乐山高新区a多晶硅项目环境影响报告书

乐山高新区3000t/a多晶硅项目环境影响报告书北京京诚嘉宇环境科技1.总论1.1概述太阳能级多晶硅能有效利用太阳能，太阳能做为一种清洁能源，对我国可持续发展意义重大，2005年3月中华人民共和国主席令33号正式颁布了《中华人民共和国可再生能源法》明确指出了国家发展可再生能源，为了鼓励国家新能源产业的发展，国家发改委高计[2005]509号文件要求组织实施可再生能源和新能源高技术产业化，明确要求解决我国太阳能电池用多晶硅原料生产和光伏产业链发展不平衡的问题。在世界各国，尤其是美、日、德等发达国家先后发起的大规模国家光伏发展计划和太阳能屋顶计划的刺激和推动下，世界光伏工业近年来保持着年均30％以上的高速增长，全球目前多晶硅缺口在6000t左右，专家预测，光伏发电将在新世纪前半期超过核电成为最重要的基础能源之一。多晶硅是半导体工业、电子信息产业、太阳能光伏电池产业的最主要、最基础的功能性材料，多晶硅太阳能电池生产需要多晶硅材料，集成电路用硅单晶生产同样需要多晶硅，其重要性不言而喻。我国多晶硅无论是技术水平还是生产规模上均与世界先进水平有很大的差距，产量仅占世界总产量的0.3%～0.4%，目前主要依赖进口，在缺少国内竞争的条件下，进口多晶硅价格一直居高不下，严重影响了我国信息产业和太阳能利用的发展，因此，本项目建设可提高我国多晶硅的生产能力，不仅对企业发展起重要作用，也对我国信息产业和太阳能利用的发展起到积极的推动作用。硅材料产业是国家鼓励发展的具有广阔前景的高新技术产业，是各地战略投资者高度关注和争相抢占的竞争制高点。乐山市硅材料产业在省委、省政府的大力关心支持下，发展势头迅猛，2007年2月乐山高新技术产业开发区内的新光硅业公司1000吨多晶硅已试车成功。为在乐山高新技术产业开发区进一步发展多晶硅产业，形成乐山市的“硅产业链”，乐山市计划在高新区抓紧推进3000t/a的多晶硅项目的实施。乐山市高新区3000t/a多晶硅项目，是乐山培育硅材料产业集群和打造硅材料百亿园区的重大项目，市委、市政府对此高度重视，专门成立了硅材料产业发展工作领导小组，全力做好协调服务工作。根据《中华人民共和国环境保护法》、《中华人民共和国环境影响评价法》、国务院[1998]253号令《建设项目环境保护管理条例》等有关规定，在项目前期可行性研究阶段，需进行环境影响评价工作，为此，乐山高新区管委会于2007年7月委托国家环境保护总局环境发展中心承担该项目的环境影响评价工作。接受委托后，评价单位详细收集和分析与工程项目有关的基础资料，通过大量调查、监测和模拟，在系统深入的研究基础上，编制了“乐山高新区3000t/a多晶硅项目环境影响报告书”，提交环境保护主管部门审查。1.2编制依据1.2.1法律、法规（1）《中华人民共和国环境保护法》，1989.12.26；（2）《中华人民共和国大气污染防治法》，2000.4.29；（3）《中华人民共和国水污染防治法》，1996.5.15；（4）《中华人民共和国固体废物污染环境防治法》，2005.4.1；（5）《中华人民共和国环境噪声污染防治法》，1997.3.1；（6）《中华人民共和国水土保持法》，1991.6.29；（7）《中华人民共和国清洁生产促进法》，2003.1.1；（8）《中华人民共和国环境影响评价法》，2002.10.28；（9）《中华人民共和国节约能源法》，1998.1.1；善（10）谢《建设项目渣环境保护管德理条例》，觉国务院[1赔998]第紧253号令寸，1998能.11.2学9；旋（11）亭《建设项目喇环境保护分蛮类管理名录丽》皱，君国家环境保寸护总局令第摊14号；躁（12）啦《国务院关层于环境保护得若干问题的干决定》宜，愉国发[19路96]31屈号眠，1996宜.8.6燥；敌（13）带《关于加快桐推行清洁生妻产的意见》殊，公国家发展改头革委乡等十一部委共，2004倚.1；惕（14）袖《关于加强过环境影响评挂价管理防范擦环境风险的享通知》房，舒环发[20回05]15耽2号施；港（15）列《关于检查洗化工石化等时新建项目环恼境奉献的通朋知》，环婶办共[200别6筝]提4幸号暮；腐（16）荐《四川省〈极中华人民共守和国水法〉炼实施办法》床，2005跪.07.0来1；仁（17）众《判四川省子〈夫中华人民共肃和国大气污订染防治法删〉丰实施办法新》，200往2.09.沃01；喷（18）没《四川省环吼境保护条例蛛》，199雀1.07.呀29；颂（19）堡《四川省人攻民政府关于煎加强环境保员护工作的决标定》，台19觉96框年拔11政月辫22刮日摧川府发孙[1996根]42鸦号；浑（20）《核四川省人民册政府关于四岭川省地面水蝴水域环境功闻能划类管理贩规定》，构1992年可1月13日雕川府发[最1992]盟5号播；锡（21）眨乐山市人民暴政府办公厅耽关于印发《群乐山市环境个空气质量功佩能区划分的商规定》的通想知，乐府办堪[1997饱]13号，步1997.不03.19北；种（22）乐迫山市人民政摸府《关于乐龙山市地面水始水域环境功腊能类别的规角定的通知》中，乐府发[骄1993]群10号；抄（23）仗乐山市人民砍政府办公厅父关于印发《凑乐山市中心奔城区环境噪舰声标准适用沸区域划分暂服行规定的通道知》，乐府员办发[19府98]95牌号。岗1目.2.尚2再政策摇规定砖（1）乒《国务院关条于落实科学们发展观加强蝇环境保护的箭决定》柿，栋国发紧[元2005贡]潜39号漂；求（2）序《产业结构党调整指导目瞧录（200殿5年本）》秩，国家发展秆和改革委员挽会第40号深令，200烛5.12.扭2；泡（3）《关慕于进一步加舒强产业政策软和信贷政策览协调配合控尘制信贷风险齐有关问题的态通知》傲，宜发改产业［妹2004］志746号；步（4）框《关于加强哲工业节水工术作的意见》洗，国家经贸钢委等六部委降，国经贸资侍源[200紫0]101景5号，20赏00.10状.25。各1粘.2.绪3应技术导则皆与垮规范锋（1）赔《环境影响增评价技术导渠则债旁总纲》仁（肌HJ/T2蛛.1燃-93据）丧，国家环境役保护局；深（2）尼《环境影响绕评价技术导派则大气环艇境》捏（森HJ/T2览.2-93坚）纱，国家环境资保护局；架（3）多《环境影响猪评价技术导金则地面水源环境》跟（货HJ/T2冲.3-93谦）烘，国家环境伙保护局；余（4）格《环境影响淋评价技术导毯则声环境象》惯（拿HJ/T2翻.4-95初）偏，国家环境逝保护局；集（5）寨《环境影响芳评价技术导悬则非污染疲生态影响》酷（守HJ/T1俩9-199嚷7奸）馒，国家环境蜜保护局塔；叼（6）《建留设项目环境龙风险评价技盏术导则》（属HJ/T1着69-20希04榆），国家环幸境保护总局则；置（7）冰《环境影响旷评价技术导滩则锤石油化工建塑设项目份》垂（惧H销J/T古89慧-裂2003名）疮，国家环境痒保护局；本（8）威《环境影响像评价公众参尾与暂行办法窝》界（辜环发200妻6[28]骗号济），程国家论环境保护单总局。腊1堵.阳2搞.百4讽项目女有关煌资料湿1.2.登4里.1技术资啄料位（1）乐山侨高新区30赵00t/a蓬多晶硅项目仙环境影响评倾价委托书，届乐山高新区肝管委会弊，2007葡年蒙7瞎月；户（2）俩《四川新光仓硅业科技有分限责任公司渗3000t晨/a太阳能当级多晶硅项点目捧可行性研究奇报告充》，阅中国成达工增程公司，2桶006望年胀6更月册；抚（3）佳《肝乐山高新区路3000t盐/a多晶硅盈项目工环境质量现贱状监测报告新》，乐山市虚环境监测站箭，2007撞年7月梅；隐（4）《年共产3000蜜吨多晶硅配剩套渣场项目倍》，乐山市水环境科学研膀究所，20竞07年8月标。狗1.2.饮4卸.2祥项目眠文件趁（1）《关迫于毕乐山高新区盗3000t溪/a多晶硅画项目夜环境影响评尾价执行标准妹的函》，深四川省赌环境保护局殊，赶川函依[200帝7赤]75号桨；姻（2）辰《关于30孤00t/a圈多晶硅项目握取水申请的皇批复》，乐亡山市水利局点，2007餐年8月嘉；沾（3）惹《聋关于乐山市信中心城区2氏003年第或二批城市建垂设用地的批丛复倘》，找四川省人民补政府，川府斩土[200熄3]188膀号；征（4）锁《弯关于乐山市逮2004年焰第一批城市金建设用地的霜批复纪》，静四川省人民序政府资，脂川府土[2抄005]5蛇7号；余（5）拨《四川省国蛛土资源厅关乖于乐山市中锅心城区20偏01年第二闭批城市建设万用地的批复且》，四川省剩国土资源厅暖，川国土资升建范[200横2鹅]赵38百号；杨（6）《关笼于筐对四川省乐副山市高新技恰术开发区区奖域环境影响娇报告书的批凳复软》，择四川省环境吐保护局，川可环吓函汪[200阻2书]孙121坏号；方（7）《汗关于乐山大溉佛风景名胜闪区总体规划绒的函柳》，徒中华人民共灰和国建设部煌，测建城函旋[2006知]屋344歼号慈；我（8）《关鲜于乐山高新勒技术产业开大发区销控制性详细率规划的批复诊》隙，乐山市人布民政府，乐渠府函[20担05]92冠号珠；租（9）《关亲于四川省乐帆山高新技术泄产业开发区炸年产300柏0吨多晶硅属配套渣场项符目环境影响付报告表的批粱复》，乐山页市环境保护仪局，乐市环缠建管[20哪07]41殃3号绝。随1.2.狠4劫.3格规划文本旁（1）《恩乐山市环境仓保护帖“淹十一五俘”鸭规划肿》（初稿）剖，去乐山市环境往保护局，2蹲005年1槽0月鬼；副（2）祥《走乐山高新技蒙术产业开发聋区控制性详登细规划（修德编）闲》，虚西南交通大凡学建筑勘察递设计研究院嘴，乓2005年损9月；甚（3）富《乐山城市穴总体规划》是（敌2003宿－危2023庆），上海同葛济城市规划抗设计研究院耳，2004欺年10月；岭（4）捡《乐山市国绵民经济河社算会发展第十泻一个五年计咱划》，乐山颠市发展和改栗革委员会，忌2006年梁2月；迹（5）补《四川省乐闪山市土地利津用总体规划映》，四川省剩乐山市人民坝政府，19竭99年9月病；箭（6）遥《线乐山大佛风督景名胜区总桃体规划阀》（200侦6），腔四川省城乡基规划设计研蹄究院搏。鹅1.3零评价目的、掏原则瞒络评价目的博根据项目的验性质和特点秧，结合项目鄙所处地区的竿环境特征和恰污染特征，塑分析预测项革目建成后对抄周围环境可虹能造成的影巴响及影响范冒围和程度；瞧提出避免和索减少对环境冰污染的措施脉；从环保的坝角度论证项救目建设的可垂行性；为工绝程设计和项汪目建成后的钥环境管理提泼供基础资料托，为环境保塞护审批提供沈依据，以实草现建设项目抓的环境效益跳、社会效益侨、经济效益辩的统一。海地评价原则泽本着实事求顽是、客观公节正的精神，泰根据本项目扑工程业及劫环境影响复华杂的特点，科确定评价原摇则为：意（四1腊）遵守国家弃和胞四川茫省相关法律娱法规，符合麻相关部门规俊范性文件规天定，满足环辰评技术导则签要求；胞（屯2赏）客观、公截正、全面、拐科学地分析降本项目对环件境的各种影鬼响；阶（绳3内）通过现场歇调查和监测坏获得第一手其数据，保证巧资料数据的选代表性、准炉确性和时效录性，评价方疤法力求先进鸟、定量、可间靠，情景和六工况设定尽欢量接近实际狡情况，评价缠结论中提出伤的对策措施偿具有可操作麻性；道（帮4炊）掉贯彻券“骑产业政策注”企、倦“烂满足规划覆”召、卡“舟清洁生产继”丑、毛“煮达标排放竹”弹、遗“士总量控制覆”黎、蚕“局循环经济钟”爷的原则任；湿（牙5跳）以多种形垫式进行公众址参与。杠1.4统环境影响评转价因子选取热在识别出本材项目主要环斤境影响因素续的基础上，夺筛选出本次华评价的污染胀因子，选择驻对环境影响图较大或环境烟较为敏感的购特征污染因枣子作为本次哪评价的评价乌因子，选取抚结果见表昼1-4-雨1幕。勇表矮1-4-滤1彩项目绩评价因子一鞭览表围评价要素舒评价类型就评价因子地环境空气伙污染源调查镜烟尘、立SO效2业环境现状罗SO鱼2储、校NO化2戏、付PM润10猎、TSP、共HCL临和杨氟化物笨环境影响必HCL、氟头化物、叠NO呼2佳和硅粉尘蝴总量控制箭硅粉尘、H播CL（特征旗污染物）绳风险评价问HCL、氟划化物刊地表水降污染源调查竞CODcr百、氨氮、跟SS办环境现状队pH折、水温、鸦溶解氧巷、剃高锰酸钾指充数厌、懂生化需氧量苹、伸化学需氧量寻、昂氨氮铲、巨石油类原、歪挥发酚烘、叛氟化物秀、狐氯化物洪环境影响过废水进入片污水处理厂光可行性分析免总量控制距CODcr瞧声环境诱现状及影响势连续等效声容级dB(A破)缝固体废物翠固废影响宅工业性固体写废物产生量蠢、处置量和婚处置方式粗1床.纹5桃主要环境伞控制及架保护目标车根据现场调源查，结合本错项目浮排污特征和镰所在区域的柳环境功能及靠环境总体控叙制目标，幅确定环境空昌气保护目标秀为评价区域跌内港居民点、乐掀山市区、归乐山大佛风冤景名胜区勿，地表水环慰境保抹护惨目标为府岷江扒，地下水保掏护目标为厂赶址所在区域坦地下水环境政，主要保护揪目标及功能攻要求见表旗1-5-1圣，分布位置唯见图1-5约-1。酸表花1-5-1免评衔价区内主要任环境静保护目标一叹览表盘环境煌类别责序石号晓环境保护目夜标断区域特征探相对厂址胶方位辉相对厂址巾距离（m）干概况洞（人数）泳环境功能要默求榴环境档空气总1男张家坝贡农村庙SW依3800谋1500百满足《环境扶空气质量标肥准》(G些B3095雹-1996检)二级标准吉（乐山大佛咬满足一级标峰准）灭2脸乐山市技工事学校捕学校溜N霞2000夺10000窃3赵肖公咀（市即区）资城区慕ENE辨5500神——孔4接乐山大佛摔风景区覆E咐5000苏——惨5光车子乡杜家妻场（大佛山赏风景区边缘腥）翅农村、风景患区边缘岛SE塞2000睛2000柜6真车子时镇暖城镇算SSE论2000吵3000窝7尸邢家湾柴农村备SE睁4000榴1800震8鹿乐山市城区割城区般NE亿1000双～熄5000咐56910影7凝地表历水命1并岷江诱过境河流所E孟4000许——倡《地表水环它境质量标准范》净（写GB383姑8-200疼2）献Ⅲ府类标准碰2挂大渡河厉水源地篮N绵1000愧2乏青衣江嘴过境河流寒N乘2000陈地下水央1浩地下水意厂址所在区扰域宗满足《地下碗水质量标准畜》（兽GB/T1选4848-哨93扯）镜Ⅲ蔑类标准腊噪声好1剃厂界卸厂界外击1m矮满足起《工业企业迅厂界噪声标规准》（GB疫12348食-90）枪Ⅲ疏类标准其1菠.努6口评价等级、境评价范围哨及糠评价标准剑1泉.逃6索.1蚕评价等级和因评价范围撤（1）蜜环境空气评挤价工作等级爱和评价范围驴①旺评价等级扰毅所在区域属唐于炒丘陵饱地形爬，吸大气污染物浅等标排放量腿计算结果稀见壮表记1风-吩6简-1克，根据《环械境影响评价伐技术导则赵葛大气环境》邮（伟HJ/T2遍.纳2见-93惠）的评价级著别计算方法朗，判定本项挪目环境空气纺评价计算工秀作等级为三参级。先表绢1-容6-1遇嘱环境空气评乖价等级计算运污林此染彻爸物扣排放量博(t/h距)淹环境标准烛(mg/m淋3让)猫等标排放量关(m再3狱/h)秩判断值鸡评绝先价浸赶级壳遣别澡HCI遇1.9卵×翻10峡-5艳0.05比0.38抱×也10析6评一级处P歉i浇≥乓2.5威×增10烈9花二级三2.5薄×持10殿9散＞年P笛i篮≥者2.5锡×栋10符8势三级竿P梨i悉＜肾2.5湿×堂10严8宪小于三级泪硅粉尘浑1.0虽×话10逢-4邻1.00豆*是0.1沙×态10柄6玻H岸F胆5.0家×限10穴-5冻0.02塑2.5悄×丰10吉6势NO父X爱9.0围×败10铺-5铸0.24燕0.375恩×护10锅6姿②抹吵评价范围脊环境空气卡评价范围子考虑乐山市俩城区及羞乐山大佛风储景名胜区蜂，在三级评骡价基础上对歇评价范围适冤当扩大，评恋价范饰围纲确定将以厂址为中仍心，该以厂址所在挑地主导风向财为主轴，长买1陈0票km计、宽贡10km腐，面积妻1孔0够0km画2泳的矩形区域妨，见图乡1-5-1浸。哗（2）叙水伟环境茫评价工作等炮级和评价范膏围询①击评价等级己地表水：根龙据《环境影铺响评价技术线导则－地面券水环境》（舞HJ/T2谨.3-93膛）划分，本婚项目废水库经厂区污水市处理站后刊，筛达到《污水参综合排放标僵准》呆GB897血8-199垄6糠一级标准，乐通过白滩堰衡排入岷江漫，排水量约演149册m惧3揉/款d视，污水中含迈COD榜、盐等，水骗质复杂程度怜简单，岷江碧多年平均流歪量470残～2700组m肯3天/s芝，属于大河山。减按《关于乐尼山市地面水每水域环境功扮能类别的规客定的通知》谜，评价河段末属蚀Ⅲ摧类水体，弦确定本项目临地面水环境今影响评价为抽三级。割地下水：本饶项目所在区名域地下水属休于《地下水盐质量标准》纽GB/T粥14848兼-93见的背Ⅲ写类地区，本蒜项目葵评价也将在场地及准周围区域地有下水的现状担水质、水文床地质特征等挤调查、分析与基础上，结怀合项目特点惜，香对地下水的灶影响只进行除简要分析异，群提出防止地狭下水污染的唤措施建议。牢②抽版评价范围竖地表水评价靠范围：租岷江开发区岁段废水总排央口上游校1km侧，下游蜡5km酬。叠地下水妥现状港调查和评价挎范围三：厂区边界浮外丑2养km描范围内。影（3）磨声圆环境戚评价工作等捉级和评价范候围套①朗评价等级围根据《环境枣影响评价技敏术导则－声盐环境》（悟HJ/T2硬.4-19巩95国）划分，项籍目厂址属于团乐山高新技旷术产业开发胶区遮，丹厂界隆声环境执行庙3类标准，性项目建成后舌距离声环境掏保护目标较榴远碧，磨因此确定噪永声评价等级京为三舰级。婆②寄裹评价范围骡厂界外但1m烈。牲（4）颗生态评价等视级扮①姜评价等级辣项目占地1跳8.9hm湖2躬，属于开发钻区工业用地除，目前土地坡已平整完毕糟，根据《环器境影响评价抓技术导则－龙非污染生态反影响》（根HJ/T1俘9-199例7钻）规定，对搜生态环境影怎响进行简要骗分析。超②桑火评价范围伪厂界外延衡10痒00m茶（5）先环境风险评给价工作等级漂和评价范围朴①或评价等级拍本项目原料酒、辅助材料片、中间产品询、产品等主绸要物料中，踏三氯氢硅、犬氟化氢等为谷有毒物质，陵存在有毒物缴料泄漏发生休人员伤亡的学危险弯，桥硝酸为具有盆腐蚀性的物社料，具有较太强的腐蚀性穴，对人有灼赴伤危害。井从本项目生野产过程分析俘，重大危险下源主要为物古料的贮存场散所，生产场咸所包括罐区抹。依据本项毛目的危险特包性和使用及秃贮存数量，层生产场所和辞贮存场所为洞该项目的主付要重大危险痕源，尤其是套罐区的贮存终量远大于重演大危险源辩贯识中危险物拴质的临界量赏。罐区存在弹着发生重大号火灾、爆炸宣或毒物泄漏尝，对环境造盈成严重污染从事故的可能核性。可根据《建设辈项目环境风惧险评价技术扯导则》（骨HJ/T恋169-2愁004由）评价工作密等级确定原再则，本项目鬼环境风险评疤价的工作等度级确定为一闹级评价。陡②孝辩评价范围恶环境浑风险券评价范围是朝以桥厂址含中心闲为原点眉，半径为棉5寺km嗓的围成的区刷域漫，见图洗1-5-1甲。视1榜.仍6援.2匀评价标准促根据罚四川省絮环境保护局蔬《鹿关于郊乐山高新区音3000t虑/a多晶硅趁项目摩环境影响评蜡价执行标准庭的函柔》咽（围川足环非评函仇[200等7听]75号烘）批复上，辩本次评价执歪行的评价标馒准如下：鞋材.1环境质汉量标准爽（1）狼环境空气怖SO陈2满、隆NO诚2折、芬TSP涛、泻PM槐10女、窃H盆F复（参考氟化秩物（糖F堆））执行《疯环境空气质亲量标准》（名GB309间5-199笔6秩）二级标准锯，HCl参抖考执行《工汁业企业设计无卫生标准》内（TJ36妈-79）中清表1劲“胸居住区大气期中有害物质膏的最高容许院浓度倘”倡，标准值见蛙表玉1-6-历2习。盆表谦1宗-卫6柜-软2键店研环境空气税质量情标准镰仙（mg/N腿m番3滑）欠质量标准名各称串标准滨级别贷标准值交污染物胆SO榨2乎NO革2掠TSP酬PM总10悲氟化物虑HCl萄《环境空气沾质量标准》侧(GB30毒95-19折96)陆一级矮标准狭1小时平均用0.索15杂0.娘12糠0.020凉日平均酒0.05零0.示0恒8兔0.12位0.05计0.007亦年平均蛋0.02册0.0凡4买0.08怨0.04远二级赌标准咐1小时平均喷0.50漏0.24捉0.020烘日平均抗0.15奶0.12辱0.30棚0.15芳0.007祥年平均快0.06恨0.08宾0.20锈0.10景《工业企业碑设计卫生标僚准》（TJ山36-79番）娇一次倦0.05悦日均映0.015台（2）地表客水纳地表水戴岷江厂址段砌上下游培执行《地表链水环境质量锋标准》（G昼B3838范-2002拴）秤Ⅲ杜类标准，孤标准值见表丑1-6-与3疲。首表谁1宵-6辽-切3喘杜黄地表水环始境质量标准脂虏(mg/L某，pH除外羽)总序号宫污染物辣Ⅲ严类标准限值寿序号或污染物暂Ⅲ创类标准限值娱1啦pH芹6～9灵6庸氨氮枣≤晒1.0该2恼溶解氧库≥撤5离7盘石油类将≤融0.05奖3代高锰酸兴盐蔬数料≤系6波8吵挥发酚灰≤旋0.005耐4写BOD爪5庆≤覆4受9垫氟化物路≤尺1.0笔5湿COD胞≤绍20叹10泊总磷挣≤格0.2更（3）地下饰水视评价区域累地下水执行涨《地下水质下量标准》（阴GB/T1宽4848-料93）冷Ⅲ辱类标准，泡标准值果见即表但1站-6暖-患4受。奉表五1欢-泪6-降4孕遣地下水质选量标准颜答（mg/L支，败pH除外）估序号钱项目叉Ⅲ卖类标准限值惨序号怒项目铜Ⅲ五类标准限值缴1刃pH韵6.5～8听.5当6伴亚硝酸盐氮缸≤查0.02仰2肚总硬度更≤姻450姓7岸氨氮湿≤泰0.2框3明溶解性总固粥体号≤捷1000赴8市氟化物萌≤捷1.0好4凉高锰酸盐指年数纠≤夜3.0甜9钩氰化物应≤甲0.05访5贩硝酸盐氮仰≤导20麻10虎硫酸盐缩≤佩250凳（4）声环盐境止厂址区域匹声环境植现状执行软《城市区域绳环境噪声标长准》（GB隔3096-久93）3类鸽标准，标准番值筐见表印1弦-青6-漏5模。呈表炒1-6-5货噪景声评价标准欧功能区类型填执行的标准傅和级别女标准值[d非B(A)]数昼间仇夜间胖环境噪声阴《城市区域福环境噪声标珍准》宪（GB30胳96-93厕）3类榜65匪55挨泉.2污染物陆排放标准腹（1）大气妥污染物睬本项目生产钱中排放的废火气执行《大身气污染物综洞合排放标准分》岸（GB怜16297离-抬1996撇）烟表2新污染浅源二级排放侄标准，锅炉府执行《锅炉范大气污染物炼排放标准》猪（GB僚13217糊-已2001离）柴中塑Ⅱ绘时段标准，莲导热油加热锯炉执行《工售业炉窑大气猫污染物排放析标准》表2习二级标准，印标准值见表其1-6-乐7摄～抄表1-6-隆9焰。卧表特1贱-案6瓶-7剑答抢回大气纳污染物排放凤标准亡添（mg/N凳m度3聚）纤污染物熊最高允许司排放浓度丛mg/m傅3父排气筒正高度盈m舌排放速率吸kg/h合无组织监控如浓度限值询mg/m症3奴备注妨SO与2成550印15灿2.6阔0.4堵GB162毁97-19晒96秀表闯2卧中二级锐30忧15竟40烟25盯NOX雄（以嘱NO颂2挥浙计）绒240缘15迟0.77伸0.12惑30导4.4零40脱7.5遍颗粒物龄120卫15辉3.5设1.0牛20选5.9拼30狼23率HCl榆100颈15搏0.26折0.20麦20败0.43情30散1.4亭HF促（参照氟化诚物标准）惯9.0勺15咸0.10拥0.02绸30深0.59沃40最1.0萝表虾1-6-傍8陕锅炉大气污陆染物排放标价准木锅炉类别币烟尘吐烟气黑度炼SO玩2弓NO弹X请燃气锅炉已燃气句10聋Ⅰ休100纤400典1-6-现9检黄工业炉窑大灯气污染物排球放标准傲炉窑类别微烟尘甩加热炉肥非金属加热匹炉雨200诊（凶2游）水污染物硬本项目生产爱过程中排出黎的工艺污水侍先进入厂区野的污水处理惨站，处理达貌标后通过篮白滩堰排入推岷江炉。排水执行滑《污水综合池排放标准》志GB897四8-199这6将一级标准瞧。具体标准避值见表革1立-6趋-糟10裤。武表横1-6-盗10抹污水六综合排放标隐准愉（mg/L志，变pH除外）部项目精标准值独备注和pH(葛无量纲勺)蒸6仙～坛9酒《污水综合约排放标准》快GB897艰8-199临6怒一级标准钱SS梳70悠CODcr挣100垃氨氮树15雪BOD论5毫20捧石油类袋5事氟化物驴10（3）噪声侄厂界执行《妈工业企业厂坝界噪声标准析》（娘GB过1234钱8-90）朋Ⅲ偿类标准，施口工噪声朝《建筑施工谦厂界噪声限盾值》乱（馆GB吓12523厨-90多）标准，标明准值件见表乳1粮-浪6宰-度11朵。语表阴1-6-腐11声造噪声评蜂价标准吉标准名称和旗类别灾噪声限值（图dB）侨昼间沫夜间丢《袍工业企业厂拢界噪声标准凳》（制GB互12348蚀-90）蓝Ⅲ旅类标准必65神55讽《建筑施工违厂界噪声限除值》（醉GB泡12523袍-90）依65-85桐55弓缠.3灰控制标准在（退1）须固体废物执帝行胡《危险废物按鉴别标准》充（GB50俩85.米1厕～3-19轮96）、紧《一般工业凶固体废物贮膨存、处置场攀污染控制标偶准》轨（GB18认599-2咱001）旨及《孙危险废物贮轮存污染控制础标准语》叮（GB12太525-2断001）抹；气（2）《环前境保护图形钩标志排放口垄（源）》（顿GB155晃62.1-栗1995）盯；吐（3）《环麻境保护图形仿标志固体虾废物贮存（葵处置）场》己（GB15裕5562.脊2-199磨5）斜（4）辉重大危险源异识别采用《鸭重大危险源舅辩识》呀GB182借18-20优00求。捉1证.夸7迹评价重点仇（1）工程升分析绒；锡（2）桥环境质量现题状调查与评贡价；黎（功3漏）环境空气殃影响杆预测与辉评价咸；飞（4）飞污染防治措炕施及其技术拨可行性分析剑。纲2梨.工程概况毁2.1建设豪项目名称、垄地点和建设泛性质臭项目名称：帽乐山高新区沫3000t繁/a多晶硅果项目泄项目性质：混新建狗慰肆建设地点：耽乐山高新技差术产业开发泰区建业大道餐以南，乐高帽大道和茶山帅路之间。岁2.2建设魄规模、产品赵方案及年操推作时间储努建设规模砍多晶硅装置勒300效0吨/年俘拐产品方案萍主产品狂30位00吨/莲年电路级多纠晶硅灭副产物伯四氯化硅爷（高沸物，悟工业级，含趴SiCl毙4晓≥其95%记）属航三楚氯氢硅（低项沸物，工业科级，含Si愧HCl旺3堂键≥宴94%迅）植衬年操作时间轮本项目年操济作时间74莫40小时。改2.3枕产品性质、笨规格及用途劣向多晶硅(岛Si，产品览)束2概.3.1司.1销性质邮多晶硅示具惭灰色金属光招泽迎，限熔点座1410敏℃绢、上沸点咱2355永℃瞧、弹密度乓2.32～辽2.34灭，祥溶于氢氟酸犹和硝酸的混五酸中，不溶佩于水、硝酸懒和盐酸蜘。变多晶硅按纯堵度分类可以疲分为冶金用号硅、太阳能岛级、电子级跳。冶金用硅炎是硅的氧化晚物在电弧炉秘中被碳还原庸而成，一般蓬纯度为97贴～99.3津%，最高可湾达99.8爬%以上。电剑子级硅一般按要求纯度高柴于99.9砌999%以街上，超高纯严达到99.象99999破99%～9欣9.999背99999啄9%（一般惕称9个9至捉11个9）晓，其导电性骨介于10-栋4～101赶0欧厘米。哭太阳能级多拜晶硅纯度介套于冶金级硅北与电子级硅迹之间，至今匹未有明确界蜓定。一般认雅为纯度在9碌9.999坦9%左右绪。春嗓.2倡规格俱本项目多晶差硅产品的规鼓格和质量指午标见表杆2-3-1抗。红表坡2-3仓-代1切润多晶硅培产品规格和辛质量指标玉指标名称带产品规格及锤质量指标更Si尤99.99办999%苦w(太阳能董级)煌受主水平冲N-300字0粗Ω竹斗施主水平敞P-300绘Ω签.c斥B含量赏≤巾0鬼.虎003pp朗bw手P含量纳≤门0污.套3ppb肥C含量鼻≤领100pp绩b累体内金属含赢量慕<0.5p忍pbw雀(Fe鹿 徒、Cu、Z设n、Cr、闻Ni纹)诞形态阀表面无氧化敌夹杂物，呈和银灰色，带遭有金属光泽性，狱矛表面金属杂婶质含量狗：炼Fe治0.25p禾pb计a/0.5叮ppb扎w剖Cu成0.025资ppba惕/0.05表ppb原w姓Ni罗0.05p添pba/轻0.1pp她b筐w牧Cr索0.055介ppba稼/0.1p畅pb企w哥Zn券0.13p傲pba/娱0.3pp舰b弃w惠Na德0.98p放pba/氧0.8pp干b壤w随桶.3么产品真用途约多晶硅材料遭是以金属硅纷为原料经一美系列的物理点化学反应提赤纯后达到一货定纯度的硅区材料，是硅寨产品产业链铅中的一个极茅为重要的中嘉间产品率。是肺电子工业中终广泛用于制歇造半导体收合音机、录音酱机、电冰箱睡、彩电、录假像机、电子唯计算机等的台基础材料飘。江多晶硅是单烛晶硅及硅片培产品的唯一当原料，用多固晶硅加工制侮成的硅片悉(维硅抛光片、课太阳能级硅准片壁)拿主要用于制俗作集成电路术、整流元件退、功率晶体昆管、分立器借件、探测器真、太阳能电目池等半导体各器件。咽票四氯化硅(渐SiCl撑4意，副产物)痛即.1训性质花四氯化硅纳无色透明馆发烟液体宾，愉具有难闻的垃窒息性气味蒜。跪熔点际-70庆℃赛、副沸点鼻57.57辽℃签、岩相对密度拦1.483筐，系可与苯、乙忧醚、氯仿、站石油醚、四洋氯化碳、四摧氯化锡、四少氯化钛、一挤氯及二氯化危硫以任何比窃例混溶购。夺辞.2枝规格饿四氯化硅(安高沸物)稍工业级史含S而iCl吴4吩≥困95%甘摊.3守产品瑞用途膀用于制硅酸恨酯类、有机于硅单体、有傅机硅油、高滑温绝缘材料个、硅树脂、鲁硅橡胶等，势也用作烟幕暖剂碗。茎抢三氯氢硅(胆SiHCl槽3壤，副产物)纳蚊忌.1棉性质狗三氯氢硅尿无色液体。障熔点枪-膝126.5相℃雁、马沸点皮33幸℃劲、盆相对密度矛1.历34，惨溶解性刑能东溶耗于二硫化碳毕、四氯化碳泄、氯仿、苯忍等。毙矮.2庭规格茂三氯氢硅(法低沸物)贵工业级赖含S拿iHCl宏3针≥拣94%容昼.3置产品员用途聋用作高分子锁有机硅化合估物的原料，眼也是生产半吵导体硅、单纳晶硅的原料脖。村2.4项目香组成夜本项目多晶挖硅生产装置乖以及配套的绪公用工程和偿辅助设施详裹见表锦2-4-1恩。语表闻2-4-1硬榨项目组成改一览表爱序号利项目分类绍主要内容燃主要环境问朝题劣施工期肺营运期贺一卵主体工程零·滩30敏00t/a晃太阳能由级多晶硅装弃置性包括：三氯储氢硅合成、列合成气干法阅分离、氯硅艘烷分离提纯慕、三氯氢硅欺氢还原、还糊原尾气干法硬分离、四氯锄化硅氢化、背氢化气干法科分离、氯硅辨烷贮存、硅顽芯制备、产婶品整理、废唇气和残液处云理、工艺废件料处理钞扬尘、废水慨、建渣、机两械噪声汤废气、废水哥、固废、噪貌声批二换公用工程泥·薪供水、排水般、循环水、洞脱盐水、供摘电、电讯、踩自动控制系专统、供热、防冷冻站、空妨压制氮站、奉中央分析及钩监测焰废气、废水编、噪声擦三厦贮运及辅助百设施削·知储运设施、义维修、污水覆处理站、渣爱场吐废水、无组脂织废气、固础废、噪声身四汤办公及生活咽设施翼·祖拟建厂前区炒，设办公楼珍和倒班宿舍杠等。本项目斧定员约刊人。怎废水、固废乐山高新区3000t/a多晶硅项目环境影响报告书·简本国家环境保护总局环境发展中心凡2.5琴主要工艺技铁术方案华、工艺流程决及产污分析枕斧工艺技术方想案叉目前国际上般多晶硅生产醋工艺有70种%以上均采窜用改良西门陈子法，如：山德国WAC染KER公司变、美国HS回C公司、日缓本德山、三畏菱、住友公滋司、意大利竭MEMC公价司、国内的掀洛阳中硅集塑团、峨嵋半汉导体材料厂疏以及新光硅负业科技公司顿的1260局吨/年多晶爽硅装置等的野生产工艺均吼属此类，均晋经由三氯氢懂硅的氢还原领反应获得多弱晶硅产品。贷另有硅烷法殊多晶硅生产毁工艺，是用聋硅烷进行热芦分解生成多窜晶硅。与经鲜由三氯氢硅掉反应的改良易西门子法相芦比，该方法贼对生产的安评全性要求及衫总生产成本踏均更高，故岗此法采用不丘多，其技术律的改进和提寸高还在研究芬中。牲随着光伏产吨业的飞速发苏展，太阳能效级多晶硅的淋需求迅速增脖长，新一代阅低成本多晶已硅工艺技术枣的研究空前伞活跃。如：垂德山曹达的弃熔融析出法布（VLD工宿艺），采用蛋筒状反应炉粘，析出液体读状硅；瓦克偿的沸腾床法死，采用FB撕R型反应器杠，生成粒状门硅等等，但派这些工艺均僚尚处于研究陵或试验阶段于。械砌工艺技术路皆线的确定鞋从以上所述督多晶硅生产明的主要工艺孔技术的现状显和发展趋势烘来看，改良缺西门子工艺唉能够兼容电尝子级和太阳感能级多晶硅胸的生产，以爽其技术成熟奥、适合产业劲化生产等特蒜点，仍是目怎前多晶硅生战产普遍采用尾的首选工艺垄。故本项目舰1500吨标/年电路级滤多晶硅装置题采用改良西唉门子法生产葛多晶硅。剑目前国内采易用改良西门泄子法生产多铜晶硅的技术件来源，主要努有国内自有秧技术、引进目俄罗斯技术捕和引进隆欧洲(德国依、意大利等然国)丛技术潮、产引进美国G唤T公司、D纽EI公司技知术等。国内掠技术整体上横还不很成熟只，原料和公邮用工程（电偿等）消耗较抗高，但软件筝费用低；俄蓝罗斯技术，鼠原料和公用斯工程消耗比败国内技术略久低，在国内爪已有在建装叠置；美国公枪司的生产技伍术先进，也瑞较为成熟，辆消耗比国内扒技术低，但旗软件费用相某当昂贵，而词且还有出口鹊限制等问题棕。三种技术允均可选，在赛技术谈判和挺商务谈判阶骂段需进一步绸综合比较帝方可选定沟。本可研，桶暂按引进止技术结合国每内揭技术考虑。批工艺流程见禁图敌2-5-1圈。英元反应原理筑30抖00吨/年抖电子级多晶袜硅装置工艺谨流程由以下浆主要工序组怨成：砌(射1电)秤叠三氯氢硅合虚成工序汪(洒2狡)示锦合成气干法姿分离工序半(戚3荷)价灿氯硅烷分离挠提纯工序脾(述4侍)粒呢三氯氢硅氢筒还原工序宅(茅5课)龟忧还原尾气干朱法分离工序悬(欣6谜)洋丢四氯化硅氢件化工序徒(溉7嫩)代帅氢化气干法梦分离工序真(8鼻)若饥氯硅烷贮存烘工序泪(绞9巡)为齿硅芯制备工分序魄(1硬0捕)苦厉产品整理工蒙序齿(1歇1说)填农废气和残液直处理工序签(1枯2障)掏惭工艺废料处迫理工序纠2养.5.3睡.1广三氯氢硅合候成毕在一定温度煎下刘，晶体醉硅惜与搂氯化卡氢的发生反缴应生成惧三氯氢硅屠和四氯化硅帆。辟同时，生成灰硅的高氯化仓物的副反应堆，生成Si通n淡Cl桌2n+2壁系的聚氯硅应烷及Si表n块H距mCl(却2n+2香)-m否类型的衍生船物。主反应：副反应屋校.2兆合成气干法意分离工序布经三级旋风胶除尘器组成密的干法除尘腹系统除去部谷分硅粉洲，遵经低温氯硅舱烷液体洗涤堂、分离成氯补硅烷液体、茂氢气和氯化贿氢气体，分暴别循环回装析置使用染。磨押.3鹊氯硅烷分离工提纯工序乏氯硅烷的分郊离和提纯是民根据加压精建馏的原理，只通过采用合稍理节能工艺乏来实现的。举该工艺可以卸保证制备高蔬纯的用于多仆晶硅生产的觉三氯氢硅和托四氯化硅（利用于氢化）竖。乘氯硅烷的冷铺凝物输往其赴深度净化单脱元，主要丧有技：拆●瓣将主体组分锤进行分离锋（挖三氯氢硅，棋四氯化硅及压聚氯硅烷挖）捡●弃将三氯氢硅新中的杂质形汉态稳定化浪●聚将低沸点的量杂质和高沸怖点的杂质从证三氯氢硅中孕进行深度清宅除筒●润清除四氯化谎硅中的高沸遍点杂质秋●传将聚氯硅烷圣和固体颗粒辞浓缩蚀●宜将氢还原和卵氢化设备中廊的冷凝物进诞行分离和提晚纯或扩.4元三氯氢硅氢垂还原工序扔在原始方形杏硅芯棒上沉乎积多晶硅。榴嫩.5抓还原尾气干秋法分离工序客还原尾气干践法分离的原宿理和流程与冶三氯氢硅合颗成气干法分屡离工序十分喉类似。塘僵.6惠四氯化硅氢筛化工序予在三氯氢硅酬的氢还原过候程中生成四季氯化硅，在滩将后者冷凝没和肥脱除三氯氢浙硅之后进行苗热氢化，转煤化为三氯氢拢硅悲。右众.7仔氢化气干法舒分离工序胶从四氯化硅树氢化工序来安的氢化气经倍此工序被分震离成氯硅烷技液体、氢气更和氯化氢气肝体，分别循电环回装置使煤用。氢化气铲干法分离的浑原理和流程转与三氯氢硅哥合成气干法描分离工序十虚分类似。锄杠.8独硅芯制备工陡序棵硅芯制备过熔程中，需要社用氢氟酸和埋硝酸对硅芯武进行腐蚀处纪理，再用超捧纯水洗净硅恶芯，然后对绳硅芯进行干赴燥。悉档.9安产品整理工务序劝用氢氟酸和傲硝酸对块状诞多晶硅进行归腐蚀处理，押再用超纯水透洗净多晶硅阶块，然后对有多晶硅块进窗行干燥。弃枝.10冲废气和残液定处理工序件A．废气净次化尖用10%N嫁aOH溶液冬洗涤，废气慢中的氯硅烷胶（以SiH罗Cl3为例蓄）和氯化氢纵与NaOH狭发生反应而杨被除去：毕废气经液封护罐放空。数含有NaC和l、Na2井SiO3的夸出塔底洗涤贱液用泵送入吐工艺废料处晕理工序。招B．残液处轮理雁从氯硅烷分卵离提纯工序堂中排除的残夺液主要含有饰四氯化硅和切聚氯硅烷化督合物的液体俊以及装置停似车放净的氯盛硅烷液体加航入石灰乳液朋中和废液中年的氯硅烷等许和而被转化歉成无害的物织质。坟水解和中和取反应迁经过规定时序间的处理，捡用泵从槽底恳抽出含H4焦SiO4、漫NaCl2匆、H4Si盼O4、Na快2SiO3少的液体，送滚往工艺废料丛处理工序。渣道.11肺工艺废料处艘理工序距A刑．损Ⅰ喘类废液处理络来自氯化氢益合成工序的殿废酸、液氯转汽化工序的愁废碱、废气地残液处理工题序和废硅粉振处理的废液走等在此工序令进行混合、砌中和后，经师过压滤机过穷滤。滤渣（拼主要为Si喘O2、Na帆Cl等）送菌渣厂堆埋。垄滤液主要为坏NaCl溶赵液，进行蒸牵发、浓缩和梁结晶。蒸发宅冷凝液循环狂利用（配置炎NaOH溶腐液），结晶来固体氯化钠与等外售或填赠埋。谈B盛．滔Ⅱ忌类废液处理宽来自硅芯制举备工序和产贪品整理工序桐的废氢氟酸筋和废硝酸，砍用碱液中和辣，生成的氟帜化钠和硝酸严钠溶液，进虎行蒸发、浓安缩和结晶。嫁蒸发冷凝液妇循环利用（简配置NaO饥H溶液），窄结晶固体氟付化钙和硝酸园钠等外售或臭填埋。钓在对废弃的户酸洗溶液和月处理石灰乳边液时产生的风污水进行混泄匀时发生的香矿物酸中和扎伴随着下列永方应：仿汗工艺流程及突产污分析甘难.1狡氢气制备与室净化工序湿在电解槽内普经电解脱盐凤水制得氢气诱。电解制得气的氢气经过愉冷却、分离权液体后，进瓶入除氧器，唇在催化剂的坚作用下，氢绳气中的微量庆氧气与氢气玉反应生成水仙而被除去。辞除氧后的氢蔬气通过一组续吸附干燥器彩而被干燥。折净化干燥后云的氢气送入池氢气贮罐，身然后送往氯利化氢合成、农三氯氢硅氢棉还原、四氯铲化硅氢化工谨序。墙电解制得的店氧气经冷却估、分离液体肆后，送入氧探气贮罐。出守氧气贮罐的大氧气送去装败瓶或放空。炉转.2眠三氯氢硅合龄成工序犬原料硅粉经马吊运，通过释硅粉下料斗线而被卸入硅孤粉接收料斗毕。硅粉从接医收料斗放入陪下方的中间巧料斗，经用漏热氯化氢气巨置换料斗内弊的气体并升迟压至与下方闹料斗压力平乞衡后，硅粉蚂被放入下方系的硅粉供应危料斗。供应处料斗内的硅肾粉用安装于抱料斗底部的守星型供料机战送入三氯氢愤硅合成炉进强料管。涌从氯化氢合震成工序来的迅氯化氢气，梨与从循环氯烛化氢缓冲罐家送来的循环锋氯化氢气混渐合后，引入滋三氯氢硅合怜成炉进料管挨，将从硅粉农供应料斗供次入管内的硅卸粉挟带并输菜送，从底部静进入三氯氢毛硅合成炉。瞧在三氯氢硅艰合成炉内，沃硅粉与氯化乐氢气体形成推沸腾床并发河生反应，生括成三氯氢硅沙，同时生成伤四氯化硅、甚二氯二氢硅尸、金属氯化宝物、聚氯硅雕烷、氢气等麦产物，此混帖合气体被称孙作三氯氢硅谦合成气。反药应大量放热芹。合成炉外馒壁设置有水肿夹套，通过确夹套内水带壤走热量维持筹炉壁的温度怠。惊出合成炉顶姐部挟带有硅钥粉的合成气技，经三级旋赏风除尘器组其成的干法除勤尘系统除去寿部分硅粉后坝，送入湿法爆除尘系统，枝被四氯化硅止液体洗涤，面气体中的部膨分细小硅尘涝被洗下；洗来涤同时，通专入湿氢气与熔气体接触，鄙气体所含部超分金属氧化池物发生水解币而被除去。靠除去了硅粉定而被净化的疗混合气体送壳往合成气干冲法分离工序面。监威.3餐合成气干法误分离工序丰从三氯氢硅抽氢合成工序丽来的合成气姓在此工序被壮分离成氯硅丈烷液体、氢谎气和氯化氢嗽气体，分别喘循环回装置班使用。波三氯氢硅合暑成气流经混效合气缓冲罐宏，然后进入洒喷淋洗涤塔魄，被塔顶流功下的低温氯驾硅烷液体洗隔涤。气体中钱的大部份氯落硅烷被冷凝址并混入洗涤宏液中。出塔绪底的氯硅烷烟用泵增压，蜜大部分经冷耍冻降温后循桨环回塔顶用颗于气体的洗孤涤，多余部业份的氯硅烷突送入氯化氢扶解析塔。以出喷淋洗涤墨塔塔顶除去顾了大部分氯坦硅烷的气体浊，用混合气塌压缩机压缩辉并经冷冻降咱温后，送入盯氯化氢吸收福塔，被从氯哪化氢解析塔糊底部送来的旋经冷冻降温西的氯硅烷液宝体洗涤，气舍体中绝大部历分的氯化氢眯被氯硅烷吸俘收，气体中必残留的大部逝分氯硅烷也嫁被洗涤冷凝青下来。出塔开顶的气体为齿含有微量氯努化氢和氯硅雪烷的氢气，势经一组变温峰变压吸附器弟进一步除去赏氯化氢和氯素硅烷后，得棕到高纯度的笼氢气。氢气逼流经氢气缓兼冲罐，然后汗返回氯化氢意合成工序参隐与合成氯化障氢的反应。摊吸附再生气栏含有氢气、扭氯化氢和氯猪硅烷，送往毒废气处理工查序进行处理丧。蒸出氯化氢吸眼收塔底溶解详有氯化氢气慧体的氯硅烷欧经加热后，无与从喷淋洗摩涤塔底来的夹多余的氯硅馋烷汇合，然禁后送入氯化隔氢解析塔中国部，通过减姑压蒸馏操作互，在塔顶得握到提纯的氯隔化氢气体。洪出塔氯化氢巩气体流经氯斤化氢缓冲罐傻，然后送至电设置于三氯集氢硅合成工衡序的循环氯流化氢缓冲罐材；塔底除去铺了氯化氢而碑得到再生的火氯硅烷液体河，大部分经惜冷却、冷冻稠降温后，送表回氯化氢吸怜收塔用作吸宗收剂，多余讨的氯硅烷液切体（即从三唯氯氢硅合成省气中分离出中的氯硅烷）上，经冷却后望送往氯硅烷岸贮存工序的冶原料氯硅烷银贮槽。虑舞.5矩氯硅烷分离去提纯工序脂在三氯氢硅疾合成工序生莫成，经合成初气干法分离刻工序分离出钟来的氯硅烷叛液体送入氯丝硅烷贮存工郊序的原料氯门硅烷贮槽；踢在三氯氢硅犹还原工序生求成，经还原沃尾气干法分柱离工序分离谢出来的氯硅生烷液体送入谷氯硅烷贮存蜻工序的还原天氯硅烷贮槽点；在四氯化丑硅氢化工序繁生成，经氢龙化气干法分体离工序分离榆出来的氯硅漏烷液体送入摧氯硅烷贮存箱工序的氢化骗氯硅烷贮槽应。原料氯硅砍烷液体、还鹿原氯硅烷液浅体和氢化氯脖硅烷液体分雁别用泵抽出荒，送入氯硅虾烷分离提纯挖工序的不同斤精馏塔中。砌从原料氯硅茶烷贮槽送来肺的原料氯硅裙烷液体经预茫热器预热后役，从中部送胆入1级精馏厘塔，进行除伞去低沸物的垮精馏操作。取塔顶排出不铃凝气体和部狐分二氯二氢齐硅，送往废扣气处理工序哲进行处理；枯塔顶馏出液织为含有低沸叶点和高沸点厨杂质的三氯挤氢硅冷凝液勇，依靠压差万送入2级精经馏塔；塔釜允得到含杂质台的四氯化硅蓝，用泵送四岩氯化硅回收耳塔进行处理赴。案2级精馏塔套为反应精馏鼓，是通过用案湿润的氮对龟三氯氢硅处守理，把其中纯易于水解的薯杂质化合物谨转化成难于坟挥发的形态钓，以便用精槽馏的方法除窄去。2级精膝馏为双系列腐生产线。2企级精馏塔塔馋顶排出不凝桑气体同样送辛往废气处理扎工序进行处森理；塔顶馏薯出三氯氢硅注冷凝液，依骄靠压差送入数沉淀槽；塔太釜含悬浮物驾的釜液，用到泵送至四氯科化硅回收塔僵进行处理。范3级精馏目杰的是脱除三座氯氢硅中的种低沸点杂质伏。三氯氢硅妙清液经三级然进料预热器诞后，进入3揭级精馏塔中骄部。塔顶馏验出含有二氯姓硅烷和三氯才氢硅的冷凝猫液，靠位差灾流至二级三咬氯氢硅槽；瓜塔底釜液为院三氯氢硅，月用泵送入4折级精馏塔。基4级、5级喜精馏目的是承分两段脱除编三氯氢硅中鸦的高沸点杂秩质。3级釜内液送入4级壮精馏塔中部伸。4级塔顶将馏出三氯氢支硅冷凝液，葬靠位差流至车5级精馏塔寸，进行脱除虫高沸点杂质峡的第二阶段带。5级塔顶链馏出的三氯犹氢硅冷凝液李送入五级冷箱凝液槽，一欢个贮槽注满跳后分析三氯卖氢硅是否符桐合工业级三脱氯氢硅对杂默质含量的要珠求，在分析鸡有效的情况傅下，工业级野精制的三氯杏氢硅从贮槽敢靠位差流至步8级精馏塔仆。4级、5闻级塔釜排出丑的含有高沸县点杂质的三另氯氢硅，用贯泵送入二级决三氯氢硅槽钟。字从5级塔顶寿馏出的三氯雕氢硅，在6运级精馏塔进手行最终脱除迫三氯氢硅中捆的高沸点杂辉质的过程。这6级塔顶馏华出物为去除播了高、低沸叛点杂质的精权制三氯氢硅研，分析符合证多晶硅生产碧的质量要求线后，靠位差其流至多晶硅作制取工序。辽塔底釜液为醉含高沸点杂摆质的三氯氢垫硅，用泵送屑至二级三氯绵氢硅槽。火还原氯硅烷凑冷凝液经7碌级进料预热晓器进入7级陷精馏塔。塔筹顶馏出物为版三氯氢硅，修靠位差流至槽8级精馏塔装；塔底釜液给为四氯化硅奸，经分析符蚀合质量要求它后，用泵将歌其部分送去痕四氯化硅加伯氢，部分送岸往氯硅烷贮炸存工序的工压业级四氯化贺硅贮槽。笔8级精馏塔昌用于还原氯依硅烷中高沸色点杂质的脱爷除。塔顶馏毅出物是精制馅的循环三氯辨氢硅，送入府8级冷凝液诸槽，经分析还符合质量要营求后，精制院三氯氢硅靠浙位差循环回饱多晶硅制取肆工序。塔底心釜液是含有池高沸点馏份茧的三氯氢硅丘，用泵送至涛二级三氯氢再硅槽。巧四氯化硅氢预化后的氯硅布烷冷凝液，墙经9级进料城预热器连续骂送入9级精陕馏塔。塔顶灰的馏出物是冒三氯氢硅，司连续送往1氧0级精馏塔岭，进行进一适步精馏。塔如底釜液是含评有高沸点杂其质的四氯化杯硅，用泵连肢续送往11拌级精馏塔。档9级精馏塔熊塔顶馏出的沃三氯氢硅在滔10级精馏酒塔中脱除高维沸点杂质。蒜10级精馏对塔塔顶馏出雀物是精制的抱循环三氯氢饼硅，送入1救0级冷凝液昆槽，经分析菊符合质量要艰求后，精制啦三氯氢硅靠丢位差循环回饱多晶硅制取市工序。塔底沙釜液是含有速高沸点馏份碗的三氯氢硅粉，用泵送至想二级三氯氢铲硅槽。次11级精馏涌塔的进料为杰9级精馏塔锁釜液。塔顶设馏出物是精仍制的循环四婆氯化硅，经庭分析符合质捧量要求后，寄用泵送去四旁氯化硅加氢纵工序。塔底促釜液是含有句高沸点杂质心的四氯化硅快，送往氯硅促烷贮存工序慰的工业级四总氯化硅贮槽琴。嘉持.6式三氯氢硅氢衬还原工序父经氯硅烷分访离提纯工序茄精制的三氯烛氢硅，送入榆本工序的三新氯氢硅汽化西器，被热水蛋加热汽化；脾从还原尾气判干法分离工堂序返回的循捡环氢气流经税氢气缓冲罐怕后，也通入蔽汽化器内，贡与三氯氢硅晴蒸汽形成一旋定比例的混乒合气体。贫从三氯氢硅布汽化器来的块三氯氢硅与粥氢气的混合乞气体，送入冒还原炉内。截在还原炉内双通电的炽热灿硅芯/硅棒蜘的表面，三杨氯氢硅发生邀氢还原反应冰，生成硅沉曾积下来，使煎硅芯/硅棒桥的直径逐渐罩变大，直至住达到规定的除尺寸。氢还枣原反应同时孔生成二氯二付氢硅、四氯瓶化硅、氯化似氢和氢气，绸与未反应的胸三氯氢硅和绝氢气一起送屡出还原炉，捕经还原尾气筒冷却器用循乖环冷却水冷并却后，直接畜送往还原尾维气干法分离火工序。缺还原炉炉筒荡夹套通入热肿水，以移除纸炉内炽热硅除芯向炉筒内左壁辐射的热调量，维持炉亦筒内壁的温式度。出炉筒漏夹套的高温趣热水送往热员能回收工序栽，经废热锅奋炉生产水蒸券汽而降温后孤，循环回本姨工序各还原贸炉夹套使用吸。被校.7护还原尾气干吸法分离工序捏从三氯氢硅察氢还原工序榜来的还原尾倦气经此工序失被分离成氯遮硅烷液体、盆氢气和氯化炮氢气体，分挑别循环回装鞋置使用。摘还原尾气干聋法分离的原湿理和流程与脂三氯氢硅合果成气干法分唐离工序十分御类似。从变和温变压吸附蹄器出口得到既的高纯度的奉氢气，流经盘氢气缓冲罐份后，大部分德返回三氯氢贿硅氢还原工庄序参与制取天多晶硅的反垃应，多余的价氢气送往四衰氯化硅氢化慌工序参与四睡氯化硅的氢糖化反应；吸峰附再生的废强气送往废气绞处理工序进仰行处理；从锻氯化氢解析秘塔顶部得到饱提纯的氯化倦氢气体，送仿往放置于三咐氯氢硅合成糟工序的循环笋氯化氢缓冲渔罐；从氯化圣氢解析塔底牛部引出的多苏余的氯硅烷真液体（即从拨三氯氢硅氢来还原尾气中蚁分离出的氯溉硅烷），送嚷入氯硅烷贮善存工序的还墙原氯硅烷贮晨槽。差2.5.露4锻.8捐四氯化硅氢亮化工序园经氯硅烷分衫离提纯工序丙精制的四氯缓化硅，送入准本工序的四痛氯化硅汽化涝器，被热水邪加热汽化。漂从氢气制备弓与净化工序殿送来的氢气详和从还原尾菊气干法分离券工序来的多贿余氢气在氢摇气缓冲罐混备合后，也通避入汽化器内轰，与四氯化室硅蒸汽形成料一定比例的幸混合气体。甚从四氯化硅投汽化器来的芝四氯化硅与潜氢气的混合牧气体，送入菠氢化炉内。裳在氢化炉内盖通电的炽热筒电极表面附届近，发生四镇氯化硅的氢瑞化反应，生促成三氯氢硅垃，同时生成丽氯化氢。出双氢化炉的含拐有三氯氢硅嘱、氯化氢和辛未反应的四搜氯化硅、氢赤气的混合气进体，送往氢施化气干法分汉离工序。胶氢化炉的炉叮筒夹套通入烤热水，以移哲除炉内炽热俯电极向炉筒越内壁辐射的邪热量，维持叉炉筒内壁的宪温度。出炉电筒夹套的高穴温热水送往鼻热能回收工轧序，经废热熄锅炉生产水勒蒸汽而降温低后，循环回骄本工序各氢意化炉夹套使称用。四奖.9获氢化气干法关分离工序忌从四氯化硅赞氢化工序来言的氢化气经丹此工序被分征离成氯硅烷魄液体、氢气塑和氯化氢气门体，分别循苍环回装置使交用。巷氢化气干法樱分离的原理塌和流程与三渐氯氢硅合成自气干法分离径工序十分类符似。从变温班变压吸附器铺出口得到的忆高纯度氢气既，流经氢气同缓冲罐后，长返回四氯化能硅氢化工序止参与四氯化舍硅的氢化反锐应；吸附再犯生的废气送碌往废气处理贝工序进行处贷理；从氯化鼠氢解析塔顶偷部得到提纯式的氯化氢气尾体，送往放融置于三氯氢娘硅合成工序炎的循环氯化房氢缓冲罐；博从氯化氢解饱析塔底部引剂出的多余的伤氯硅烷液体地（即从氢化胶气中分离出梯的氯硅烷）售，送入氯硅跳烷贮存工序哭的氢化氯硅婚烷贮槽。执并.10无氯硅烷贮存叙工序功本工序设置很以下贮槽：腥100m3余氯硅烷贮槽蚂、周100m3若工业级三氯但氢硅贮槽、颂100m3赚工业级四氯杰化硅贮槽、腔50m3绳氯硅烷紧急拔排放槽等。授从合成气干广法分离工序翼、还原尾气珍干法分离工提序、氢化气佛干法分离工怒序分离得到短的氯硅烷液评体，分别送探入原料、还魂原、氢化氯僻硅烷贮槽，杰然后氯硅烷隙液体分别作之为原料送至叫氯硅烷分离题提纯工序的宰不同精馏塔或。尚在氯硅烷分棉离提纯工序析3级精馏塔乞顶部得到的该三氯氢硅、段二氯二氢硅没的混合液体蚀，在4、5桑级精馏塔底悦得到的三氯缸氢硅液体，荐及在6、8另、10级精宗馏塔底得到盒的三氯氢硅忧液体，送至庭工业级三氯圣氢硅贮槽，构液体在槽内违混合后作为倒工业级三氯矩氢硅产品外器售。圣仅.11列硅芯制备工撇序三采用区熔炉启拉制与切割厉并用的技术跃，加工制备列还原炉初始字生产时需安斩装于炉内的丈导电硅芯。盐硅芯制备过寨程中，需要虽用氢氟酸和惕硝酸对硅芯蜂进行腐蚀处屿理，再用超链纯水洗净硅辰芯，然后对款硅芯进行干诵燥。酸腐蚀秩处理过程中怠会有氟化氢竿和氮氧化物额气体逸出至债空气中，故荣用风机通过停罩于酸腐蚀热处理槽上方烂的风罩抽吸巡含氟化氢和针氮氧化物的钥空气，然后醉将该气体送骆往吸附装置颤进行处理，左达标排放。砖华.12补产品整理工拼序闻在还原炉内仆制得的多晶会硅棒被从炉叫内取下，切草断、破碎成你块状的多晶氏硅。用氢氟额酸和硝酸对顶块状多晶硅金进行腐蚀处广理，再用超垮纯水洗净多或晶硅块，然勤后对多晶硅员块进行干燥榨。酸腐蚀处广理过程中会电有氟化氢和里氮氧化物气访体逸出至空熟气中，故用辰风机通过罩源于酸腐蚀处吓理槽上方的铺风罩抽吸含创氟化氢和氮董氧化物的空贸气，然后将巷该气体送往置吸附装置进渴行处理，达赏标排放。经包检测达到规权定的质量指闲标的块状多异晶硅产品送监去包装。瓶踪.13董废气和残液乡处理工序寺A．废气净允化移氯硅烷分离鹊提纯工序各衡精馏塔顶排偶放的含氯硅偶烷、氮气的奖废气，及含厚氯硅烷、氢咽气、氮气、勇氯化氢的多荡晶硅还原炉朝置换吹扫气宽和多晶硅还裂原炉事故排孟放气等，被撑送进尾气洗堵涤塔(此塔荐一开一备)甲，用10%匀NaOH溶财液洗涤，废少气中的氯硅认烷（以Si旬HCl3为绝例）和氯化苗氢与NaO叉H发生以下载反应而被除选去：巷SiHCl必3拐+3H沟2弹O=H遇2橡SiO帮3汽+3HCl学+H趣2丝H苏2册SiO丛3钟+2NaO高H=Na委2坛SiO喷3旗+2H近2戒O区HCl+N疲aOH=N盾aCl+H农2冰O尿废气经液封火罐放空。斑含有NaC惰l、Na2失SiO3的枣出塔底洗涤环液用泵送入桃工艺废料处秤理工序。保B．残液处畜理斩从氯硅烷分附离提纯工序课中排除的残扁液主要含有牢四氯化硅和呆聚氯硅烷化苦合物的液体孩以及装置停点车放净的氯列硅烷液体送字到本工序加锯以处理。蝇需要处理的廉液体被送入酬残液收集槽便。然后用氮丰气将液体压杨出，送进灌够注有10%休碱液的残液挥处理槽。通县过不停地搅记拌，废液中识的氯硅烷与笼NaOH和倚水发生反应琴而被转化成矩无害的物质只。领从槽顶逸出拼的气体，引踪入尾气处理絮塔。情经过规定时鸣间的处理，丛用泵从槽底坏抽出含H4撤SiO4、隔NaCl2素、H4Si续O4、Na稻2SiO3塞的液体，送啊往工艺废料死处理工序。昼令.14逆工艺废料处樱理工序流A室．供Ⅰ盒类废液处理揪来自氯化氢遵合成工序的世废酸、液氯罚汽化工序的牧废碱、废气刊残液处理工两序和废硅粉初处理的废液住等在此工序猫进行混合、瞒中和后，经烫过压滤机过幕滤。滤渣（毁主要为Si趟O2、Na臭CL等）送鹊渣厂堆埋。患滤液主要为救NaCL溶物液，进行蒸叔发、浓缩和面结晶。蒸发计冷凝液循环挪利用（配置粱NaOH溶威液），结晶欲固体氯化钠风等外售或填闹埋。宗B畏．奸Ⅱ厕类废液处理扑来自硅芯制萌备工序和产形品整理工序恶的废氢氟酸其和废硝酸，腰用碱液中和递，生成的氟底化钠和硝酸裙钠溶液，进虑行蒸发、浓斧缩和结晶。狮蒸发冷凝液驴循环利用（尺配置NaO挺H溶液），蛾结晶固体氟四化钠和硝酸拦钠等外售或辈填埋。饰2.6建设程项目排污诚状况分析策宁废气千废气主要为墓正常时废气识处理工序尾扑气、产品后启处理和硅芯坊制备工序酸兆性废气等，口主要废气污菠染物为HC生l、NOx爬、氯硅烷房、HF瓜等窄。副多晶硅项目罩有组织抛废气污染源站状况见表眠2-6-1宜。粘表较2-6-1做被废气饱排放状况古装置滚名称宋序号可排放源露废气许名称库排放量碧(Nm丸3屠/h)个污染物组成黑(vol)链排放特性埋排放方式然及去向屯温度据(截℃何)锄压力碌(Pa)匙规律疼多拣晶廉硅挽1搬硅尘除尘系草统启排气忆5000拼硅尘20敲mg/m晃3寒(适0.1kg祖/诉h)表常温急常压嗓间断绑排空颜(H=末15m仙φ渡=植0.2m怒)叛2献废气处理工颜序尾气洗涤泛塔险排气资200骗(正常)尖3000钓(最大)届H冰Cl97融mg/m位3踩(砖0.019刷kg粗/h)厅H胖2易旧95~5纯%锐N盲2嫩许5~95茎%赔氯硅烷困微量由常章温洋微正压丑连续贴排空捞(H=稳15m完φ公=设0.2m坡)致3严废气处理工次序酸性废气丢处理塔碎排气代~2000划0勺H蚊F2.5匠mg/m轨3恶(虹0.05k眯g足/h)丢NO酸X期4.5震mg/m侮3胸(述0.09k哨g港/h)玻常衣温丝微正压熔连续答排空匠(H=搬15m续φ逼=伶0.2m绿)果4汉开工导热油疏加热炉抱烟气帽6000纯(最大)荷SO道2游脚≤羽5奴0mg/m谈3柳NO酱2条孩≤秘35降0mg/m塞3艰烟尘氏≤屋10筋mg/m攀3王250网常压势间断应(开车时)轻排空霜(H=呀20m涉φ花=第0.2m遭)登无组织排放择硅尘6.0垂t拜/a(桂0.8kg坚/h)、肥HCl1切.5t恒/a(圆0.20k厕g滩/h)、达HF0.0拜8t仰/a(屡0.01k台g带/h)在注：生产时浩间7440统小时肿/年唉丑废水详废水主要为沾正常时产品狠后处理和硅破芯制备工序欺水洗废水、轻装置区设备卵/地坪冲洗如水、生活污得水，以及循切环水、脱盐脾水系统排出国的假定清净多下水。其中陪生产、生活夏污水经处理基后排放，假届定清净下水腐直接排放离；非主要废水污攻染物为SS条、COD、抗盐等盲。臣多晶硅雪项目废水排疲放状况番见表佩2-6-2瓣。校表东2-6-2课勒废仿水水排放贤一览表趁装置恼名称识序号计排放源廉废水植名称伟排放量态(t/h)渣污染物组成庸(wt)品排放特性骗排放方式摘及去向榆温度搭(握℃绢)主压力乓(Pa)仓规律初多晶硅律1益产品后处理继和鲁硅芯制备工眼序响水洗废水精10(平均动)辞22(最大气)翅HF和HN倾O敢3鞋常温探常压昆间断著经厂污水处茅理站处理达盈标后至厂总敞排口牌2种工艺废料处居理工序(券Ⅰ浸类废液)萄蒸发冷凝液娱1味常温秩常压映连续范回用，不外哗排押装置区切3蒙设备、地坪位冲洗、烛分析化验肯废水古6晴COD、p泻H水<层7瑞常温盒常压材间断衫经厂污水处燥理站处理达聚标后至厂总拘排口冠公用工程及融辅助设施腊4固循环水系统虾排水絮100技COD声60mg/冻L斑SS锋40mg/厌L顶常温耗常压卷连续盈直接排至厂灵区净下水管屈网接5啦脱盐水/高装纯水站赴中和池钞排水中28楚COD泪60mg/消L伶SS票40mg/费L绩pH6乖-9贩常温导常压泉连续黎直接排至厂胖区净下水管漆网姥6承厂内桐生活宝设施邪生活污水熔5失COD4免00mg牲/L腐BOD尾5某100m克g/L伙SS芬250mg越/L野NH雁3心-N洪35崇mg/L可常温藏常压领间断公经厂污水处绿理站处理达蔬标后至厂总送排口刻7耳污水处理站书排水面21慕（平均）土pH6~构9屋COD忌辛≤吴100mg龟/L立BOD狼5坦≤舍20mg/穿L妈SS洞蚊≤披70mg/废L哈NH我3您-N罩≤劈15mg/哪L守氟化物漠≤蒜10mg/参L旨常温拴常压睡连续稼达标排放会总量踏本项目外排琴废水量顿149肤t/h缴(平均)饼其中：污水份21射t/h芝送舰厂污水处理贤站处理达标惯后至厂总排垃口围；假定清净盆下水128芳艰t/h弊直接排放军2晶.跃6墨.正3辈固废泊主要固体废达弃物为原料踏制备和Si乔HCl袖3夕合成工序产病生的硅粉、辰工艺废料处垒理工序产生得的NaCl启和SiO焦2蹄固体废物、坑酸洗废液处填理工序产生策的Ca(N毁O么3冶)扇2往/CaF帜2诸固体废物。啄多晶硅装置搜固体废物排岸放状况选见表悠2-6-3让。尿表拍2-6-3喷（a）扔固体胆废物排放状麦况阶装置名称剖序号桥固废来源及仔名称迅组成及特由性数据疫排放窝规律肤排放量爸排放方式召及去向依多鸟晶胖硅易1砍废硅粉母Si广间断慌200t/减a换送渣场堆存这2剪废石渣及污火泥冒主要成分：例CaF2膀含水80%馅间断杏2310t北/a蚕压滤后送渣揪场堆存塔表水2-6-3敲(b匀)门固体盾废物排放状虚况夕装置貌名称陷序号押排放源刻废东液讲名称呆产生狠量孕(t/h)染污染物组成公(wt)孕排放特性再排放方式团及去向筝温度食(躲℃京)孕压力腰(Pa)势规律滴多晶硅歌1逗提纯工序叔精馏残液坏466您含氯硅烷年常温雁常压替连续滑NaOH中伞和后送工艺贩废料处理工祝序(敌Ⅰ网类废液)毛2做废气处理工服序舒尾气淋洗塔投洗涤液烈2.5途SiO小2混12.1咸％板N边aCl拨36.7呈％探H难2润O彩51.2汤％糠常温敢常压猛连续固送工艺废料竖处理工序(忙Ⅰ欲类废液)药3春产品后处理采和硅芯制备叔工序捞酸洗废酸默1270t堪/a国HF10糖%良HNO雁3俘90%谊常温猛常压虹间断气石灰乳中和备后送工艺废额料处理工序斜(框Ⅱ旬类废液)委蹄噪声仔主要产噪设赶备为机泵、毫压缩机和放低空管葵，均采用了绢消声、隔声锡等措施。雾本项目主要逢噪布声状况见表怕2-6-4此。惕表笔2-6-4检虽噪声产甲生状况茶装置恐名称限序号影噪声源名称绣声源强度d督B(A)产工作特性归消声措施案消声后声压劲级烂dB(A)些公用工程蒙1司空气分离装成置岸100赶连续畏消声器及隔丑音操作室虎<85百2糖冷冻机探100熄间断上消声器及隔岩音操作室踏<85狠3档空压机吸100士连续帅消声器及隔扮音操作室拐<85乓3肌.暴环境现状调首查与评价饶3珠.1自然环赤境址特征黎3做.1.1岂地理位置充乐山市位于苹四川盆地的竞西南部，械岷江、青衣炸江和大渡河由三江汇合处路，在历史上重一直是成都骄平原、川西雅山地和大小户凉山之间相纠互交往以及圾通向长江流计域各处的必坚经之地，是啄具有三千多软年悠久历史筑和灿烂文化贼的历史名城富。股乐山市乌北连成都平侧原，西接川西南山地、东摄及东南跨川恶中丘陵渗，其东邻自贡贡与宜宾市要，南靠凉山袍彝族自治州批，西连雅安帽市，北接眉程山市，胞市域地理座决标在东经1春02拔。元50'倦—练104职。假14'，北涂纬28制。孕25'惰—炎29梦。侧23'繁之间，行政再区面积希1位2827.紫5掠km帖2越。计乐山高新技灰术产业开发屯区位于乐山乡市市中区南停部，大渡河体南岸，岷江友西岸。规划伤的开发区东踪到大佛保护跌区，隔岷江左与大佛遥遥西相望；距大改佛约记4km电，北临大渡齐河，通过大筹渡河桥连接婚币区，南至曲乐山森林公蓬园，西到台抚地边沿。开输发区规划面仍积卸6.924休km勾2扇，其中包括述车子乡的茶熟山村、鱼农讨村、惠安村隶、白墙村及深安谷镇的龙械口村、双水贫村、郑明村扬、英雄村的迅部分村社，造东西向平均陪宽锐3.68k鲁m絮，南北向平茎均长哭3.47k覆m缴。规划的开霜发区背山面番水，东临大趟佛风景保护伏区，花团锦逆簇，微波粼砍粼，环境优火美，是一处树投资环境极糖佳的经济开冰发区。痛本项目位于揭乐山高新技序术产业开发惩区建业大道络以南，乐高易大道和茶山脑路之间，详铲见图沙3-1-1紫。毫3鞋.1.2重地形地貌蜘乐山市区域揉南北长册214.4但2km眉，东西宽忙164km缘；幅员面积筒为低12826需旷km怪²睁。地处四川酷盆地向西南仍山地的过渡午地带，山地勒分布在西部封和西南部。盟丘陵狮主要分布在屠东北部和东远南部，平原山集中在沿江毛两岸。整个船地势由西北累、西南向东长南、东北倾专斜，呈西南眠高、东北低杆。境内最高屑处是峨边县莫的马鞍山主仆峰，海拔手4288m把，最低处是缓犍为县境内壶的岷江出境陆处，海拔洒307m童，境内高差低悬殊。市域值地貌有山地前、丘陵、平朽坝三种类型终，以山地为捐主，视其中山地面筛积辟8232.相38km成²茂；占全市面沾积的64.纳2%，丘陵铺面积吸3879.徒62km娱²绞，占全市面由积的30.已2%，平坝奴面积细714.0殖08km氏²验，占全市面穗积的5.6执%。艳车子乡地形颤主要以平坝早和浅丘陵为延主，平坝占交29%，丘森陵占39%落，另有部分公滩涂河流。吴拟建厂址地糠处大渡河南弟岸的浅丘地杏带，由于车察子乡地处大砌渡河、青衣乓江、岷江三肆江汇流处，旬地质属心冲棉积土壤，厂潮址范围内属惨浅丘台地地枝形，北高南拿低，地势较茎平缓，标高妨在390～锄408m，举相对高差秩18m斥，在鹰嘴村霉的东西两侧惊发育有两条蓄近南北走向拣的充沟，切吉割深度达1享5～30m编，地形相对唱较陡；厂区握北部因受大键渡河冲刷，勤岸坡地形陡嫌峻，标高3悔62～40装0m，高差谷38m越。蛙缘工程地质驴乐山市地质辟构造属中、胞新生界地质输年代；地表瓦层以下为红傻砂页岩，由荣粘土与红砂肢胶结而成。孩北部平坝上嗽层为第四系唱全新泛洪冲右积层，下层漂基岩为中生嫌界，白垩系选夹关组紫红凉、砖红色长驻石石英砂岩倚、夹粉砂岩糊及沙质粘土勇岩，河岸有拳基岩出露，柳为中生界白李垩系夹关组务底层，地质瞒稳定，地质凳条件好。淡厂址区域的发岩土工程地长质特征：生①锯第四系全新粮统洪坡残积慢物，为黄色孙粘土及卵砾钉，厚度小于霞1～2m，垮该层一般不叔宜选作持力嫌土层。玩②购第四系上更射新统冲洪积世物：以黄褐捞粘土及薄层摸粘土夹卵砾阻石层组成，准该层厚度达时25m境以上。粘土瞎呈硬塑状，山承载力标准莲值180～令300kP标a，该涂成拍为较好的持孙力土层，适答宜选作天然虫地基持力层披。夏③只白垩系上统撇夹关组软质截岩石：砖黄底色细中粒砂刘岩夹薄层粉挺砂岩，粘土抖岩互层，表荐层承载力标写准值为25谦0～350鄙kPa。据怒地形及岩土晌性质分析：贺上部粘土及祥粘土家卵石近土属隔水层贪，底部岩石集属孔隙裂隙爽弱含水层，倚单井最大涌石水量100尊～240m木³橡/d，地下炭水埋深在双25m述以下，故地份下水对建筑料物施工及使鸣用均无影响尊。坏乐山市区内骡最大地震为汤里氏5.6才级，烈度为院6度。建筑快设防烈度为咱7度。榨3诵.1.开4歪气候特征百乐山市气候亏温和湿润，翁雨量充沛；拉四季分明，位属中亚热带检季风湿润气奥候区；年平旷均气温名17.3隙℃纽，极端最高跌气温镜38.1振℃惧，极端最低颈低温犹-4.3妙℃天，常年最低爸气温在昏0忆℃闻以上；多年喘平均气压9签65.5百肆帕；全年无先霜日达33继3天；年最锤大降