑集成在同一片FPGA中，而且软硬件可裁剪、可升级、可修改，具有软硬件在系统编程能力，在保证高性能的同时具有非常高的灵活性。由于大部分功能部件在FPGA内实现，外部只需要很少的器件，如大容量的RAM、Flash、DAC、ADC等。在系统需要脱离计算机独立运行时（绝大部分情况如此），非易失的存储器件Flash是必不可少的。Flash可以用来存储配置比特流、代码、数据或参数等重要信息。本文以IntelStrataFlash3VMemory系列的JS28F128J3D75并行NORFlash（简称“J3D”）和XilinxFPGASpartan3E系列的XC3S1600E（简称“1600E”）为背景，在结合项目开发经验和参阅相关文献的基础上，介绍了并行NORFlash在SOPC开发中的4种不同应用。1存储FPGA配置比特流1600E工作在BPI（BytewidePeripheralInteRFace）配置模式时，通过专门的引脚与J3D连接，这些引脚在配置完成后可以作为用户I/O使用。连接时，大部分引脚参考1600E的数据手册直接连接即可，但有些引脚需要特别注意。J3D有×8（数据总线宽度为8位）和×16（数据总线宽度为16位）两种工作模式。配置时应工作在×8模式，配置完成后，根据需要可以设置为×8或×16模式。图1为1600E与J3D引脚连接示意图。图11600E与J3D引脚连接示意图若配置后需要切换至×16模式，则需综合考虑1600E的HSWAP脚。HSWAP接高电平时，1600E所有用户I/O的内部上拉电阻禁用，HDC通过4.7kΩ电阻接高电平，LDC2通过4.7kΩ电阻接地，LDC1和LDC0通过4.7kΩ电阻接高电平，同时这3个信号应分别连到J3D的BYTE#、OE#、CE0脚。这样上电后的瞬间，J3D工作在×8模式，且因CE0脚被拉高而处于非选中状态，不会导致对J3D的误操作；然后在1600E的控制下进入配置状态，配置结束可通过控制LDC2输出高电平而将J3D切换为×16模式。HSWAP接低电平时，1600E所有用户I/O的内部上拉电阻使能，LDC1、LDC0和HDC无需外接上拉电阻；而LDC2应接340Ω的下拉电阻，以使上电后J3D工作在×8模式，从而顺利进入配置状态，配置结束后可将J3D切换为×16模式。若配置后工作在×8模式，则J3D的BYTE#脚接低电平，1600E的LDC2悬空。当HSWAP接高电平时，LCD1和LCD0分别连至OE#、CE0脚，同时应通过4.7kΩ电阻上拉；HSWAP接低电平时，LCD1和LCD0不用上拉。配置比特流文件首先通过iMPCT转换成MCS文件，再通过PicoBlazeNORFlashProgrammer（/products/boards/s3estarter/files/s3esk_picoblaze_nor_flash_programmer.zip）下载到J3D中。J3D可以同时配置多块FPGA,也可对同一块FPGA进行多比特流配置。例如先配置一个诊断测试比特流，测试成功后，再重新配置应用比特流。2存储可引导的软处理器代码首先利用Xilinx嵌入式开发工具箱EDK创建一个嵌入式工程，包括MicroBlaze硬件平台和相应的软件工程。在EDK界面下，用鼠标选中创建的软件工程，右击并在弹出的菜单中选择GenerateLinkerScript...项，进入GenerateLinkerScript对话框。将Sections、Heap和Stack指定到BRAM或外部RAM（一般将Heap和Stack指定到BRAM，代码和数据段指定到外部RAM），并指定输出脚本文件名及路径，如图2所示。图2GenerateLinkerScript对话框双击相应软件工程下的CompilerOptions选项，进入SetCompilerOptions对话框，设定LinkScript项为刚才产生的脚本文件，并指定OutputELFFile项的路径与名称。现在可以编译相应的软件工程，产生相应的可执行ELF文件，设为Bootable.elf。在EDK主界面下，用鼠标选择DeviceConfiguration→ProgramFlashMemory,进入ProgramFlashMemory对话框，并按图3进行设置。单击OK按钮，会把Bootable.elf文件自动转为SREC格式，并下载到J3D的指定地址处，同时产生名为bootloadr_0的软件工程。bootloadr_0工程编译后产生的可执行文件executable.elf用来执行引导装载功能，应将其合并到系统比特流syst