工艺课-第五章氧化

东南东南大学无锡分东南大学无锡第第五章

东南大学无锡分工作区？“薄膜1、生长氧2 较热生长：消耗硅，生成二氧§5.2氧化

东南大学无锡分 曝露在空气化 槽东南大学无锡分p-Epitaxialp+Silicon场氧化氧化膜的用

东南大学无锡分PolysiliconGate p-Epitaxialp+Silicon氧化膜的用东南大氧化膜的用Phosphorusp-Epitaxialp+SiliconBarrier

东南大学无锡分SiliconSilicondioxidep+Silicon

东南大学无锡分GateGateTransistorp+Silicon

东南大学无锡分TransistorpTransistorp+Silicon

东南大学无锡分p+SiliconDiffused

东南大学无锡分DopantDopantspacerIonSpaceroxideprotectschannelfromhigh-energy

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PadBBgdILD-M-ILD-M-

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p+SiliconHighdamagetouppersurface+more

Lowdamagetouppersurface+less

东南大学无锡分BondingpadBondingpad

BondingpadILD-M-ILD-M-§5.3热氧化生东南§5.3热氧化生各种要求下的氧化物厚Semiconductor Gateoxide(0.18m 20–Capacitor 5–400–Dopantmasking

(依赖于掺杂剂、注入能量、时间和温度STIBarrier LOCOSPad 200–Field 2,500–在日光定照射下正面观在日光定照射下正面观察到热生长的SiO2薄膜颜色一、关于氧化的化学反一、关于氧化的化学反Si(s)O2(g)SiO2温度和时间对干氧氧化物厚度的一、关于氧化的化学反一、关于氧化的化学反Si(s)2H2O(g)SiO2(s)2H2(g)温度和时间对湿氧氧化物厚度的二、氧化生长模

东南大学无锡分 tBefore After在氧化中硅的二、氧化生长模

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二氧化硅的原子

在Si—SiO2界面的电荷东南大学无锡过渡层：Si与SiO2的混合状过渡层：SiO2连续变不存在过渡与热氧化硅相联系的电与热氧化硅相联系的电四种电荷二、氧化生长模

东南大学无锡分 dtoreaction

O,氧化层的氧AXBA t：生长时

东南大学无锡分线性率常数与温度的1X1

东南大学无锡分抛物线性率常数与温度的二、氧化生长模东南大学无锡分二、氧化生长模

东南大学无锡分Pad(initial4.Si3N4

e

Si3N4掩蔽与刻

LOCOS场氧化层的剖选择性氧化和鸟嘴效选择性氧化和鸟嘴效NitrideoxidationSelectiveSilicon二、氧化生长模

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氧化硅平坦化 5.氮化硅去

浅 (STI)的剖二、氧化生长模硅片翘产生层状缺Si—SiO2界面处形成的晶体缺

东南大学无锡分§5.4高温炉设东§5.4高温炉设立式炉系

东南大学无锡分 加热器

传统与快速升温立式传统与快速升温立式炉的温度曲 FastTemperatureTemperature

TemperatureTemperature

80100120140160Time

80100120140160Time东南大学无锡分传统立式炉和RTP间的对

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热壁Hot

冷壁Cold东南O2O2、H2、N2、

东南大学无锡分 步 时(分钟

0000150020035004050060075008000东南后氧化评估：当把硅片卸下后，要对硅片进行检测质量参氧化物厚

东南大学无锡分﹡O2栅氧化物的完整

东南大学无锡分 氧化膜内的颗东南氧化膜内的颗﹡﹡氧化膜下的